8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00

Официальный веб -сайт подлинный модуль IGBT Technology Drive and Application китайская версия оригинальная книга 2 издание Andreas Holk полупроводниковое структурный чип -электрический пакет ПАРАМЕТА ПАРАМЕТРЫ ПАРАМЕТРЫ

Цена: 1 264руб.    (¥59.8)
Артикул: 560679586411

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:机械工业出版社旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥114.22 414руб.
¥43.45919руб.
¥ 89 48.951 035руб.
¥ 129 96.72 044руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

   Основная информация о продукте

Название продукта:   IGBT Модуль: технология, драйвер и приложение (китайская версия; оригинальная книга 2 издание)
Автор:   [Германия] Андреас&Middot; Forter McCle; Hao Kangpu
Рыночная цена:  88.00
Номер ISBN:  9787111535669
Издание:  1-4
Дата публикации:  2016-06
Количество страниц:  392
Количество слов:  626
Издательство:   Machinery Industry Press
   каталог
Оглавление
Переводчик
последовательность
Предисловие
Глава 1 Power Semiconductor 1
1.1 Введение 1
1.1.1 Эта концентрация потока нагрузки 2
1.1.2 Допировать 4
1.1.3 Движение потока Loat в полупроводнике 6
1.1.4. Генерация и совокупность тока потока 8
1,1,5 пл. Узел 9
1.1.6 Обратный разрыв 12
1.1.7 Процесс производства 13
1.2 Диоды 16
1.2.1 Диод быстрого восстановления 17
1.2.2 Диод питания (выпрямитель) 19
1.2.3 Schottky Diodes 19
1.2.4 Zina Diode и Divalanche Diode 20
1.3 Кристаллическая трубка 21
1.4 Transistor Billar Knot Transistor и полевой транзистор 22
1.4.1 Двусторонний транзистор -тип (BJT) 22
1.4.2 Полевой эффект транзистор (FET) 24
1.5 Изоляционная сетка Биполярная транзистор (IGBT) 28
1.5.1 Тип (PT) Тип IGBT32
1.5.2 НЕ -ПАССОВЫЙ (NPT) Тип IGBT34
1.5.3 Термидный (FS) Тип IGBT35
1.5.4 Trench IGBT35
1.5.5 Сетка канавки хранения потока хранения
Двусторонний транзистор (CSTBTTM) 37
1.5.6. Инъекционная кристаллическая труба для инъекции (IEGT) 38
1.5.7 Gully Grid прекратите IGBT
(Trench-Fsigbt) 38
1.5.8. Обратный гид IGBT (RCIGBT) 38
1.5.9IGBT интегрированная дополнительная функция 39
1.6 Перспектива перспективы 41
1.7 Производитель 43
Ссылки в этой главе 44
Глава 2 Структура устройства IGBT 47
2.1 ВВЕДЕНИЕ 47
2,2IGBT модуля материал 48
2.2.1 пластиковая рама 48
2.2.2 Подложка 50
2.2.3 Подложка 51
2.2.4 Материал пластиковой формы, эпоксидная смола и силикон 52
2.3 Процесс электрической связи 53
2.3.1 Технология внутреннего электрического соединения 54
2.3.2 Технология внешнего электрического соединения 60
2.4 Концепция дизайна 69
2.4.1 Стандартный модуль IGBT 69
2.4.2 Подключение давления IGBT69
2.4.3 Smart Power Module (IPM) 70
2.4.4IGBT Модуль модуля 71
2.4.5 Дифференциал IGBT72
2.4.6 Установите 73
2.5 Внутреннее вставка полупроводника 74
2,6 низкого чувствительного дизайна 76
2,7IGBT MODULE TOPOLOGY 77
2,8IGBT изоляционная сотрудничество 79
2.8.1 Электрический разрыв и расстояние скалолазания 80
2.8.2 Напряжение изоляции 82
2.8.3 Местный разряд 83
2.9 Обзор производителя 84
Ссылки в этой главе 85
Глава 3 Электрический характер 87
3.1 ВВЕДЕНИЕ 87
3.2 Положительные особенности диода 94
3.3 Характеристики переключателя диода 96
3.3.1 Открытие диодов 96
3.3.2 Триплия диодов 98
