8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

В глубине понимания принципа электронных компонентов конструкции микроэлектронных схем и применения оригинальной книги оригинальной книги, 5 -е издание разработчиков библиотеки библиотеки разработчиков Tsinghua. книга

Цена: 1 412руб.    (¥66.8)
Артикул: 628779980144

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:兰兴达图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥94.51 997руб.
¥52.61 112руб.
¥129.92 745руб.
¥123.82 616руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

A8

В глубине понимания микроэлектронной конструкции схемы—— принципы и приложения электронных компонентов (оригинальная книга 5 издание)

Автор: [США] Ричард&Middot; C. Jaeger&Middot; n. Blavis n. Blalk; Song Tingqiang переведен

Цена: 89 юаней

Время печати: 1-1

ISBN: 9787302555230

Дата публикации: 2020.10.01

В этой книге систематически обсуждаются основные знания и применение основных цепей электронных компонентов.Начиная с основных принципов электронной науки, основных понятий, таких как основные принципы давления и диверсии, теорема Дэвида Юга и усилитель, вводили основные понятия компонентов и наихудший анализ наихудшего случая, наиболее часто используемых в конструкции схемы, Монте -Карло обычно используется В конструкции схемы Монте -Карло Основные методы анализа и другие методы анализа подробно анализируются характеристики полупроводникового материала, диода PN Knottability, модель диодных специй, схема выпрямителя, полевой трубки и характеристик биполярных транзисторов и анализа специй.Эта книга определяет очень четкий метод решения проблем с точки зрения решения проекта. Большое количество дизайнерских примеров, представленных в книге, используют этот метод для его решения, что помогает читателям углубить понимание и овладение конструкцией связанной схемы.

Благодаря изучению этой книги, читатели могут полностью понять концепции и знания электронных компонентов и их цепей, и могут изучить соответствующие методы анализа цепи и проектирования схем. Книга дает большое количество упражнений на дизайнер для читателей для изучения и практики.

Эта книга может использоваться в качестве профессионального учебника или справочника в качестве бакалавриата или аспиранта в области электронной информации, электрических специальностей или в качестве справочника. Она также может использоваться в качестве справочного материала для технического и технического персонала, занимаясь твердым электроникой и Устройства, цифровые схемы и моделирование.

Глава 1 Введение в электронную науку

 

1.1 Краткая история электронного развития:  от вакуумной трубки до огромных интегрированных цепей

 

1.2 Классификация электронных сигналов

 

1.2.1 Цифровой сигнал

 

1.2.2 Аналоговый сигнал

 

1.2.3A/D и D/A Converter—— мост подключающий моделирование и цифровые сигналы

 

1.3 Соглашение о символе

 

1.4 Как решить проблемы

 

1.5 Основная концепция теории схем

 

1.5.1.

 

1.5.2 Теорема Дэвида Юга и теорема Нортона

 

1.6 Спектр электронных сигналов

 

1.7 Усилитель

 

1.7.1 Идеальный усилитель операции

 

1.7.2 Частотная реакция усилителя

 

1.8 Изменения значения параметра компонента в конструкции схемы

 

1.8.1 Математическая модель толерантности

 

1.8.2 Худший анализ ситуации

 

1.8.3 Анализ Монте -Карло

 

1.8.4 температурный коэффициент

 

1.9 Численная точность

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

Расширенное чтение

 

упражнение

 

ГЛАВА 2 Сплошная электронная наука

 

2.1 Электронный материал с твердым состоянием

 

2.2 Модель ковалентного ключа

 

2.3 Дрифт -ток и скорость миграции в полупроводнике

 

2.3.1 Дрифт Ток

 

2.3.2 Скорость миграции

 

2.3.3 Насыщенность насыщенной скорости

 

2.4 Удельное сопротивление этого кремния

 

Примеси в 2,5 полупроводниках

 

2.5.1 Основные примеси кремния

 

2.5.2. Примеси субъекта в кремнии

 

2.6 Концентрация электроники и электроники в легированном полупроводнике

 

2.6.1n Материал

 

2.6.2p материал

 

2.7 миграция и сопротивление легированного полупроводника

 

2.8 Диффузионный ток

 

2.9 Общий ток

 

2.10 CAN с моделью

 

