Моделирование FINFET для моделирования и конструкции интегрированной цепи основано на стандартной микроэлектронике BSIM CMG и интегрированной цепи расширенных технологий.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
D4
Номер ISBN: 9787111659815
Название: моделирование FINFET для интегрированного моделирования и конструкции схемы: стандарт BSIM-CMG
Автор: Йогеи·Петь Ge·Chuhan et al.
Цена: 99,00 юань
Название издательства: Machinery Industry Press
Время публикации: 2020-08
С характеристиками процесса интегрированной схемы, входящих в узлы ниже 28 нм, традиционная структура MOSFET плоскости больше не применима, и новая трехмерная структура транзистора (FINFET) постепенно становится важной гарантией законодательства Мура.Эта книга начинается с принципов и физических последствий трехмерной структуры и обсуждает фон, принципы, параметры и методы реализации, генерируемые компактной моделью Finfet (BSIM-CMG)Эта книга позволяет избежать сложных производных формул и проводила более прямой анализ механизма и стремится позволить читателям понять характеристики и использование BSIM-CMG с уровня технологий и устройства.Эта книга может использоваться в качестве профессиональных учебников и справочников учителей для микроэлектроники и твердой электроники, электронного инженерного инженера и т. Д., А также может использоваться в качестве инженеров для моделей интегрированных цепи.
Переводчик
Предисловие
ГЛАВА 1 FINFET——От концепции устройства до
Стандартная компактная модель 1
1121 Century Mosfet
Причина 1
12 Тонкая теория мосфета тела 3
13finfet и новый MOSFET Zoom
Путь 3
14 Транзистор поля тела 4 Транзистор 4
15finfet Compact Model——FINFET процесс
Мост со встроенной цепи 5
16 Стандартная компактная модель BSIM
Упрощенная история 6
17 модель основной модели и фактическая модель устройства 7
18 FINFET, который соответствует отраслевым стандартам
Компактная модель 9
Ссылки 10
Глава 2 на основе применения моделирования и частоты
Компактная модель 11
21 Обзор 11
22 Важные индикаторы компактной модели 12
23 Индекс схемы моделирования 12
23 静 1 Статическая рабочая точка 12
232 Геометрический размер Zoom 16
233 переменная модель 17
234.
23 速 5 Скорость: Частота усиления единицы 24
23 噪 6 шум 27
237 Линейность и симметрия 28
238 Симметрия 35
24 Индекс частотной схемы 36
241 два параметра порта 36
24 速 2 скорости спроса 38
243 НЕ -Статическая модель 46
24 噪 4 шум 47
245 Линейность 53
25 Резюме 57
Ссылки 57
Глава 3 Finfet Core Model 59
31 Основная модель FINFET 60
32 Unified Finfet Compact Model 67
Глава 3 Приложение Подробное электрическое импульс Surface Electric
Модель 72
3A 启 1 непрерывная функция запуска 73
3A 2 Пересмотренная итерация: внедрение и гармония
Оценка 75
Ссылка 80
ГЛАВА 4 ДАУГУ ТОРКА И ФАКТИРОВАНИЯ
Эффект 83
41 Обзор 83
42 Пороговое напряжение.
