8065991 | Подлинная бесплатная доставка Принципы электронных цепей (оригинальное 8 -е издание) Промышленные технологии Электронная технология Электронная цепь цепь цепь схемы.
Цена: 1 997руб. (¥94.5)
Артикул: 610069633415
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:北京华章图书旗舰店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 30 18.99402руб.
¥1212 557руб.
¥46.9991руб.
¥18.7396руб.
Эта книга представляет собой классический учебник, который был пересмотрен много раз. 8 -е издание уделяет больше внимания новым электронным устройствам и моделированию и подчеркивает современные технологии интегрированной цепь и технологии моделирования программного обеспечения.Начиная с полупроводниковых устройств, эта книга вводит основные концепции, составляющие, методы анализа, фактические устройства и прикладные схемы электронной схемы, а затем используйте эти знания для анализа наиболее широко используемых устройств и цепей в отрасли сегодня и используйте практические Неправильное обучение диагноза неудачи проходит через книгу.
 |
 |
| Книга Имя: | Принцип электронной цепи (оригинальная книга 8 издание) |
| Цена книги: | 139 Юань |
| делать К: | [США] Альберт·Альберт Малвино Дэвид·Дэвид Бейтс |
| из Версия общество: | Машиностроительная промышленность Пресса |
| Дата публикации: | 2019-12-09 |
| ISBN Число: | 9787111632566 |
| открыть Бен: | 16 |
| Страница число: | 748 |
| Версия Время: | 1-1 |
 |
| [США] Альберт·Альберт Малвино Дэвид·Дэвид Бейтс: Альберт·Альберт Малвино получил степень магистра в области электротехники и докторскую степень в области электрической техники в Стэнфордском университете в 1964 и 1970 годах соответственно.Бывшие электронные специалисты ВМС США, электронные инженеры HP и учителя Футбольной академии Mountain F в настоящее время занимаются разработкой и разработкой программного обеспечения для разработки программного обеспечения и образовательного программного обеспечения Micro -Control.10 учебников, которые он составил, были переведены на 20 языков и более 108 версий. Дэйвид·Дэвид Бейтс Частичный лектор Департамента электронных технологий, West Wisconson Technology.Нынешний квалификационный администратор Международной ассоциации по сертификации электронных техников (ISCET), член Совета и эксперт по дисциплине (SME) базовой электроники National United Electronic Education (NCEE). |
 |
| Эта книга представляет собой классический учебник, который был пересмотрен много раз. 8 -е издание уделяет больше внимания новым электронным устройствам и моделированию и подчеркивает современные технологии интегрированной цепь и технологии моделирования программного обеспечения.Начиная с полупроводниковых устройств, эта книга вводит основные концепции, составляющие, методы анализа, фактические устройства и прикладные схемы электронной схемы, а затем используйте эти знания для анализа наиболее широко используемых устройств и цепей в отрасли сегодня и используйте практические Неправильное обучение диагноза неудачи проходит через книгу. |
 |
Издатель Переводчик Предисловие Благодарности об авторе Глава 1 Введение 1 1.1 Три типа формулы 1 1.2 Приблизительно 3 1.3 Источник напряжения 4 1.4 Источник тока 6 1.5 Дэвид Юг Теорема 8 1.6 Нортон Теорема 10 1.7 Диагностика неисправностей 13 Резюме 14 Упражнение 16 Глава 2 Полупроводник 19 2.1 Проводник 19 2.2 Полупроводник 20 2.3 Силиконовый кристалл 21 2.4 Полупроводник 23 2,5 два тока 24 2.6 Допинг полупроводников 24 2.7 два не -подписанных полупроводника 25 2.8 Unde -Sed Diode 26 2,9 положительного смещения 27 2.10 Обратный смещение 27 2,11 скорость 29 2.12 Энергетический уровень 30 2.13 Кровь и температура 31 2.14 Антипартийный диод 32 Резюме 33 Упражнение 36 Глава 3 Принципы диодов 38 3.1 Основная концепция 38 3.2 Идеальные диоды 41 3,3 второй -примерный приказ 42 3.4 Третий -заказ приблизительно 43 3.5 Диагностика неисправностей 45 3.6 Руководство по чтению данных 46 3.7 Расчет сопротивления тела 49 3.8 Устойчивость к DC диодов 50 