2.10.1 Производство электронной пещеры в полупроводнике в этом полупроводнике

 

2.10.2 DAD -DED -Doped Semiconductor Capable Model

 

2.10.3 Компенсационный полупроводник

 

2.11 Обзор производства интегрированных схем

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

Расширенное чтение

 

упражнение

 

 

 

 

 

ГЛАВА 3 СЕРИО -Государственный диод и диодная схема

 

3,1 пл. Диод узла

 

3.1.1pn код статический электричество

 

3.1.2 Внутренний ток диода

 

3.2 I 性 v Особенности диода

 

3.3 Уравнение диода:  математическая модель диода

 

3.4 Диодные характеристики обратного, нулевого смещения и положительного смещения

 

3.4.1

 

3.4.2 нулевое смещение

 

3.4.3 Положительный частичный

 

3.5 Температурный коэффициент диода

 

3.6 Диоды обращаются вспять

 

3.6.1 Насыщенный ток фактического диода

 

3.6.2 Обратный разрыв

 

3.6.3 Диодная модель области проникновения

 

3,7 пл. Узел емкость

 

3.7.1 Отвращение

 

3.7.2 Положительный частичный

 

3.8 Диод Шоттки

 

3.9 модель специй и макет диода

 

3.10 Анализ диодной схемы

 

3.10.1 Метод анализа линии загрузки

 

3.10.2 Метод анализа модели математики диода

 

3.10.3 Идеальная модель диода

 

3.10.4 Модель постоянного падения давления

 

3.10.5 Сравнение и обсуждение модели

 

3.11 много -полярная труба цепь

 

3.12 Анализ диодов в зоне заземленного

 

3.12.1 Анализ линии загрузки

 

3.12.2 Анализ сегментарной линейной модели

 

3.12.3 стабилизатор

 

3.12.4 Анализ схемы, содержащий сопротивление QINA

 

3.12.5 Линейная скорость регулировки и скорость нагрузки

 

3.13 Half -Wave выпрямитель

 

3.13.1 Полу -волновый выпрямитель с сопротивлением нагрузки

 

3.13.2 Выпрямители фильтруют емкость

 

3.13.3 Half -Wave выпрямитель с нагрузкой RC

 

3.13.4.

 

3.13.5 Диодный ток

 

3.13.6 Langyong Current

 

3.13.7 Обратное обратное напряжение с рейтингом пика

 

3.13.8 Диоды энергопотребления

 

3.13.9 Выходной выпрямитель отрицательного напряжения

 

3.14 Полная схема выпрямителя волн

 

3.15 Все -волновое мост -тип исправление

 

3.16 Сравнение выпрямления и складывания дизайна

 

3.17 Поведение динамического переключателя диода

 

3.18 Оптический диод, солнечная батарея и излучающий диод

 

3.18.1 Оптический диод и оптический детектор

 

3.18.2 Солнечная батарея

 

3.18.3 Эвербрайт диод

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

Расширенное чтение

 

упражнение

 

Глава 4

 

4,1 МОС емкости характеристики

 

4.1.1 Зона накопления

 

4.1.2 Источенная область

 

4.1.3 Отражающая зона

 

4.2nmos транзистор

 

4.2.1 Качественное описание характеристик I -V кристаллической трубки

 

4.2.2 Линейные характеристики линейной зоны кристаллической трубки

 

4.2.3 сопротивление привода

 

4.2.4 Cross -Guidance

 

4.2.5i 性 v Насыщение характеристик

 

4.2.6 Математические модели зоны насыщенной (ущипок)

 

4.2.7 Насыщенное крестовое обеспечение

 

4.2.8 Модуляция стоматологической длины

 

4.2.9 Характеристики передачи и исчерпывающий MOSFET

 

4.2.10 Эффект тела или чувствительность к основанию

 

4.3 PMOS Транзисторная трубка

 

4.4 Модель схемы

 

4,5 мос транзисторная емкость

 

4.5.1NMOS Кристаллическая трубка линейная зона емкость

 

4.5.2 Конденсатор насыщенной области

 

4.5.3 Capacchaser

 

4,6 -серия моделирования MOSFET

 

4,7 моса кристаллическая трубка равна увеличения доли

 

4.7.1 Дискост ток

 

4.7.2 емкость сетки сетки

 

4.7.3 Ток и плотность мощности

 

4.7.4. Потребляемая мощность 迟 задержка

 

4.7.5 Частота разрезания

 

4.7.6 Ограниченные ограничения на электрическую ферму

 

4.7.7, включая унифицированную модель транзистора MOS с высокими ограничениями поля

 

4.7.8 Подпороговой диск

 

4.8MOS Процесс производства транзистора и правила проектирования макета

 

4.8.1 Минимальные размеры характеристик и абзацы

 

4.8.2.

