Знаменитые учителя лекции по режущему серии научных и технологических схемы.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
имя:Графическая технология чипов
Автор:Tian Minbo собрал
Цены:49.00
ISBN:978-7-122-33960-7
Ключевые слова:Чип; IC;
масса:416 грамм
Издательство:Химическая промышленность пресса
формат:32
Фрагментация:квартира
Опубликованная дата:Июль 2019
Версия:1
Номер страницы:300
Индийский:1
В ответ на многогранные потребности начинающих, приложений и исследований и разработчиков «Technology Graphic Chip» использует комплексную и краткую форму для введения принципов работы чипов, интегрированных схем, производственных процессов, нового прогресса, новых приложений и перспектив развития чипов и т. Д. На предпочтение сбора большого количества информации.Метод обсуждения «очистки всего» в каждой главе принят с изображениями слева и справа, а также изображения на картинке и сравнении текста, и приведены «ключевые моменты этого раздела».Стремитесь быть простым для понимания, простых для понимания, четких уровней, четких идей, богатого контента, выдающихся ключевых моментов;
Эта книга может быть использована для студентов, таких как микроэлектроника, материалы, физика, точные инструменты, а также технические и технические сотрудники в смежных областях.
Глава 1 Введение в интегрированную схему
1.1 Обзор 2
1.1.1 От отдельных компонентов до интегрированных цепей 2
1.1.2 От кремниевого круглого листа до чипа до упаковки 4
1.1.3 Функция транзисторов - можно сравнить с водными путями, проходящими через шлюзы 6
1.1.4 Принцип работы триода MOS (NMOS) 8
1.1.5.
1,2 полупроводниковый кремниевый материал-ядро и основание интегрированных цепей12
1.2.1 Сравнение типа MOS и транзистора биполярного узла 12
1.2.2 Диаграмма схемы раздела CMOS Constructor (P -формированный кремниевый субстрат) 14
1.2.3
1.3 Классификация компонентов интегрированной цепи 18
1.3.1 Функция и тип IC 18
1.3.2 RAM и ROM20
1.3.3 Метод классификации полупроводниковых устройств 22
1.4 Производственный процесс полупроводниковых устройств 24
1.4.1 Предыдущие поделки и задние поделки 24
1.4.2 Введение в производственный процесс IC Chip 26
Забронировать на мысе чайный стол
Десять лучших вех в истории интегрированной схемы 28
Глава 2 от кремнезема до пластин
2.1 Полупроводниковый кремниевый материал 36
2.1.1 Кремний в настоящее время является важным полупроводниковым материалом 36
2.1.2 Кристаллические дефекты в монокристаллическом кремнеоне 38
2.1.3 Уровень энергии примесей в PN Knot 40
2.1.4 Классификация сопротивления изоляции, полупроводнику и проводника по сопротивлению 42
2.2 От кремния к кремнию в кремнии до 99,99999999%от силикона с высоким содержанием 44
2.2.1 Процесс от Spar сырья до полупроводниковых компонентов 44
2.2.2 РЕССОРЕНИЕ от кремнезема до металлического кремния 46
2.2.3 Выборы и рост Polysilicon 48
2.3 От полисиликона до монокристаллической кремниевой палочки 50
2.3.1 Улучшение производства Polysilicon 50
2.3.2 Czochralski (метод CZ) Потяните одно кристаллический кремний 52
2.3.3 Площадь движения движения движения 54
2.3.4 Причины и меры устранения в методе прямого вытяжения 56
2.4 От монокристаллического кремния до пластины 58
2.4.1 Размер пластины продолжает расширять 58
2.4.2 Обработка логотипа направления первые 60
2.4.3 Разрежьте кремниевые пробелы на куски кремниевого круглого листа 62
2.4.4 Кремниевый круглый лист имеет различные типы 64
2.5 Польская пленка, Огненное отступление, внешнее расширение, SOI Film 66
2.5.1 Полировка и отжиг фильм 66
2.5.2 Внешнее расширение 68
2.5.3 Soi Film 70
Забронировать на мысе чайный стол
«Кремний - это сокровище, данное человечеству» 72
Глава 3 Процесс производства интегрированных цепи
3.1 Интегрированная логика схемы LSI Структура 74
3.1.1 Структура устройства биполярного узла 74
3.1.2 Структура кремния сетки MOS Device 76
3.1.3 Структура устройства CMOS кремния CMOS 78
3.1.4 Структура устройства BICMOS и устройства SOI 80
3.2 Процесс производства LSI 82
3.2.1 Примеры контактных отверстий и слоев проводки со шкалами света 82
3.2.2 Экспозиция, показывающая 84
3.2.3 Разработка оптического гравированного проекта 86
3.2.4
3.2.5 Процесс оптической резки 90
3.2.6 Очистка, окисление и изолирующая пленка кремниевой пластин
3.2.7 Область изолирующей пленки
3.2.8 Электрод затвора. Рост-имплантация 96 в n-канальный источник источника
3.2.9 Литография и имплантация ионного бора в P-канал-контактный контакт.
