В -глубиневое понимание микроэлектронической конструкции схемы Электронная компонентная компонента Цифровой схемы
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
|
|
|
E3  
Этот набор книг разделен на следующие книги. Если вам нужно купить одну книгу, нажмите на ссылку ниже
В -depth Infact of Microelectronic Cux Design Электронная компонента Цифровой схемы 
Процесс гравировки света вблизи предела дифракции 
Название: в -depth
Автор: [США] Ричард&Middot;&Middot;
Цена: 198,00 Юань
Время печати: 1-1
ISBN: 9787302546948
Пресса: издательство Tsinghua University Press
Эта книга систематически обсуждает базовые знания и применения микроэлектроники. Технология электронного дизайна, аналоговых цепей и цифровых цепей, а также отдельные схемы и отдельные схемы полностью понятны.В разделе твердотельной электроники и устройства в основном представлены основные принципы электронных наук и основание электронной науки такие как анализ LUO.В части цифровой схемы автор фокусируется на основных концепциях логических цепей и подробно объясняется о NMO, CMOS, схемах хранения MOS и биполярных логических цепях.Аналоговая схема начинается с основной концепции усилителя.Благодаря изучению этой книги читатели могут полностью понять концепции и знания, связанные с микроэлектронией, и могут изучить соответствующие методы анализа схемы и разработки схемы.
Эта книга может использоваться в качестве профессионального учебника или справочника в качестве бакалавриата или аспиранта в области электронной информации, электрических специальностей или в качестве справочника. Она также может использоваться в качестве справочного материала для технического и технического персонала, занимаясь твердым электроникой и Устройства, цифровые схемы и моделирование.
Часть
Твердое электронное и устройство
1 глава
Введение в электронную
1.1 Краткая история электронного развития
1.2 Классификация сигналов телекоммуникаций
……
читать
1.6 Спектр телекоммуникационных сигналов
1.7 Усилитель
1.8 Изменения параметров компонентов в конструкции схемы
1.9 Численная точность
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
2 главы
Твердый электронный
2.1 Электронный материал с твердым состоянием
2.2 Модель ковалентного ключа
……
2.9 Общий ток
2.10 CAN с моделью
2.11 Интегрированная схема производства
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Пополнение
упражнение
Глава 3
Твердый диод и диодную схему
3,1 пл. Диод узла
3.1.1pn код статический электричество
3.1.2 Внутренний ток диода
3.2 I 性 v Особенности диода
3.3 Уравнение диода: математическая модель диода
3.4 Обратный, нулевой смещение и положительное смещение характеристик диода
……
3.15 Все -волновое мост -тип исправление
3.16 Сравнение выпрямления и складывания дизайна
3.17 Поведение динамического переключателя диода
3.18 Оптический диод, солнечная батарея и излучающий диод
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
Глава 4
Полевой эффект кристаллическая трубка
4,1 МОС емкости характеристики
4.2nmos транзистор
4.3 PMOS Транзисторная трубка
4.4mosfet Символ схемы
4,5 мос транзисторная емкость
4,6 -серия моделирования MOSFET
4,7 моса кристаллическая трубка равна увеличения доли
4.8MOS Процесс производства транзистора и правила проектирования макета
4.9NMOS Полевой эффект смещения трубки трубки
4.10pmos Полевые эффекты транзистора транзистора
…
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 5
Биполярный транзистор
5.1 Физическая структура биполярного транзистора
5.2NPN Модель передачи
5.3PNP Транзисторная трубка
…
5.12. Допустимость цепи смещения
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Две части
Цифровые схемы
Глава 6
Цифровое введение
6.1 Идеальная логическая дверь
……
6.4 Обзор логического номера
6.5NMOS Логический дизайн
6.6 Схема альтернативной нагрузки кристаллической трубки
…
6.7NMOS Антифазное резюме и сравнение
6.8 Влияние скорости насыщения на статическую конструкцию
6.9nmos и не -тур
6.10 Сложный дизайн логики NMOS
6.11 Потребление мощности
6,12 мос динамические характеристики логики дверей
6.13pmos логика
6.13.1PMOS антифазное устройство
6.13.2
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Пополнение