3.9 Линия загрузки 50 3.10 Diode Piection 51 3.11 Введение в электронную систему 52 Резюме 53 Упражнение 55 Глава 4 Диодная цепь 58 4.1 Half -Wave выпрямитель 59 4.2 Трансформатор 62 4.3 Full -Wave выпрямитель 63 4.4 мостовой выпрямитель 66 4.5 Входной фильтр кольца 68 4.6 Входной фильтр конденсатора 70 4.7 Пиковое обратное напряжение и ток волны 75 4.8 Другие знания о источнике питания 76 4.9 Диагностика неисправностей 79 4.10 Big Burigrator и Limator 81 4.11 Зажимное устройство 84 4.12 Множитель напряжения 86 Резюме 88 Упражнение 91 Глава 5 Специальное использование диод 95 5.1 Zina Diode 95 5.2 Zina Stabilizer 98 с нагрузкой 98 5.3 Второй порядок диода QINA аналогичен 101 5.4 Цина точка сбоя 104 5.5 Руководство по чтению данных 105 5.6 Диагностика неисправностей 108 5.7 Линия загрузки 110 5.8 Everbright Diode 111 5.9 Другие оптоэлектрические компьютеры 116 5.10 Schottky Diode 118 5.11 Диод 120 5.12 Другие типы диодов 122 Резюме 125 Упражнение 128 Глава 6 Двусторонняя кристаллическая труба Базовая 131 6.1 Нет предвзятого транзистора 132 6.2 кредитный транзистор 133 6.3 Crystal Tube Cury 134 6.4 Общая конфигурация полюса эмиссии 135 6.5 Базовая диаграмма 137 Эпизод 6.6 Электрические свойства 137 6.7 Применение кристаллической трубки 141 6.8 Руководство по чтению данных 144 6.9 Кристаллическая труба поверхностной пасты 148 6.10 Изменения в текущем усилении 149 6.11 Линия загрузки 150 6.12 Рабочая точка 154 6.13 Насыщенное распознавание 156 6.14 Переключатель кристаллической трубы 158 6.15 Диагностика неисправностей 159 Резюме 162 Упражнение 166 Глава 7 Biasfish 169 7.1 Запустить Extreme Bias 169 7.2 Светодиодный водитель 172 7.3 Диагностика сбоя передачи полярного смещения схема 174 7.4 Оптическое устройство 175 7.5 Устройство давления подразделения 178 7.6 Точный анализ VDB -схемы 180 7.7 Линия нагрузки и точка Q 182 схемы VDB 182 7.8. 7.9 Другие виды смещения 187 7.10 Диагностика сбоя цепи смещения сепаратора 189 7.11 ПНП -тип транзистор 190 Резюме 192 Упражнение 195 Глава 8 Основной усилитель биполярного транзистора 200 8.1 Базовый усилитель смещения 201 201 8.2 Лейр 8.3 Маленький сигнальный работа 206 8,4 Ак тока. 8.5 Launtotic Acestance 209 8.6 Две транзисторские модели 2111 8.7 Анализ усилителя 212 8.8 Параметры переменного тока в Руководстве по данным 215 8.9 Усиление напряжения 218 8.10 Эффект нагрузки входного сопротивления 220 8.11 Запуск отрицательной обратной связи Усилитель 222 8.12 Диагностика неисправностей 226 Резюме 227 Упражнение 230 Глава 9 Многоуровневая, общая и общая ставка 234 9.1 Многоуровневый усилитель 234 9.2 ДВУКАЯ ОБРАТА 237 9,3 CC усилитель 239 9.4 выходной импеданс 243 9,5 класс CE-CB, связывающий Dalfee 245 9.6 Dallington Group 246 9.7 Применение стабилизации 248 9,8 CB усилитель 251 9.9 Диагностическая диагностика мульти -уровня усилителя 254 Резюме 255 Упражнение 258 Глава 10 Усилитель мощности 263 10.1 Связанный термин Усилитель 263 10.2 Два нагрузочных кабеля 265 10.3 Работа класса А 269 10.4 Класс B Работа 274 10.5 класс B Push -pull Pole Povelay 275 10.6 Смещение усилителя класса B/AB 278 10.7 Драйвер усилителя класса 280 10.8 Класс C Работа 282 10.9 Формула усилителя класса C 284 10.10 Номинальная сила транзистора 289 Резюме 291 Упражнение 295 Глава 11 Эффект парижского поля эффекта кристаллической трубки 299 11.1 Основная концепция 299 11.2 Демонстрировать характерную кривую 301 11.3 КРЕССКАЯ КРЕВА ПЕРЕДЕЛИ 303 11.4 Смещение в резистивной зоне 304 11,5 смещения 306 в области источника 306 11.6 Крестный гид 314 11,7 Усилитель JFET 315 11.8 СДЕЛИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 319 JFET 319 11.9 Другие приложения JFET 321 11.10 Руководство по чтению данных 327 11.11 Тест JFET 329 Резюме 329 Упражнение 332 ГЛАВА 12 МОС Полевые эффект Кристаллическая трубка 337 12.1 исчерпывающий полевой эффект MOS Transistor 337 12.2 Собственное полевое эффект MOS -эффект Кристаллическая трубка Характеристика 338 12.3 исчерпывающий поля