3.2.10 Рост первого слоя металлической пленки - образование электродных колодок 100
3.2.11 Дамаскулярные поделки медной проводки 102
3.2.12 Как разработать нашу индустрию производства чипов IC 104
3.3 Классификация и комбинация процесса производства чипов IC 106
3.3.1 Основной процесс в производстве чипов IC 106 106
3.3.2 Композитная технология в производстве чипов IC 108
3.3.3 Модуль процесса 110
3.3.4 Процесс субстрата и процесс проводки 112
Забронировать на мысе чайный стол
Ведущий мировой интегрированной индустрии 114
Глава 4 Осаждение пленки и графическая обработка
4.1 Различная пленка 120, используемая в компонентах DRAM и компонентах LSI 120
4.1.1 Структура компонентов и различная пленка 120
4.1.2 Изменение структуры емкости в DRAM 122
4.1.3 3D -структура хранения в DRAM 124
4.1.4 Применение материалов пленки в интегрированных цепях 126
4.2 Пленки и осаждение пленки для производства IC (1) - Метод PVD 128
4.2.1 Производство VLSI применяется для разных типов пленки 128
4.2.2 Применение поликристаллических кремниевых сальников в интегрированных схемах 130
4.2.3 Металл 132 обычно используется в процессе IC
4.2.4 Вакуумный паряки 134
4.2.5.
4.3 Пленки и осаждение пленки для производства IC (2) - метод CVD 138
4.3.1 Метод CVD для VLSI сделал 138
4.3.2 Основное реакционное устройство в CVD 140
4.3.3 Процесс передачи, реакции и формирования пленки в процессе плазменного CVD (PCVD) 142
4.3.4 Различные комнаты для обработки в процессе пластин 144
4.4 Пленки и осаждение пленки для производства IC (3) - сравнение различных методов146
4.4.1 Сравнение различных методов формирования пленки 146
4.4.2 Метод формирования термической оксидной пленки 148
4.4.3 Процесс образования термо оксидной пленки 150
4.4.4 Тип фильма и метод производства для VLSI 152
4.4.5 Метод CVD для VLSI 154
4.5 Улучшение и устранение дефектов проводки - проводка CU заменяет проводку AL 156
4.5.1 Враг, который влияет на жизнь электронных компонентов - электромиграция 156
4.5.2 Причины формирования дефектов отключения и схемы, а также мер по профилактике и ремонту 158
4.5.3 CU Разум для Altrules для проводки 160
4.5.4 CU -проводка 162 с помощью метода гальванизации 162
4.5.5 Оптима для преимуществ и недостатков чипов IC 164
4.6 Источник света экспозиции продолжает двигаться к короткой длине волны 166
4.6.1 Как обрабатывать графику 166 от тонкой пленки 166
4.6.2 Несколько часто используемых методов воздействия света 168
4.6.3 Требования к окружающим технологиям для легкой резьбы 170
4.6.4 Изменение длины волны воздействия и связанной с ним технической гарантии 172
4.6.5 Разработка и перспектива системы оптической резки 174
4.7 Технология оптической экспозиции 176
4.7.1 Классификация и изменение графического экспозиционного устройства 176
4.7.2 Метод воздействия света 178
4.7.3 Недавняя экспозиция и узкая проекционная экспозиция 180
4.7.4 Меры компенсации по доставке в экспозиции 182
4.8 Электронная экспозиция луча и технология воздействия ионного пакета 184
4.8.1 Технология экспозиции электронных ставок 184
4.8.2 Технология недавней экспозиции (LEEPL) с низким энергетическим лучом 186
4.8.3 Технология экспозиции по восстановлению мягкого x -Ray (EUV) 188
4.8.4 Технология воздействия ионного пакета 190
4.9 Метод сушки Затмение Заменить влажное травление 192
4.9.1 Применение технологии травления в производстве VLSI 192
4.9.2 Сравнение сухого травления и влажного травления 194
4.9.3 Типы и характеристики травления сухого травления 196
4.9.4 Это явление произошло в реакции в реакции сухого метода (Rie Mode) 198
4.9.5 Устройство плазменного травления с высокой плотностью 200
Забронировать на мысе чайный стол
Десять лучших предприятий мировой индустрии чипов 202
Глава 5 Допинг примеси - тепловая диффузия и инъекция ионов
5.1 Процесс тепловой обработки в производстве интегрированных цепи 208
5.1.1 Горячий процесс (горячий процесс) 208 в процессе IC Chip
5.1.2 Технология формирования термической оксидной пленки 210
5.1.3 Важная мембрана инспекции решетки решетки 212
5.2 Процесс тепловой диффузии для примесей допинга 214
5.2.1 Цель примесей в производстве LSI 214
5.2.