упражнение
Глава 7
Конструкция логической схемы CMOS
7.1cmos антифазное устройство
7.2 Статические характеристики антифазного устройства
……
7.9CMOS Дверь передачи
7.10 двойная схема
7.11cmos 效 эффект блокировки
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
Глава 8
Память MOS и ее схема
8.1 Мюмовая память о случайном доступе (ОЗУ)
……
8.5 Адрес декодер
8.6 Память чтения (ПЗУ)
8.7 Флэш -память
8.7.1 Технология плавающей сетки
8.7.2NOR Реализация цепи
8.7.3nand Реализация цепи
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 9
Логическая схема двойного типа
9.1 Ток
……
9.5ecl или 门 или не -тур
9.6 Стреляющий последователь шеста
……
9.14 Schottky Clamp Ttl
9.15ECL и TTL энергопотребление Сравнение задержки
9.16BICMOS Логика
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Пополнение
упражнение
третья часть
Аналоговая схема
Глава 10
Система моделирования и идеальный вычислительный усилитель
10.1 Пример аналоговой электронной системы
10.2 Эффект усиления
10.3 Две -порт -модель усилителя
10.4 Потеря источника и сопротивления нагрузки
10.5 Введение в оперативный усилитель
10.6 Искажение усилителя
10.7 Модель дифференциального усилителя
…
10.10 Частотные характеристики усилителя обратной связи
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Пополнение
упражнение
Глава 11
Стабильность нелинейного оперативного усилителя и усилителя обратной связи
11.1 Классическая система обратной связи
…
11.9 Используйте метод непрерывного напряжения и впрыска тока для расчета усиления цепи
11.10 Используйте обратную связь, чтобы уменьшить искажение
…
11.13 Частотная характеристика и полоса пропускания усилителя операции
11.14 Отзыв о стабильности усилителя
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 12
Вычислительное усилитель приложение
12.1.
12.2 Усилитель инструмента
12.3 Партнед
12.4 Схема конденсатора переключения
12,5 Номер/преобразование плесени
12.6 Модель/преобразование номеров
12.7 Осциллятор
12.8 Применение нелинейных схем
12.9 Схема положительной обратной связи
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 13
Моделирование небольшого сигнала и линейное усиление
13.1 Усилитель хрустальной трубки
13.2 Связанные конденсаторы и обходные конденсаторы
…
13.4 Введение в модель небольшого сигнала
13.5 Небольшая сигнальная модель биполярных транзисторов
13.6 вместе
…
13.11 маленький узел
13.12 Мощность усилителя и диапазон сигналов
Резюме
Ключевые слова
упражнение
Глава 14
Монохромный усилитель
…
14.5 Обзор прототипа усилителя и сравнение
14.6 Общий источник усилителя антифазного устройства MOS
14.7 Конструкция связывания и обходной емкости
14.8 Пример
14.9 Многоуровневая соединительная связь с большим размером
Резюме
Ключевые слова
Расширенное чтение
упражнение
Глава 15
Дифференциальный усилитель и проектирование операционного усилителя
15.1 Дифференциальный усилитель
15.2 Эволюция основного оперативного усилителя
15.3 Уровень вывода
15.4 Источник электронного тока
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Пополнение
упражнение
Глава 16
Технология разработки интегрированной схемы моделирования
16.1 Сопоставление компонентов цепи
16.2 Текущее зеркало
16.3 зеркало тока сопротивления с высоким уровнем устойчивости
…
16.9Μ
16.10 Гильберт Мультипликатор моделирования
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 17
Частотная реакция усилителя
17.1 Частотная характеристика усилителя
…
17.4 Модель транзистора с высокой частотой
17.5 смешаноΠ
…
17.11 РЧ -схема введение
17.12 смеситель и сбалансированный модулятор
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 18
Усилитель обратной связи с кристаллом и генератор
18.1 Обзор базовой системы обратной связи
18.2 Промежуточный частотный анализ усилителя обратной связи
18.3 Пример схемы усилителя обратной связи
усилитель
18.4 Обзор стабильности усилителя обратной связи
18.5.
18,6 высокого частота осциллятора
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Приложение
Приложение стандартные параметры дискретных компонентов
Приложение B Solid -State Model и параметр моделирования специй
Приложение C Двухнологичный обзор сети
 
Автор: Wu Qiang и т. Д.