 

4.9NMOS Полевой эффект смещения трубки трубки

 

4.9.1 Зачем вам предвзятость

 

4.9.2 Четыре смещения сопротивления

 

4.9.3 Постоянная сетка 3 смещение напряжения источника

 

4.9.4Q точечный графический анализ

 

4.9.5 Анализ эффектов тела

 

4.9.6 Используйте унифицированную модель для анализа

 

4.10pmos Полевые эффекты транзистора транзистора

 

4.11 Трубка с эффектом поля узла

 

4.11.1 JFET под частичным давлением

 

4.11.2 канал JFET под предвзятостью источника утечки

 

4.11.3n Особенность IV Jeft

 

4.11.4p The Ritch JFET

 

4.11.5JFET Символ схемы и резюме модели

 

4.11.6jfet емкость

 

4.12Jfet's Spice Model

 

4.13JFET и исчерпывающий смещение MOSFET

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

упражнение

 

Глава 5 Двусторонняя кристаллическая трубка

 

5.1 Физическая структура биполярного транзистора

 

5.2NPN Модель передачи

 

5.2.1 Положительные характеристики

 

5.2.2 Обратные функции

 

5.2.3 Уравнение модели передачи корпорации в любых условиях смещения

 

5.3PNP Транзисторная трубка

 

5.4 Схема эквивалентности модели передачи

 

5.5 IV Особенности биполярных транзисторов

 

5.5.1 Выходные характеристики

 

5.5.2 Характеристики передачи

 

5.6 Рабочая зона биполярных транзисторов

 

5.7 Упрощенная модель передачи

 

5.7.1 Упрощенная модель в области крайнего срока

 

5.7.2 Упростите модель в области положительного источника

 

5.7.3 Диод в биполярной интегрированной цепи

 

5.7.4 Упрощенная модель в области обратного источника

 

5.7.5 Модель зоны насыщения

 

5.8 нереальные особенности биполярных транзисторов

 

5.8.1 Напряжение пирсинга узлов

 

5.8.2 Небольшое количество передачи носителя в базовой области

 

5.8.3 Время передачи базовой площади

 

5.8.4 Диффузионная емкость

 

5.8.5 Зависимость частоты общего усиления производства электроэнергии

 

5.8.6. Эффект и раннее напряжение

 

5.8.7 Моделирование эффекта

 

5.8.8 Влияние влияния эффекта

 

5.9 Cross -Guidance

 

5.10 Bipolar Crafts и Spice Model

 

5.10.1 Количественное описание

 

5.10.2 Уравнение модели

 

5.10.3 Биполярная кристаллическая трубка с высоким уровнем

 

5.11 BHJT Фактическая схема смещения

 

5.11.1 Четыре смещения сопротивления

 

5.11.2 Цели проектирования четырехстойкой схемы смещения

 

5.11.3 Анализ IDEMU четырех схемы смещения

 

5.12. Допустимость цепи смещения

 

5.12.1. Анализ худшей ситуации

 

5.12.2 Анализ Монте -Карло

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

упражнение

 

Приложение стандартное значение дискретного компонента

 

A.1 Сопротивление

 

A.2 Емкость

 

A.3 Индуктор

 

Приложение B Solid -State Model и параметр моделирования специй

 

B.1PN узловой диод

 

B.2MOS Полевой эффект трубки

 

B.3 Tube Effect Effect Tube

 

B.4 Биполярная транзисторная трубка

 

Приложение C Два обзора порта

 

C.1G Параметр

 

C.2 Гибридный параметр или параметр H

 

C.3 Руководящие параметры и параметры Y

 

C.4 Параметр импеданса или параметр Z