5.2.3 Решить распределение концентрации тепловых диффузионных примесей 218
5.2.4 Цель термообработки, сглаживание, электрическая активация220
5.2.5 Поведение примесей в кремнии 222
5.3 Точная технология легирования примесей (1) - Принцип ионной имплантации 224
5.3.1 Принцип ионной инъекции 224
5.3.2 Устройство ионного впрыска 226
5.3.3 Инъекция ионов с низкой энергией и отжиг высокой скорости 228
5.3.4 Распределение концентрации ионной инъекции 230
5.4 Точная технология легирования примесей (2) - - применение ионной имплантации 232
5.4.1 Стандартный участок инъекции Triode MOS 232
5.4.2 Основная структура ловушек и структура ловушки с инвертированной градиентом 234
5.4.3 Одно верхняя формация 236
5.4.4 Двойная формация 238
5.4.5 Применение инъекции ионов в CMOS 240
5.4.6 Ионная инъекция для мелкого вязания 242
Забронировать на мысе чайный стол
«Основная технология - это важное оружие страны» 244
Глава 6 может ли закон Мура продолжать быть эффективным
6.1 Многослойная проводка вошла в четвертое поколение 246
6.1.1 Многослойная кабеля-к адаптации к требованиям микроскопической и высокой интеграции246
6.1.2 Генерация 1 и 2 технология многослойной проводки-отложение слоя и выравнивания стекла 248
6.1.3 Многослойная технология проводки 3-го поколения-импорт CMP250
6.1.4 Многослойная технология проводки 4-го поколения Technology Damascus Technology 252
6.2 Одиночный магический и Дамаск Craft 254
6.2.1 CU Проводка Дамаска постепенно заменяет проводку 254
6.2.2.
6.2.3 От Al -проводка+W столбца до Cu Double Damascus wind 258
6.2.4 CU Двойная малазийская структура проводки и возможные проблемы 260
6.3 Может ли закон Мура продолжать вступать в силу?262
6.3.1 Две тенденции полупроводниковых устройств к огромной и лучшей разработке 262
6.3.2 Интеграция чипов продолжает продвигаться по законодательству Мура 264
6.3.3 «Закон Мура не является законом физики», а закон, который описывает индустриализацию »266
6.3.4 "На цыпочках, прыгайте и выбирайте яблоки" 268
6.4 Внедрение новых материалов - «Технология производителя материалов» 270
6.4.1 Multi -Layer Wiring Laminar, DRAM Capacitor Film, CU -проводка 270
6.4.2 Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (1) 272
6.4.3 Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (2) 274
6.4.4 Hydronics Semiconductor омолаживает 276
6.5 Как достичь высокой производительности устройства?278
6.5.1 Высокие требования к высокой производительности всей машины становятся выше и выше 278
6.5.2 Высокая производительность устройства зависит от нового процесса и нового материала 280
6.5.3 Начните с процесса субстрата и процесса проводки одновременно 282
6.6 от 100 нм до 7 нм - поддержано инновациями в материалах и процессах 284
6.6.1 Чистое кремниевое на основе трубки MOS и Polysilicon/High-K-базовая трубка 284
6.6.2 Металлическая решетка/высокок-кидовая трубка MOS и Эффект поля FIN Транзистор (FINFET) 286 286
6.6.3 90NM - Противременный кремний 288
6.6.4 45NM-High-K Изоляционный слой и металлические затворы 290
6.6.5 22nm - финальный поля транзистор 292
6.6.6 7nm-литография EUV и Sige-Channel294
Забронировать на мысе чайный стол
Собрание сил для борьбы с основными технологическими исследованиями и разработками борьбы с битвами 296
Ссылка 297
Автор профиль 298