Цена: 168,00 Юань
Время печати: 1-1
ISBN: 9787302537427
Дата публикации: 2020.02.01
Дата печати: 2020.01.08
Пресса: издательство Tsinghua University Press
Чтобы справиться с ситуацией моей страны в области интегрированных цепей, особенно в области оптических резьб, он серьезно отстает в развитых странах. Импорт.
Человек несет ответственность за помощь в разработке и разработке промышленных сетей, таких как оптическое оборудование, материалы и программное обеспечение, а также сборник исследований и разработок в течение почти 20 лет
Заполните исследования и разработки и производство интегрированных схем чипсов моей страны, исследования и разработки оборудования, материалов и программного обеспечения, а также науки
Мост для технических исследований и обучения талантов.
Эта книга основана на процессе оптической резьбы и органично вычисляет теоретический расчет литографического оборудования, литографических материалов, литографических визуализации и различных идей моделирования в фоторезистском процессе
Связь с выводом, требованиями технического развития для производства чипов и требованиями различных параметров процесса PhotoColi, предоставляя читателям общую картину
сцена.«Световые ремесла вблизи Ян» доступны для исследователей из научных исследовательских институтов в области оптических технологий, учителей и студентов колледжей и университетов, инженерного и технического персонала интегрированных окружных заводов
Ссылаться на.
1 Глава световой гравировки Техническое введение
1.1 Краткая история интегрированной схемы
1.2 Краткая история развития интегрированной трассы в моей стране (1958—
1.3 Краткая история развития линз изображений и последних достижений цифровой камеры моей страны
1.4 Краткая история развития легких резных машин и краткой истории развития оптических машин в моей стране
1.5 Краткая история и последний прогресс в развитии легкого клея в моей стране
1.6 Разработка другого оборудования, используемого в легкой резьбе и развитии нашей страны
1.7 Разработка моделирования вычислений оптического вырезанного процесса включает в себя разработку коррекции оптического смежного эффекта
1.8 Разработка экстремальных ультрафиолетовых огней и направляющая самооценка.
Заключение
Цитирование
2 ГЛАВА СВЕДЕНИЯ
2.1 Общая техническая точка легочной резьбы
2.2 Процесс процесса оптической резьбы
2.2.1 Шаг: газовая кремниевая поверхность предварительной обработки
2.2.2 Два шага: вращающийся световый клей, антирефлексивный слой
2.2.3 Три шага: выпечка перед экспозицией
2.2.4 Четыре шага: прицеливание и экспозиция
2.2.5 Пять шагов: выпечка после воздействия
2.2.6 Шесть шагов: читатель и полоскание
2.2.7 Шаг: выпечка после показа, выпечка
2.2.8 восемь шагов: измерение
2.3 Оборудование, используемое литографическим процессом
2.3.1 Оптическая машина
2.3.2 Глиппер 影 影 2 2 2
2.4 Материалы, используемые в фотоколических процессах: литографический клей, антирефлексивный слой, наполнительный материал
2.5 Набор методов создания литографического процесса, включая определение различной толщины мембраны, условия освещения, окна процесса и т. Д.
Мыслительные вопросы
Цитирование
3 Глава оптические принципы визуализации и разрешение
3.1 Принцип оптической визуализации
3.2 Определение разрешения: суждение Руили, полная ширина полумерия
3.3 Теория визуализации частично связанного света: часть когерентности в условиях освещения
3.4 Структура и функция системы оптического освещения: метод освещения Kohler
3.5 Трансформация Оптической визуализации Фурье
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 4
4.1.
4.1.1 Оптический клей
4.1.2 Досемиляция
4.1.3 Производительный процесс литографического клея
4.1.4 Анти -рефлекторный слой
4.1.5 Прямой раствор и чистящий раствор
4.1.6 Агент погружения и агент по удалению
4.2 Отрицательный литографический клей (принцип фотосистской клейкой смолы, отрицательный тип фотореорезиции, химия сцепления)
4.2.1 Принцип
4.2.2 Отрицательный тип литографии
4.3 Не -химический усилитель положительный светлой——
4.3.1 Не -химический усилитель положительный фотореорезитный клей——
Литография
4.3.2 Основной компонент фотореорезовой системы типа фенольной смолы с тяжелой азотной фенольной смолой
4.4 Химические увеличенные положительные резьбы света——
4.4.1 Спрос на более короткую длину волны Deep Ultraviolet Light Careving Glue
4.4.2 Принцип химического расширения
4.4.3.