43 SubTroghold обязательство 89
44 VTH коррекция в квантовой механике 90
45 Скорость миграции вертикального поля 91
46 Discovery напряжение VDSAT92
461 не -Этот пример (rdsmod =
1 и 2) 92
462 Пример (rdsmod = 0) 94
47 Модель насыщения скорости 97
48 Квантовый эффект 98
481 модель эффективной ширины 99
482 Эффективная толщина окисляющего слоя/эффективная
Конденсатор 101
483 Совокупный расчет заряда 101
49 Модель горизонтальной неравномерной смешивания 102 102
410 модель эффекта тела Finfet
(Bulkmod = 1) 102
411 модель выходного сопротивления 102
411 1 Модуляция длины турора 103
411 2 утечки, чтобы уменьшить потенциал и уменьшить 105
412 Cannel Curange 106
Ссылки 106
ГЛАВА 5 Утечка ток 108
51 Слабое отражающее ток 109
52 сетка вызвала утечку источника и утечку сетки
Утечка 110
521BSIM-CMG CAVAL вызвала утечку слива
Утечка/сетка вызвала исходную полюсной полюс формулы 112
53 Туннель полярного окисления полярного полярного окисления через 113
Галерея кислород в 531bsim-cmg
Гилированный туннельный пирсинг формула 113
532 в исчерпывающей области и отражающей зоне
Туннельный пропуск галереи Туннель Ток 114
533 Туннель галереи
Носить ток 115
534 Туннель галереи-диггера в отражателе
Пирс ток 117
53 栅 5 галерея-источник/полностью туннельный проход 118
54 Collision Electrical 9 119
Ссылки 120
Глава 6 Зарядка, емкость и нестатическая статическая
Эффект 121
61 Терминальный заряд 121
61 栅 1 заряд сетки 121
61 漏 2 Обеспеченное заряд 123
61 源 3 исходного полюса заряда 124
62 Cross -Joint 124
63 Модель 126 не -квази -статический эффект 126
63 弛 1 Время релаксации Приблизительно модель 126
63 沟 2 -индуцированная сетка Тунан
Модель 128
633 модель сегмента заряда 128
Ссылки 132
Глава 7 Паразитарное сопротивление и емкость 133
71FINFET Структура и символ устройства
Определение 134
72FINFET связан с геометрическим размером
Источник/директор модель строительства 137
721 Контактное сопротивление 137
72 扩 2 диффузионная сопротивление 139
72 扩 3 Утилизация удлинения 142
73 Проверка модели паразитического сопротивления 143
731TCAD Настройки моделирования 144
73 器 2 Оптимизация устройства 145
73 源 3 Источник/Fulia Extract 146
73 讨 4 Обсуждение 150
74 Применение модели паразитического сопротивления рассмотрим 151
741 Физические параметры 152
742 Компонент сопротивления 152
75 Модель сопротивления полюса 153
76FINFET Паразитарный конденсатор модель 153
76 寄 1 компонент паразитной емкости
Контакт 153
762 Переваривание двухмерных краев -конденсаторов 154
77 Finfet Edge емкость в трехмерной структуре
Моделирование: CGEOMOD = 2160
78 Проверка модели паразитического конденсатора 161
79 Резюме 165
Ссылка 166
Глава 8 Шум 168
81 Обзор 168
82 тепловой шум 168
83 Flash Noise 170
84 Другие компоненты шума 173
85 Резюме 174
Ссылки 174
Глава 9 Jiexi Tube I-V и C-V
Модель 175
91 Модель джиекси -диода 176
911 Модель обратного преимущества 179
92 Зарядка диода/конденсатор модель 181
921 Обратная модель 182
922 Модель популярности 183
Ссылки 186
ГЛАВА 10 Цель компактной модели
Тест 187
101 Принципы выпускника ближе 187
102 тест. 188
1021 Физика слабых областей анти -типа и сильных анти -антиповых областей
Поведенческая проверка 188
1022 тест на симметрию 191
1023 Взаимосвязь конденсаторов в компактных моделях
Тест 194
1024
1025 Тест модели теплового шума 196
Ссылки 196
Глава 11 Параметры модели BSIM-CMG
Выдержка 197
111 Фон извлечения параметров 197
112BSIM-CMG Извлечение параметров модели
Стратегия 198
113 Резюме 206
Ссылки 206
Глава 12 Характер температуры 208
121 полупроводниковые характеристики 208
12 11 полоса содержит 208
1212nc, VBI и VBI иΦB температура
Особенности 209
1213 температура концентрации потока нагрузки
Особенности 209
122 Температурные характеристики порогового напряжения 209 209
122 漏 1 Температура снижения потенциального барьера
Особенности 210
1222 Характеристики температуры эффекта тела 210
122 亚 3 подтероговая ширина свинга 210
123 Свойства температуры миграции 210
124 Характеристики температуры насыщения скорости 211
1241 Температура не насыщенного эффекта
Особенности 211
125 Температурные характеристики тока утечки 212
125 栅 1 ток полюса сетки 212
125 栅 2 Ситтробация/Утечка источника 212
125 碰 3 Электрическая ионизация столкновения 212
126.
Особенности 212
127 Источник/Прекрасная трубка Diopya 213
1271 Модель постоянного тока 213
1272 емкость 215
1273 Вспомогательный проход вспомогательного туннеля.
128.
129 Диапазон проверки 218
1210 Проверка модели модели 218
Ссылки 220
Приложение 221
Приложение Список параметров 221
A1 Модельный контроллер 221
ANEVER PARATERS 222
A3 Параметр процесса 223
A4 Базовый параметр 224
A5 Геометрические паразиты 235
А.6 температурная корреляция и параметры самостоятельного выживания 236
A -7 переменная параметр 238