MOS -эффект транзисторный усилитель 339 12.4 Улучшенный эффект поля MOS Кристаллическая трубка 340 12.5 Зона сопротивления 342 12.6 цифровой коммутатор 347 12.7 Дополнительная трубка MOS 349 12.8 Эффект мощного поля Кристаллическая трубка 351 12,9 Высокопродажный переключатель транзистора MOS 356 12.10 МОС КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБА H Схема моста 359 12.11 Enhanced MOS Field Effect Transistor усилитель 364 12.12 МОС Полевой эффект Транзисторный тест 366 Резюме 367 Упражнение 370 Глава 13 Хрустальная трубка 374 13.1 четыре -слой диод 374 13.2 Касскарирующий парусный поток 378 13.3 Парусная короткая замыкания 385 13.4 Фазовое управление кремниевым выпрямителем 387 13,5 Двухчастотная хрустальная трубка 389 13.6 Изоляционная сетка Биполярный транзистор 394 13.7 Другая кристаллическая трубка 398 13,8 Диагностика неисправностей 400 Резюме 400 Упражнение 402 Глава 14 Частотные особенности 406 14.1 Частота усилителя 406 14.2 Значение знакомства усиления мощности 410 14.3 Значение датирования усиления напряжения 412 14.4 Сопоставление сопротивления 414 14,5 баллов 416 14.6 Поттер Рисунок 417 14.7 Посро -диаграмма, связанные с диаграммой 419 14,8 Эффект Миллера 423 14.9 Отношения между ростом и пропускной способностью 425 14.10 Анализ частотных характеристик биполярной кристаллической трубки -схема 427. 14.11 Анализ частотных функций влияния схемы транзистор -уровня 432 14.12 Частотный эффект цепи наклеек поверхности 436 Резюме 436 Упражнение 439 Глава 15 Дифференциальный усилитель 442 15.1 Дифференциальный усилитель 442 15.2 Анализ DC дифференциального усилителя 445 15.3 Анализ переменного тока дифференциальных усилителей 448 15.4 Входные характеристики вычислительного усилителя 452 15,5 Общее усиление модели 457 15.6 Интегрированная схема 459 15,7 тока зеркала 462 15.8 Существует разность нагрузки, чтобы разделить объем 463 Резюме 464 Упражнение 467 Глава 16 Вычисление усилителя 470 16.1 Обзор вычислительного усилителя 470 16.2 741 Операционный усилитель 472 16.3 Antyphase Play Big 479 16 16.5 Два приложения вычислительного усилителя 487 16.6 Линейная интегрированная схема 490 16.7 Расчет усилителя поверхностной пасты 494 Резюме 495 Упражнение 498 Глава 17 Отрицательная обратная связь 502 17.1 Четыре типа отрицательных отзывов 502 17.2 Усиление напряжения VCVS 504 17.3 Другая VCVS Formula 506 17.4 ICVS усилитель 509 17,5 Усилитель VCIS 510 17.6 Усиление ICIS 511 17,7 частотная полоса пропускания 512 Резюме 515 Упражнение 518 Глава 18 Применение линейной боевой схемы 522 18.1 Антифазная игра в большую цепь 522 18.2 То же самое 18.3 обратная фаза/та же фазовая цепь 527 18.4 Дифференциальный усилитель 531 18,5 Усилитель инструмента 535 18.6 Добавить метод схема Laureter 538 18.7 Схема улучшения тока 542 18.8 Источник тока управления напряжением 544 18.9 Автоматическое управление усилением 546 18.10 Метод работы с единой мощностью 548 Резюме 549 Упражнение 551 Глава 19 Активный фильтр 556 19.1 Идеальная частотная характеристика 557 19.2 Как приблизиться к частотной характеристике 559 19.3 Filter Pastrication 567 19.4 First -Order Filter 570 19,5 блок VCVS с сантимером второго заказа -фильтр 572 19,6 Фильтр высокого уровня 576 19.7 VCVS Элементы равного значения Низкое проходное фильтр 578 19,8 VCVS High -Pass Filter 581 19.9 Multiourd Hoard Band Band Pass Filter 582 19.10 Фильтр сопротивления полосы 585 19.11 Полный фильтр 586 19.12 фильтр с двойным вторым заказом и фильтр переменного состояния 589 Резюме 591 Упражнение 594 Глава 20 Применение нелинейной комплексной схемы усилителя 597 20.1 над нулевым компаратором 597 20.2 НЕ -ЗЕЛЕЧЕСКОЕ Сравнение 602 20.3 Сравнение обработки 605 20.4 Корабли в окне 608 20,5 Указатель 610 20,6 Трансформация формы волны 612 20,7 Генератор сигналов 614 20,8 Типичный треугольный фиолетовый генератор 616 20,9 Активная диодная цепь 617 20.10 Микросокородок 619 20.11 Усилитель класса D 620 Резюме 624 Упражнение 626 Глава 21 Осциллятор 