4.4.4 193 нм литографический клей, в основном полимельный акрилат
4.4.5193nm -легкий свет.
4.4.6. Создайте отрицательный дисплей теневого света.
4.5 Extreme UV Light Carbing Glue
4.5.1 Клей на основе не -химического увеличения света на основе эффекта разбитой цепи
4.5.2 Политекохимическое химическое масштабирование в легком клей.
4.5.3. Создайте экстремальные химические велосипеды
4.5.4 Отрицательные органические малые молекулярные молекулы
4.5.5. Создание органического маленького молекуляризованного фотоессора
4.5.6 Новая литография на основе неорганических объектов
4.6 Разрешение фоторазового клея Грорость края линии Ограничение чувствительности чувствительности воздействия
4.7 Обзор радиационной химии и оптической химии
4.7.1 Эффект радиации
4.7.2. Комплекс возбужденного состояния
4.7.3 Перенос энергии
4.7.4 Спектральное увеличение
4.7.5 Оптическая химия и радиационная химия
4.7.6 Радиционный химический квантовый выход
4.7.7 чувствительность радиационного воздействия
4.7.8 Механизм взаимодействия между радиацией и фоторезистскими материалами
4.8 Описание Основные параметры физических характеристик оптического клея
4.8.1 DIR PARAMATER
4.8.2 Длина диффузии фотоислоки и коэффициент
4.8.3 Сравнение растворимости в светопоглощенном клеве, показывающем жидкость
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 5 анти -рефлектор
5.1 антирефлексивный слой и контроль отражательной способности
5.2 антирефлексивный тип слоя
5.2.1 Верхний антирефлексивный слой
5.2.2 нижний анти -рефлекторный слой
5.3 Сравнение органического и неорганического нижнего антирефлекционного слоя
5.4 нижняя часть нижнего антирефлексивного слоя Светлое
5.5 Кремниевый антирефлятный слой, содержащий кремний
5.6 Для нижнего сенсационного слоя чрезвычайно ультрафиолетового света
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 6
6.1 Введение
6.2 Принципы развития объектива визуализации
6.2.1.
6.2.23 Фильм 3 Наборы визуализации и аберрации Кирка Кирка
6.2.34 Фильм 3 Группы визуализации и аберрации Тянзай
6.2.46 Пленка 4 -Set Double Gaussian Lens Imaging и Анализ аберрации
6.3 Типы и представления симуляции
6.3.1 Разница в шариках, кометы, рассеянные, поле, искажение, разница в осевых цветах, горизонтальная разность цвета
6.3.2 Принцип оценки навыков: 6 фрагментов из 4 наборов анализа исполнителей линз
6.4 Qi Ming Dot и Zero Difference Divice
6.5 Введение в объектив больших численных пор
6.5.1 Zeiss 0,93NA, 193 нм глубокомултравиолетовой проекции изображения изображения и анализа аберрации, структурный анализ
6.5.2 Zeiss 1,35NA, 193 нм, погружение в водную воду, не складывающее анти -дип ультрафиолетового проекционного изображения изображение и анализ аберрации,
Структурный анализ
6.5.3 Zeiss 0,33NA, 6 штук и 6 групп по 13,5 нм чрезвычайно ультрафиолетовые проекты полного размышления и визуализации
Анализ упрощения, структурный анализ
6.5.4 больше численного диаметра пор полярное ультрафиолетовое зеркало
6.5.5 Краткое развитие и последнее развитие зеркала легкого проектора в моей стране
6.6 Введение на мобильную платформу световой вырезанной машины
6.6.1 Функция, структура и основные компоненты систем мобильных платформ, мобильных платформ
6.6.2 Калибровка трехмерного пространственного местоположения мобильной платформы
6.6.3 Введение в систему измерения и управления системой измерения и управления решеткой с двумя измерительными измерителями ASMAI
6.6.4 Последние достижения, разработанные моей страной на мобильной платформе легкой резьбы
6.6.5 Цель и тон кремниевой пластины в литографической машине (метод двойной мастерской Astai, серия Nikon
Метод заготовки)
6.6.6 Metale из стойки моделирования
6.6.7 Высокая компенсация выравнивания для платформы кремниевой пластины
6.6.8 Установите температурную компенсацию кремниевой таблицы кремниевой таблицы погруженной литографической машины и локального напряжения, вызванного адсорбцией кремниевой пластины
Отклонение компенсации
6.6.9 Компенсация коэффициента искажений K18 нагретого моделью
6.6.10 Способ фокального расстояния и рассеянной компенсации нагретой линзы
6.6.11 Метод расчета производственных мощностей Введение Метод Введение Метод Введение
6.6.12 Некоторые датчики в оптическом карвиге
Датчик, помехи и т. Д.)
