X -ray Анализ наноматериалов Второе издание метода x -Ray Нано -материальное анализ кристаллического основания x -Ray Теория теория x -Ray Метод экспериментального устройства метод исследований нано кристаллического материала.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
E3
Название: рентгеновский анализ наноматериалов Второе издание
Номер ISBN: 9787122334169
Автор: Ченг Гофенг Ян Чуанчжэн
Цена: 88,00 Юань
Название издательства: Chemical Industry Press
Эта книга является монографией, которая использует x -Rays и другие образцы стимула для характеристики структуры материальной структуры, особенно соответствующей информации, связанной с кристаллической структурой наноматериалов.Учитывая особенность наноматериалов, эта книга разделена на три части: фонд кристаллической науки, теоретическая основа христа -дифракции, экспериментальное устройство и метод x -Ray и т. Д. И другие четыре главы; средняя часть -дифракция x -Ray Метод анализа и применение, включая объекты и количественные характеристики, кристаллические параметры, анализ дифракционной линии наноматериальной микроструктуры, структурного уточнения Rietveld и небольших угловых рассеяния и т. Д.; Позднее внедренные x -rays химического состава и атомная цена, нано -пленка и материалы для средних материалов и материалы для средних материалов и материалы для средних материалов и материалов среднего материала и материалов средних материалов и средних материалов. и т. д. анализировать.
Эта книга доступна для справки для профессионалов, занимающихся технологиями дифракции и рассеяния X -RA университеты.
Глава 1 Кристаллическая геометрия Основы 001
1.1 Crystal Dot Corridor/001
1.1.1 Концепция точечной линии/001
1.1.2 Кристаллические клетки, кристаллическая система/003
1.1.3 Type Matrix Type/003
1.2 Макро -симметрия и точка -группа/005 кристалла
1.2.1 Макросимметричный элемент и макро -симметрия/005
1.2.2 Макро -симметрия и точка группа/008
1.3 Микрометрия и космическая группа кристалла/011
1.3.1 Операция микро -симметрии и симметрии/011
1.3.2230 Space Group/012
1,4 простых очков/013
1.4.1 Введение в концепцию простоты линии/013
1.4.2 Геометрическая взаимосвязь между правой линией и матрицей вверх по течению/015
1.4.3 Закон хрустальных полос, хрустальные полосы/016
1.5 -cidning of Crystal/017
1.5.1 ионное связывание/017
1.5.2 Комбинация общих цен/019
1.5.3 Metal Binding/019
1.5.4 Молекулярное связывание/020
1.5.5 Комбинация водородных связей/020
1.5.6 Кристалл смешанного ключа/020
Ссылки/021
Глава 2 x -ray Теоретическая основа 022
2.1x Ray и X -Ray Spectrum/022
2.1.1x РАДИОСКА
2.1.2x Радио -спектр/022
2.2 Взаимодействие между лучами и материалом/026
2.2.1 Поглощение лучей/026
2.2.2 Эффект стимуляции/027
2.2.3x преобразование лучей/027
2.2.4x Ray Reflex/027
2.2.5 Рассеяние и дифракция материала на x -ray/028
2.3 Направление дифракционных лучей/029
2.3.1 Уравнение Лаоса/029
2.3.2 Прага Закон/031
2.4 Спортивная теория поликристаллической дифракционной силы/035
2.4.1 Единственная прочность на электронное рассеяние/035
2.4.2 Прочность на одном атомном рассеянии/036
2.4.3 Прочность рассеяния монокристаллических клеток/037
2.4.4 Фактическая прочность дифракционной гранулярной гранулярности/039
2.4.5 Фактическая прочность на поликристаллическую дифракцию/040
2,5x Difruction и связанные с ними методы исследования/044
Ссылки/0452
Глава 3 x -ray Дифракционная экспериментальная устройство 046
3.1x Принцип дифракционного прибора и экспериментальных технологий/047
3.1.1 Общие функции/047
3.1.2 Оптические принципы/049
3.1.3 Точность и калибровка угла дифракционного прибора/050
3.1.4 Выбор параметров дифракционного прибора/050
3.1.5 Crystal Monochrome/050
3,2X радиоэлементный источник/052
3.2.1 Обычный x -ray Source/052
3.2.2 Синхронное излучение источника света/054
3,3x Detector и System System/060
3.3.1 Гиг -счетчик, пропорциональный счетчик и мерцающий счетчик/060
3.3.2 Детекторы энергии/063
3.3.3 Детектор лапши/064
3.3.4 Детектор массива/065
3.3.5 Разработка системы записи/066
3.4 Рабочий режим и аксессуары/066
3.4.1 Рабочий режим порошкового прибора/067