3,4IGBT -положительные функции 101
3,5IGBT Switch функция 103
3.5.1IGBT Feature 103
3.5.2IGBT's Cutting Feature 105
3.5.3 Галерея заряда и Miller Effect 106
3.5.4NPT IGBT и Groove Grid IGBT закрыта
Сравнительный анализ символов 107
3.6 Коротко -циркутная функция 108
3.7 Блокирующие характеристики 111
3.8 Статические и динамические снежники проникают 112
3.9 Увлажняющая индуктивность 113
3.10 Различные полупроводниковые источники 115
Ссылки в этой главе 116
Глава 4 Принцип огня 118
4.1 Введение 118
4.1.1 Определение 118
4.1.2 Термическая проводимость 119
4.1.3 Термическое излучение 123
4.1.4 Пара потока 125
4.2 Материалы и теплопроводность 126
4.3 Тепловая модель 131
4.4 радиатор 136
4.4.1 Air Cold Rebid 137
4.4.2 Line Cold Rebid 138
Ссылки в этой главе 140
Глава 5 Руководство по данным модуля 141
5.1 Введение 141
5.2IGBT141
5.3 Продолжение двойная трубка 144
5.4 Dectoma Diode (модуль PIM/CIB) 145
5.5 Тормозного вертолета (модуль PIM/CIB) 145
5.6 Термистор отрицательного температурного коэффициента (необязательно) 146
5.7 Модуль 147
5.8 Рисунок 148
5.9 Туристическая структура трассы 149
5.10 Упаковка Рисунок 149
Ссылки в этой главе 150
Глава 6 IGBT Drive 151
6.1 Введение 151
6.2 передача сигнала 152
6.2.1 Преобразование уровня 152
6.2.2 Оптическая связь 156
6.2.3 Пульсовый трансформатор 157
6.2.4 Связанная связка 160
6.2.5 Оптическое волокно 161
6.2.6 Резюме 162
6,3IGBT GATE Driver 163
6.4 Drive Power 173
6.4.1 Схема самоотдачи 174
6.4.2DC -DC Converter 176
6.4.3 OWAL напряжение блокировки 179
6.5 Связанная емкость 180
6.6 Параметры, влияющие на функции переключения 181
6.6.1 Сетка
6.6.2 Галерея-Экстернатная емкость CG183
6.6.3 Галерея создание электричество 186
6.7 Сермерки защиты 187
6.7.1 Мониторинг Opucessat 187
6.7.2.
6.7.3 Галерея зажим 204
6.7.4 Miller Clamp 207
6.7.5 Используйте паразитическую индуктивность запуска полюса 209 209
6.7.6 Два -сильная плоская закрытие 210
6.7.7 Soft Pass 212
6.8 Логическая функция 212
6.8.1 Минимальное подавление импульса 213
6.8.2 Генерация мертвой зоны и полубейный замок 213
6.8.3 Сообщение об ошибке, время блокировки и сбой
Магазин 214
6.9 Остановка безопасности 214
6.10 Параллель и серия 216
6.10.1 Параллель 216
6.10.2 Подключение подключения 217
6.11 Трехвелевая схема NPC 217
6.12 Комплексная производительность и затраты выберите Drive 218
6.13 Обзор производителя 219
Ссылки в этой главе 219
Глава 7 Свойства переключения в фактическом применении 221
7.1 Введение 221
7.2IGBT управляющее напряжение 221
7.2.1 Положительный контроль напряжения 221
7.2.2 Отрицательное управление напряжением и 0 В.
7.3 Минимальное время открытия 225
7.4 Dead District 227
7.5 Speed ​​Speed ​​228
7.6 Короткий корпус 229
7.7 Влияние мастурбаже без названия 233
7.7.1 Изменение циркулирующей дороги Смешанный индуктор 233
7.7.2 Галерея Написание Увлажняющей эндимерности 235
7.8 Рабочая зона безопасности 236
7.8.1IGBT Anti -Plolying Safety Рабочая зона и короткий цикл
Рабочая зона безопасности 236
7.8.2 Рабочая зона безопасности диода 237
7.9IGBT обратное напряжение блокировки 237
7.10 Силиконовый IGBT238 из кремния IGBT238, интегрированное обновление карбида кремния
7.11 Dowager Switch и (Quasi) резонансный переключатель 240