6.7 Структура системы освещения и функция оптической резьбы
6.7.1 Система освещения для фиксированной апертуры, системы освещения с переменным освещением (масштаб Acemai может быть увеличенным
Дополнительное конусное зеркало)
6.7.2 Не -судоходство, однородность и стабильность освещения света
6.7.3 Система поляризованного освещения
6.7.4 Пользовательская система освещения (Flexray of Astma)
6.8 Использование и обслуживание световой вырезанной машины
6.8.1 Обычные элементы проверки оптической гравированной машины (калибровка фокусного расстояния, калибровка установки, калибровка системы освещения,
Балки)
6.8.2 Сопоставление множества резьбы с несколькими световыми резьбами (стандарты)
6.8.3 Сопоставление освещения нескольких резьб для света
6.8.4 Сопоставление фокусного расстояния нескольких резьбных резьб
6.8.5 Функция базового обслуживания световой резьбы Astri Light
6.9 Функция удлинения световой вырезанной машины
6.9.1 Компенсация за единообразие воздействия
6.9.2 Компенсация за распределение гравюры
6.9.3 Оптическая резьба Astri на основе точного выравнивания датчиков давления воздуха
6.9.4 Специальная обработка края кремниевой сетки
6.9.5 Специальная обработка края кремниевой пленки
6.10193NM Характеристики резьбы погружения света
6.10.1 водонепроницаемые наклейки
6.10.2 Погружение без головы (капюшон)
6.1113.5 нм. Характеристики чрезвычайно ультрафиолетового выреза
6.11.1 Источник лазерного возбуждения плазменного света
6.11.2 Система освещения, индивидуальная система освещения
6.11.3 Модели полного отражения и проекционные зеркала
6.11.4 Проективное зеркало дизайн диафрагмы высокого значения: x -направление и y направление гермонарной скорости разные
Материальное зеркало
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 7 Tu jiao 焙 Выпекание 7 7 7 ： ： ： ： ： ： ： 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7
7.1 Основные компоненты железнодорожной машины (клейкая машина, горячая пластина, камера дисплея) и функция
7.1.1 Подсистема труб
7.1.2 Система тепловой платы
7.1.3 отображать систему OBTO
7.2 Тип контейнера (Nowpak и стеклянная бутылка), конвейерная труба и конвейерный насос
7.3 Устройство промывки после разработки (усовершенствованные дефекты, содержащие азотные форсунки, удаляют оборудование для промывки АДР)
7.4 Различные фильтры, используемые в оборудовании легкой резьбы
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 8 Измерительное оборудование из световой резьбы
8.1 Сканирование ширины линии
8.2 Программа измерения электронного микроскопа ширины линии и метод измерения
8.3 Расчет и регулировка широкого сканирования электронного микроскопа с широким сканированием
8.4
8.5 Установите программу измерения и метод измерения микроскопа
8.6 Метод ошибки и устранения введения оборудования для микроскопа и его метода устранения
8.7 Принципы обнаружения гравировки на основе дифракции
8.8 Дизайн установленного знака красоты
8.9 Принцип широкого измерения оптических линий
8.10 Принцип оборудования для инспекции погибших
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 9
9.1 Типы световой модели
9.2 Производство легких масок
9.2.1 Обработка данных модели с покрытием
9.2.2 Экспозиция модели с покрытием травление
9.2.3 Обнаружение ширины модели, гравировки и дефекта
9.2.4 Ремонт модели модели
9.3 Проблемы в производственном процессе легкой маски
9.3.1. Сторонний метод воздействия и компенсации воздействия электронного пакета модели
9.3.2 Другие проблемы воздействия электронного луча (атомизация, легкий клей, тепло и т. Д.)