3.4.2 Приложение/070 в дифракционном инструменте из луча/070
Ссылки/073
Глава 4 Duocheng x -ray Dives Experimental Method 074
4.1 Углы/074
4.2 Система разреза и геометрический оптический/077
4.3 Приготовление образца/078
4.3.1 Требования и подготовка порошка/079
4.3.2 Ширина и глубина выборки/080
4.3.3 Размещение образцов/083
4.3.4 Детали толщины частиц образца/083
4.4 Получение данных порошковой дифракции/084
4.4.1 Выбор длины волны/084
4.4.2 Монохический/085
4.4.3 Настройки питания/085
4.4.4 Сканирование шага/086
4.4.5 Непрерывное сканирование/086
4.4.6 Диапазон сканирования/087
4.5 Влияние метода эксперимента и метода обработки данных на экспериментальные результаты/087
4.6x Ray Safety and Secutive/088
Ссылки/089
5 Глава фазы Агенского анализа 091
5.1 Принципы фаз и базы данных ICDD/091
5.1.1 Принципы и методы анализа фазовой частоты/091
5.1.2 Группа карт порошковой дифракции (PDF) и ее индекс/092
5.1.3pdf База данных/96
5.2 Шаг качественного анализа/100
5.2.1 Эксперимент для получения дифракционных данных материала, который будет протестирован/100
5.2.2. Наблюдение и анализ данных/101
5.2.3 Поиск и совпадение/101
5.2.4 Суждение/101
5.2.5 Специфический пример/102
5.3 Поиск компьютера качественного анализа/104
5.3.1PCPDFWIN Качественный анализ фазы применения/104
5.3.2 JADE Качественного анализа фазы применения/109
5.3.3 Сравнение ручного поиска и поиска компьютера/115
5.4 Анализ составления фазы и анализ без карты/1165
5.4.1 Анализ репродукции/118
5.4.2 АНАЛИЗ БЕЛЕКОЙ ФАзы/120
5.5 Обратите внимание на анализ этапов, следует обратить внимание на/122
Ссылки/124
Глава 6 Рафинированный анализ заслуг 125
6.1 Принципы фармакохромотива/125
6.1.1 Экспрессия прочности дифракции образца однофазного образца/126
6.1.2 Многократный фактор природы/126
6.1.3 Структивный коэффициент/126
6.1.4 Температурный коэффициент/127
6.1.5 Коэффициент поглощения/128
6.1.6 Дифракционный объем/128
6.1.7 много -фаза -дифракционная прочность/129
6.2 Используйте метод анализа количественной фазы стандарта/130
6.2.1 Метод внутреннего стандарта/131
6.2.2 Метод увеличения/134
6.2.3 Метод внешней ставки/142
6.2.4 Метод исключения (метод значения k)/147
6.2.5 Экспериментальное сравнение метода образца/151
6.3 Метод анализа количественной фазы Количественной фазы/152
6.3.1 Метод прямого сравнения/152
6.3.2 Метод теплового нагрева/154
6.3.3 Образец Zevin без Biddless и ее улучшение/156
6.3.4 Экспериментальное сравнение образцов бездалов/164
6.4 Новый прогресс и внимание количественного анализа/165
6.4.1 Новый прогресс количественного анализа/165
6.4.2Rietveld Количественный анализ/167
6.4.3 x -Ray Материал ПРОТИВ ПРОДОЛОЖЕНИЯ ПРОБЛЕМА, которая должна быть обращена внимания на/169
Ссылки/170
Глава 7 Измерение параметров индекса и кристаллического кассира 171
7.1 Индикатор поликристаллической дифракционной диаграммы/171
7.1.1 Индикатор дифракционных лучей, когда известны точные кристаллические параметры/171
7.1.2 выразительность дифракционных лучей, когда параметры грубых кристаллических ячейков/171
7.1.3 SIN2 индикаторной дифракционной диаграммы индикатора&Тета; соотношение метод/172
7.1.4 Метод рисования дифракционной диаграммы сифанга и шестиугольной кристаллической системы/172
7.1.5 Метод объявления неизвестной дифракционной диаграммы кристаллической дифракции/175
7.1.6 Индикаторы ITO (ITO)/175
7.2 Точность измерения параметров кристаллических ячейков/177
7.2.1 Debai-xie Holo Photos/179
7.2.2 Фокус на методе камеры/183
7.2.3 Метод дифракционного прибора/184
Ссылки/184
Глава 8 x -Ray отображение микро -структурных наномических материалов 185
8.1 Отношения устранения/185
8.2 Биография с микро -кристаллом и микробазии/186
8.2.1 Эффект расширения микросталлов—— Xiele Formula/186
8.2.2 Расширение, вызванное микро -стрессом/188
8.3 Различные методы разделения микрокристаллических и микро -стресс -эффектов/188
8.3.1 Метод числа уровней/188
8.3.2 Метод разложения квадратной разности/190
8.3.3 Метод приблизительной функции/191
8.3.4 Сравнение нескольких методов/191 выше
8.4 Эффект вещания, вызванный ошибкой слоя укладки/192
8.4.1 Сложный слой шестипартийного слоя укладки/192
8.4.2.