7.11.1 Cushion Circuit 240
7.11.2 Резонансный переключатель 244
Ссылки в этой главе 246
Глава 8 Параллельная и серия 247 модуля IGBT
8.1 Введение 247
8.2 Параллель 247
8.2.1 Меры предосторожности для статической работы 248
8.2.2 Меры предосторожности для динамической работы 251
8.2.3 Драйвер галереи Параллель 253
8.2.4 Компонент внешнего баланса Параллельный подключение 259
8.3 Серия 262
Ссылки в этой главе 264
Глава 9 Радиочастотные колебания 265
9.1 Введение 265
9.2 Короткие колебания 266
9.3IGBT закрыто колебание 267
9.4 Указывание тока перетаскивания 268
Ссылки в этой главе 270
Глава 10 Руководство по механической установке 271
10.1 Введение 271
10.2 Технология соединения 271
10.2.1 Электрическое соединение 271
10.2.2 Установка и тепловая кремниевая смазка радиатора 272
10.2.3 Установка модуля прямого охлаждения 276
10.3 Воздействие на окружающую среду 277
10.3.1 Механическая нагрузка 277
10.3.2 Газ и жидкость 278
10.4 Транспортировка и хранение 279
Ссылки в этой главе 279
Глава 11 Пример базовой схемы и применения 280
11.1 Введение 280
11.2AC -DC выпрямитель и тормозный вертолет 281
11.2.1 Активный фронт 287
11.2.2 Венский выпрямитель 288
11.3DC -DC Converter 289
11.3.1 Анти -дапюрный преобразователь 290
11.3.2 Bigrilicate Transform 291
11.3.3 лайки и преобразователи напряжения 292
11.3.4h мостовой цепь 293
11.4DC -AC Инвертор 294
11.4.1 Инвертор источника напряжения 294
11.4.2 Многоуровневый инвертор 296
11.4.3. Инвертор источника тока 299
11.4.4Z Источник 299
11.5AC -AC Converter 303
11.6 Пример приложения 305
11.6.1 Серворекта 305
11.6.2 Непрерывная мощность 305
11.6.3 Солнечный инвертор 307
11.6.4 Инвертор энергии ветра 308
11.6.5 Тяговой инвертор 310
11.6.6 Магнитный двигатель 311
11.6.7 Инвертор среднего давления 312
Ссылки в этой главе 313
Глава 12 Измерение сигнала и прибор 315
12.1 Введение 315
12.2 Цифровое хранилище Осциллограф 315
12.3 Измерение тока 317
12.3.1 Измерение тока на основе магнитных не магнитных принципов 318
12.3.2 Измерение тока на основе электромагнитных принципов 325
12.4 Измерение напряжения 330
12.5 Измерение температуры 332
12,6 Двойной импульс тест 337
Ссылки в этой главе 340
Глава 13 Дизайн отображения 341
13.1 Введение 341
13.2 Композиция инвертора 341
13.3 Уровень напряжения 342
13.4 Паразитный элемент 343
13,5 DC Bus 344
13.6 Поглощение емкость 346
13.7 Установка привода 348
13.8 Электрический разрыв и расстояние скалолазания 350
13.9 Влияние длины моторного кабеля 350
13.10 Фильтр 352
13.10.1 Силовой фильтр 352
13.10.2 Фильтр шины DC 353
13.10.3 Выходной фильтр 354
13.11 Предохранитель 355
13.12 Влияние алгоритма модуляции 357
13.13
   Введение
     эта книга сначала вводит внутреннюю структуру IGBT, а затем выводит форму IGBT, полученную из прототипа схемы или базовой модели.Исходя из этого, была обсуждена технология упаковки IGBT.В этой книге также обсуждаются электрические характеристики IGBT и проблемы с теплом, а также анализируется специальное применение и технологию параллельного привода IGBT.Этот анализ также включает в себя фактические характеристики поведения переключателя, расположение схемы, примеры применения и правила проектирования IGBT.