9.4 Справочные требования к легкой однородности линии световой маски в разных технических узлах
9.4.1 Требования к ширине и однородности модели каждого технического узла
9.4.2 Измеренная графическая тип ширины линии
9.5 Другая информация о производственном и обнаруженном оборудовании световых масок
9.5.1 Электронный пучок различные методы сканирования и его преимущества и недостатки введение
9.5.2 Электронное оружие, используемое электронным выдержением луча
9.5.3. Введение и последний прогресс мультиэлектронного луча
Мыслительные вопросы
Цитирование
ГЛАВА 10 ПАРАМЕТРЫ СОЗДАНИЯ СРЕДА И РАЗДЕЛ
10.1. Экспозиция адекватности энергии, обратное изображение световое световое
10.2 Глубина фокуса
10.3 Коэффициент ошибки модели
10.4.
10.5 Оптический клей внешний вид
Мыслительные вопросы
Цитирование
11. Моделирование процесса гравировки света
11.1 Алгоритм рефлексивного моделирования
11.2 Алгоритм сравнения алгоритма
11.2.1 Алгоритм моделирования системы Афины и алгоритм моделирования системы Nikon FIA
11.2.2 Сравнение двух алгоритмов и экспериментов
11.3 Параметры моделирования изображения пространства световой резьбы.
11.4 ОДИН -Алгоритм моделирования аббатства
11,5 Двухмерный алгоритм моделирования Аббера
11.6 Алгоритм пространственного изображения на основе перекрестного перекрестного перехода
11.7 Рассмотрим вектор
11.8 Вычисление поляризации
11.9 Расчет
11.10 Джонс Матрица
11.11 Алгоритм домена времени конечный элемент
11.11.1 Коррекция функции маски, вызванной трехмерным рассеянием формы
11.11.2 Maxwell Formula Group
11.11.3 YYEE CLEARS
11.11.4 Maxwell Formula Group Discrete
11.11.5 Второе -граничное условие поглощения заказа
11.11.6 Полностью соответствующие граничные условия слоя
11.11.7 Металлическая диэлектрическая постоянная, чтобы избежать дивергенции
11.11.8 Эффект трехмерного рассеяния модели крышки: одна -одномерные линии/канавки
11.11.9 Влияние трехмерного рассеяния модели крышки: двухмерная линейная концом/проходное отверстие
11.12 Алгоритм строгой волны связывания
11.13 Источник света 模 Оптимизация соединения маски
11.13.1 Влияние различных условий освещения зрачка на моделирование модели
11.13.2 Источник света перекрестной графики Пример оптимизации соединения при покрытии формы
11.14 Модель демонстрации световой демонстрации клей
11.14.1 Пороговая модель общих фотохимических химических реакций жевательной резинки химических реакций
11.14.2 Улучшенная модель интегрированного параметра
11.14.3 Список эквивалентной диффузионной длины фоторезистской адгезивной кислоты на разных технических узлах
11.14.4 модели функции негативного теневого света -engragrav
11.14.5 Физическая модель теневого света клей
11.15 Алгоритм моделирования гравировки подсветки
11.15.1 Идея резьбы подсветки
11.15.2 Основной алгоритм резьбы подсветки
11.15.3 Основные проблемы, с которыми сталкиваются резьба подсветки
11.16 Другие алгоритмы моделирования
Мыслительные вопросы
Цитирование
12 глав оптического соседнего коррекции эффекта
12.1 Оптический смежный эффект
12.1.1 Модуляция и трансферная функция
12.1.2 Запрещенный цикл
12.1.3 Анализ иконы оптических смежных эффектов (одна -линия/канавка)
12.1.4. Влияние освещения из угла оси и диффузионной длины фотографий на соседний эффект
12.1.5 Оптические соседние эффекты онлайн -конца -END End, Line -end Структура горизонтальной линии
12.2 Дальнейшее обсуждение оптических соседних эффектов: плотная графика и изолированная графика
12.3 Результаты расчета теории и моделирования связанной длины
12.4 Методы простых оптических соседних эффектов на основе правил
12.5 Модель оптическая соседняя соседняя коррекция эффекта Статуя пространства Статуя пространства Упрощение расчета