8.4.3 Сложный слой кубического куба/193
8.4.4 Метод Лэнгфорда метода Лэнгфорда Микрокристалла шестистороннего ZnO в разделении секретной кучи шестипартийной Zno/194
8.5 Первичный метод разделения эффектов множественной ширины/195/195
8.5.1 МЕТОД МЕТОДЫ МЕТОДА МЕТОДА МЕТАЛА МЕТАЛЛАЦИЯ МЕТОДА/195
8.5.2 Разделение микро-кристально-слойное злой
8.5.3 Отделение микробазии-примирального метода неверного эффекта двойной двойной работы/197
8.5.4 Разделение микро кристалл-микроробазия ошибка.
8.5.5 Рассчитайте структуру программы/200
8.6 Пример приложения/201
8.6.1mmb5 Исследование на микро -структуре сплава для хранения водорода/202
8.6.2 Подготовка Nano Nio и характеристика микроструктуры/204
8.6.3 Приготовление порошка нано -NI и характеристики микроструктуры/205
8.6.4V-Ti-исследование сплава сплавов во время процесса высвобождения водорода/207
8.6.5&Изучение микроструктуры в бета; -ni (OH) 2/209
8.6.6 Исследование микро -структуры Nano Zno/218
8.6.7mg-al сплавов сплава. Исследование микроструктуры/220
8.6.8 Исследования по расстройству графитового укладки/222
8.6.9 Сводка заявки/227
Ссылки/228
Глава 9 Принципы и методы ремонта структуры Rietveld 230
9.1Rietveld История разработки метода/231
9.2 Основной принцип метода FILETVELD/232
9.2.1RIETVELD Алгоритм метода/233
9.2.2 -234
9.3 Rietveld Метод дифракционного пика в дифракционном пике/235
9.3.1 Метод анализа пиковых функций/235
9.3.2 Пиковая функция подгонка/235
9.3.3 Анализ микро -структуры/237
9.4Rietveld Анализ коррекции/238
9.4.1 Выберите лучшее, чтобы исправить/238
9.4.2 МИКРО -СОЗДАНИЕ Коррекция/239
9.4.3 Коррекция спины/240
9.5Rietveld Метод анализа кристаллической структуры/240
9.6 Rietveld Метод анализа количества фазы/241
9.7Rietveld Метод Индикатор и фазовый анализ/242
9.8 -Rietveld Анализ Экспериментальный решение/243
9.8.1 Выбор инструмента/243
9.8.2 Выбор диапазона данных и дифракционного диапазона/243
9.8.3 Метод шага SELECT/244
9.9 Rietveld's Rahined Steps and Strategies/245
Ссылки/247
10 глав гранулированного распределения и измерения рассеяния небольшого угла 250
10.1 Введение в теорию теории рассеяния x -ray/250
10.1.1 Разброс электрона/250
10.1.2 рассеяние/251 из двух электронов/251
10.1.3 Sanda/252 многоэлектронных систем/252
10.1.4 маленький рог x -ray рассеяние/253
10.2 Маленький рог x -ray рассеяние экспериментальное устройство/255
10.2.1 Три SLIT System/255
10.2.2 Система щелей в форме для детей/256
10.2.3 Система конуса/256
10.2.4kratky Slit System/257
10.2.5 Многочисленные кристаллические системы отражения/257
10.2.6 Устройство синхронного излучения SAXS/257
10.2.7 Экспериментальная конфигурация небольшого рога x -ray рассеяние/258
10.3 Экспериментальная технология и методы небольшого углового рассеяния/258
10.3.1 Технология подготовки выборки/258
10.3.2 Калибровка легкой дороги/259
10.3.3 Первичная обработка данных рассеяния/259
10.4 Аномальный маленький рог x -ray рассеяние и двухмерный маленький рог x -ray рассеяние/260
10.4.1 Аномальный маленький рог x -ray рассеяние/260
10.4.2 Двухмерный маленький рог x -ray рассеяние/262
10.5 Измерение размера частиц наноматериалов и их распределение/263
10.5.1 Некоторые часто используемые методы расчета/263
10.5.2 Сравнение небольшого углового рассеяния и других методов/264
10.6 Структура Структура исследования нано -карьер/265
10.6.1 Формирование/265
10.6.2 Небольшой угол рассеяния от качественного и поверхностного корпуса правителя/267
10.6.3 Взаимосвязь между интенсивностью рассеяния и размером тела мощности правителя/268
Ссылки/269
Глава 11 x -Ray Анализ химических компонентов и атомных цен 270
11.1x Ray Spectrum/270
11.1.1 Стимулируйте x -rays/270