631 21.1 Принцип ситального колебания 632 21.2 Wensing Bridge Осциллятор 633 21.3 Другой RC Esscillator 636 21.4 Kailez Esscillator 637 21,5 Другое ЖКИЛЛОТОР 642 21,6 Кварц Кристалл 643 21,7 555 таймер 647 21,8 555 Незащительный рабочий режим таймера 651 21.9 Применение схемы 653 21.10 блокировка шарда 657 21.11 Генератор функций интегрированная цепь 660 Резюме 664 Упражнение 667 Глава 22 22.1 Power Features 670 22.2 Параллельный стабилизатор 672 22,3 серии стабилизатор 677 22.4 Одиночный линейный регулятор 684 22.5 Схема улучшения тока 689 22.6 DC-DC Converter 690 22.7 Стабилизатор переключения 692 Резюме 701 Упражнение 704 Глоссарий 708 Ответ (упражнение нечетного номера) 728 |
 |
| 8 -е издание этой книги наследует основное содержание предыдущей версии, и объясняет четкие и в -депт полупроводниковые устройства и электронные схемы.Эта книга подходит для студентов, которые впервые используют линейные круговые курсы. Подготовка знаний - это курс DC/AC, алгебра и некоторые треугольные функции. В этой книге подробно описываются характеристики полупроводникового устройства, тестирования и их прикладных цепей, и закладывает хорошую основу для студентов, чтобы понять принципы работы и диагностику разломов электронных систем.Среди них экземпляры схемы, применение и диагностика разломов будут проходить через книгу. Обновление 8 -го издания Основываясь на текущих расследованиях мнений учителей, профессионалов и сертификационных агентств в области электронных схем и обширных исследований в области учебных программ, эта книга увеличилась и скорректировала некоторые из контента. Специфика заключается в следующем: Аспект ● Добавлено введение в характеристики светодиодов. ● Добавлены высокопоставленные светодиоды и принцип управления с высокой эффективностью устройства. ● В предыдущей главе введен трехконтактный регулятор в рамках модуля системы питания. ● Удалить соответствующее содержание анализа параметра схемы. ● Переотредментируйте главу биполярной кристаллической трубки, сжатой из исходных 6 глав до 4 глав. ● Представьте электронную систему. ● Была добавлена часть содержания многоуровневого усилителя, поскольку он имеет тесную связь с модулем схемы, который составляет систему. ●“Power MOS Field Effect Tube”Часть следующего добавлена: ■ Структура и характеристики силовой трубки MOS. ■ Требования к водителю и интерфейсу в трубах MOS с высоким и низким уровнем. ■ Переключатель низкой и высокой боковой нагрузки. ■ Средний мост и полный H мост. ■ Модуляция ширины импульса для управления скоростью двигателя (ШИМ). ● Добавлено некоторые из содержимого усилителей класса D, включая применение одного усилителя D. ● Обновите соответствующее содержание питания переключения. Характеристика М. В приведенном ниже обновлении, диагноз с мультисимным диагнозом, цифровой/симуляционный тренер, Руководство по эксперименту, мультисамные схемы - это ресурсы учителей.Кроме того, ресурсы учителей включают руководства для учителей и слайды PPT.Только учителя, которые используют эту книгу в качестве учебника, могут подать заявку на ресурсы учителей, и учителя, которые она нуждается, могут пойти на МакГрэйди·Представитель Пекинского офиса издательской компании Hill Education Company, Телефон 010-57997618/7600, факс 010-59575582, электронная почта instructorChina@mheducation.com.——Редактировать примечание ● увеличить и выделить“Приложения”. ● Содержание каждой главы относительно независимо, что удобно для читателей, чтобы выбрать то, что им нужно изучать. ● Во всех главах новый диагноз многоподобного сбоя добавляется в исходную многосекционную схему. ● Во многих главах проблема цифровых/симуляционных тренеров была добавлена ко многим главам. ● Согласно новым экспериментам, проведенным системными методами, руководство по эксперименту было обновлено. ● Обновление и обогащение ресурсов для поддерживающих учителей. ● MultiSim Circuit File находится в ресурсах учителя“Connect for Electronic Principles”середина. |