12.5.1 Кобб коэффициента скрещивания передачи TCC
12.5.2 Странное значение Ямазои разложения коэффициента скрещивания передачи TCC TCC
12.5.3 Коэффициент передачи, содержащий векторную информацию
12.5.4. Многосторонняя графика для покрытия шаблонов на основе разложения края
12.5.5 Региональный метод разложения (метод DDM) расчета трехмерного эффекта (метод DDM)
12.6 Оптическое соседнее соседняя коррекция эффекта на основе модели: моделирование
12.6.1 Математическое выражение и важные параметры модели
12.6.2 Графический тип, используемый при моделировании
12.6.3 Аналогично моделированию OPC передней линии логической схемы передней части кондитерской схемы 20 нм
12.6.4 Характеристики моделирования OPC, аналогичные средним и задним отверстиям 20 -нм логической цепи
12.6.5 Характеристики моделирования OPC, аналогичные слою задней канавки 20 -нм логической цепи
12.7 Оптическая соседняя поправка на основе модели: программа коррекции
12.8 Добавлена вспомогательная графика в оптических соседних эффектах
12.8.1.
12.8.2. Добавление на основе модели
12.9 Оптическая соседняя поправка на основе модели: анализ слабых точек и удаление
12.9.1 Анализ и решение слабостей: Пример 1 (поиск и восстановление проблем ширины линии)
12.9.2 Анализ и решение слабостей: Пример 2 (поиск и восстановление проблем ширины линии)
Мыслительные вопросы
Цитирование
ГЛАВА 13 СРЕДИ
13.1 Фон вырезанного процесса погружения света
13.2 Характеристики проекционных зеркал, используемые в резьбе погружения света
13.3 Увеличение разрешения погружного фотохимического процесса
13.4 Окно процесса процесса погружения фотохимического процесса
13.5.
13.5.1 Двойная таблица
13.5.2 Кремниевая пленка платформа измерения и управления платой платы плоскости.
13.5.3 Система выравнивания источника ультрафиолетового света
13.5.4 Pixel Custom Lighting System (гибкая система освещения)
13.6 Оптический клей для фотохимического процесса погружения
13.6.1 Начальное верхнее водяное покрытие
13.6.2 Self -разделенная литография жевательная резинка
13.6.3.
13.7 Оптическая мембранная структура погружения фотохимического процесса
13.8 Дефекты, уникальные для погружного фотохимического процесса
13.9
13.10 Технология вспомогательного процесса погружного света -оборота
13.10.1 Использование нескольких технологий визуализации
13.10.2 Негативная теневая технология
13.11 Установление
13.11.1 Общий процесс, разработанный литографическим процессом
13.11.2 Исследование и подтверждение правил целевого проектирования
13.11.3 На основе правил проектирования, выбора начальных источников света и типа скрытия шаблона с помощью симуляции
13.11.4 Выбор световых материалов
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава 14 Дефект процесса гравировки света
14.1 Дефект процесса роторного покрытия
14.1.1 Связанные дефекты процесса обработки поверхностной гидрофобной обработки.
14.1.2. Дефект вращения сгенерированного света.
14.1.3 Дефекты, связанные с процессом промывки
14.2 Дефекты процесса отображения
14.2.1 Влияние материальных характеристик на дефект внешнего вида
14.2.2 Влияние характеристик аппаратного характеристик модуля разработки на дефект тени
14.2.3 Связь между характеристиками и дефектами процесса очистки
14.3 Другие типы дефектов (передний слой и окружающая среда и т. Д.)
14.3.1 Химическое увеличение света и клея&Ldquo; отравление” явление
14.3.2 не -химический увеличенный световой клей&Ldquo; отравление” явление
14.4 Нежить световой роскошной дефект процесса
14.4.1 Самая ранняя запатентованная структура схема погружений в свет.
14.4.2.
14.4.3 Удалите метод погружения без дефектов над светом