11.1.2 x -ray Sceptrum Spectrum Химический анализ/272
11.1.3 тонкая структура запуска луча/273
11.2 -Рей -поглощение спектр/274
11.2.1 Предел реакции/274
11.2.2 Химический качественный количественный анализ со спектром поглощения x -Ray/275
11.3 Российский электронный энергетический спектр/275
11.3.1 Энергия и прочность на электронике/276
11.3.2 Квалифицированный количественный анализ элемента российского электронного спектра/277
11.3.3 Исследования по государствам химической цены российского спектра/278
11.4 Оптическая электроническая спектр/278
11.4.1 Энергия и сила оптоэлектронного спектра/278
11.4.2 x -ray Оптическая электроника Химический анализ/280
11.4.3 Изучение цен/280
11.4.4
11.5 мягкий х -магнитный круговой круглый два хроматографии/283
11.5.1 Основной принцип лучей магнитного раунда два цвета/283
11.5.2 Soft x -Ray Magnetic Round Two -color Spectrum экземпляр/284
Ссылки/286
Глава 12 x -Ray Анализ нано -типичной пленки и одного измерения решетки 287
12.1 Обзор/287
12.2 x -ray Метод, обычно используемый в анализе тонкой пленки/288
12.2.1 Низкий x -Ray Scattering and Difruction/288
12.2.2 Пластификация x -ray Дифракция/288
12.2.3 Породоводочной дифракционный прибор и дифракционный прибор/289
12.2.4 Двойной дифракционный прибор и множественное кристаллическое измеритель/289
12.3 Исследования по атомной масштабе тонкой пленки/290
12.4 Исследование нано -тщательного пленки и многослойной мембраны/291
12.4.1 Определение мембраны/291
12.4.2 Исследование по густому росту и падению/295
12.4.3 Измерение мембранных компонентов/298
12.4.4 Анализ фазы и изменение фазы пленки/299
12.4.5 Встреча размера зерна пленки и размера встроенного секции/300
12.4.6 Наблюдение за целостностью монокристаллической мембраны/301
12.5 Измерение напряжения в тонких пленках/302
12.5.1 Измерение деформации и кривизны монокристаллической тонкой пленки/302
12.5.2 Измерение напряжения поликристаллической мембраны/304
12.5.3 Особенности измерения нано -фильм -стресса/307
12.6 x -ray -анализ одного измерного решетчатого материала/307
12.6.1 Исследование по ULC
12.6.2 Исследование по мультикристаллической матрице/309
12.6.3 Исследование монокристаллической пещеры/312
12.7 x -ray Теория рассеяния с шероховатой границы раздела/318
12.7.1 Общее введение/318
12.7.2 Scatatering/322 из разных грубых интерфейсов/322
12.8 Неправильная и деформация дифракционного пространства или исследования космической карты/323
12.8.1 Рисунок дифракционного пространства/323
12.8.2. Легкий космический обзор и картирование сзади/323
Рекомендации/326
Глава 13 X -Rays of Konong Materials 327
13.1 Классификация материалов Jiekou/327
13.2 x -ray Представители материала среднего -отверстия/328
13.2.1 Особенности и экспериментальные требования для радиационного представления/328
13.2.2 Расчет параметров структуры полюса/329
13.3 x -Ray представление среднего материала оксида кремния/329
13.3.1 Двухмерная шестипартийная структура/329
13.3.2 Cube Touct Structure/332
13.3.3 Трехмерная символика Sixfang-Cube/334
13.4 x -ray представление материала оксида металла/336
13.4.1 Структурные особенности материала сетки оксида металла/336
13.4.2 Оксид титана 介 1/336
13.4.3 x -ray
X -ray представление 13.4.4 Xiehong Co3O4 и CR2O3/339
13.4.5 x -ray представление jiekou nio/339
13.4.6 x -ray представление jiekou mno2/341
13.4.7 x -ray Портрет оксида редкоземельной земли/341
13.5 x -ray
13.6 x -ray Представители сетчатых полимерных и полимерных материалов/346
13.6.1 Материалы полимерной среды, приготовленные сеткой в виде шаблонов/346
13.6.
13.7 Различная структура SAXS Исследования материала медицины/349
Ссылки/351