8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Подлинная графическая входная мощность полупроводниковая фундамент и изысканная лекция ремесла оригинальной книги 2 Sato Chunichi Электронные детали контроль инвертора биполярного кристаллического выпрямителя.

Цена: 1 177руб.    (¥55.7)
Артикул: 721588146028

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:悦悦图书旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥24.8525руб.
¥76.31 613руб.
¥18.8398руб.
¥32.6689руб.
Весенний фестиваль
Дисплей продукта

Основная информация

Название книги:
Графическое введение в мощность основы полупроводниковых оснований и основная лекция (оригинальное 2 издание)
Автор:
[День] Сато Джуничи
Цены:
99.00
Номер ISBN:
9787111713937
Издательство:
Машиностроительная промышленность Пресса
формат:
16
Фрагментация:
Мягкая обложка
Выбор редактора
Чтение толпы: эта книга подходит для чтения ссылок и студентов, которые заинтересованы в полупроводниковом бизнесе, связанном с полупроводниковым бизнесом, людей, которые готовятся участвовать в области полупроводниковых технологий, и людей, которые заинтересованы в технологии производства полупроводников.

186 Знания, 176 карт мастерства и конструкторов,

Сато, хорошо известный японский эксперт по полупроводнику, накопился более 30 лет

Цзян Юлонг, профессор Школы микроэлектроники, Университет Фудана, рекомендовал

Бывший заместитель директора по микропроизводству и интегрированному ремесленному центру Нанкинского университета доктор Ли Чжеян, старший технический эксперт

Ли Сянгю, старший консультант компании Huawei Company и эксперта по информационной и коммуникационной индустрии, рекомендован

Двойная кристаллическая трубка, MOSFET, IGBT, MOS LSI, Процесс истончения пластин, кремниевая пластина, SIC и GAN, ЧИПА -адгезия

Введение

В этой книге описываются все технические ссылки процесса производства полупроводников Power на диаграмме.全书 共 分为 10 章 , 包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、 Разработка кремниевой энергетической полупроводниковой, SIC и GAN с проблемами предела кремния, характеристик процесса производства полупроводниковых полупроводников, открытия полупроводникового полупроводника и т. Д.
Эта книга подходит для людей, связанных с людьми, связанными с полупроводниковым бизнесом, людей, которые находятся в области полупроводника, и людей, которые заинтересованы в полупроводнике власти, студентах и ​​студентах.

об авторе
Сато Харуки
Магистр аспирантуры инженерной школы, Университет Киото.В 1978 году он присоединился к Tokyo Electric Chemistry Industry Co., Ltd. (теперь TDK);Он занимался полупроводниковым и кинооборудованием, а также в исследованиях и разработке технологий процессов.В течение периода он был заимствован, когда технология полупроводникового резания (SELETE) была основана как частичный лектор и член комитета по полупроводниковой промышленности Университета Нагасаки.

Написано
"Руководство CVD"
"Графическое введение——Основная лекция по производству полупроводникового оборудования и строительство. Основная лекция (оригинальное 3 -е издание) »
"Графическое введение——Power полупроводниковые основы и сущность механизма (Original 2 Edition) »
"Графическое введение——Основная спецификация технологии производства полупроводников (оригинальное 4 -е издание) »
Каталог

Предисловие
Как выразить и использовать эту книгу
Глава 1 упускает из виду полные запуска по полупроводнику/
1.1 позиционирование как полупроводниковое оборудование для электронных деталей/
Что такое электронные детали?/ /
С высокой скоростью переключения полупроводниковых устройств/
1.2 Power Semiconductor в полупроводниковом оборудовании/
Оборудование директора и мировая тенденция/
Power Semiconductor - герой за кулисами/
Власть в полупроводнике полупроводник/
1.3 Применение Power Semiconductor/
Примеры дома/
Что такое контроль инвертора?/ /
1.4 Сравните полупроводники власти с людьми/
Роль, которую играет Power Semiconductor/
Что такое преобразование электричества?/ /
1.5 Различия транзисторной структуры/
Общий мосфет/
Мощный мосфет/
Разница между транзистором/
Глядя вниз на структуру транзистора/
Глава 2 Базовые знания и работа Power Semiconductor/
2.1 Основные знания и работа полупроводника/
Что такое полупроводник?/ /
Движение петухов в твердом/
Поток лой в/
2.2 о PN Knot/
Зачем мне нужен кремний?/ /
Что такое узел PN?/ /
Положительное и обратное смещение/
2.3 Основные знания и работа транзистора/
Что такое переключатель?/ /
Что такое хрустальная трубка?/ /
2.4 Основные знания и работа биполярных кристаллических труб/
Что такое биполярный транзистор?/ /
Принципы биполярных транзисторов/
Соединение биполярных транзисторов/
2,5 моса базовые знания и операции/ Операции/
Что такое тип MOS?/ /
Функция каждой части полупроводникового оборудования/
Роль диода MOS и операции работы/управления/
2.6 Просмотрите историю полупроводников/
Происхождение полупроводника/
Раннее играл роль Power Semiconductor/
От потока ртути до кремниевого выпрямителя/
От кремния до следующего поколения материалов/
2.7 Появление силового мосфета/
Требования к высоким переключателям/
Что такое mosfet?/ /
Сравнение биполярных транзисторов и mosfet/
2.8 Слияние двойного и МО/
Перед появлением IGBT/
Особенности IGBT/
2.9 Сравнение с преобразованием сигнала/
Что такое преобразование сигнала?/ /
CMOS антифазное устройство/
Глава 3 Роль различных полупроводников власти/
3.1 ОДИН -ДИОДЫ/
Диод и эффект исправления/
Фактический эффект исправления диодов/
Принципы исправления/
3.2 Биполярные транзисторы с большим током/
Что такое биполярный транзистор?/ /
Зачем вам высокий переключатель/ скорость/
Принципы биполярных транзисторов/
Операция биполярного транзистора/
3.3 Двойная стабилизированная хрустальная трубка/
Что такое хрустальная трубка?/ /
Принципы хрустальной трубки/
Что такое двухэтажная хрустальная трубка?/ /
Появление кристаллической трубки GTO/
Применение кристальных ворот/
3.4 Power Mosfet/
Принцип работы MOSFET/
Каковы характеристики силового мосфет?/ /
Различные структуры MOSFET/
3.5 IGBT/
Фон IGBT/
Принцип работы IGBT/
Пример уровня IGBT/
Задача, стоящая перед IGBT/
3.6 Explorer Тема Power Semiconductor/
Что такое сопротивление привода?/ /
Что относится к напряжению сопротивления?/ /
Где предел кремния?/ /
Глава 4 Цель и рынок властного полупроводника/
4.1 Размер рынка Power Semiconductor/
Рынок полупроводников власти/
Предприятия, выходящие на рынок полупроводников/
Мощный отдел полупроводникового отделения в японских компаниях/
4.2 Электроэнергетическая инфраструктура и полупроводник электропроводник/
Силовая сетка и Power Semiconductor/
Фактическое использование/
Применение электропроводников в промышленном оборудовании/
4.3 Традовая инфраструктура и полупроводник электропроводник/
Power Locomotive и Power Semiconductor/
Фактическое преобразование энергии/
Серия N700 использует IGBT/
Появление гибридного автомобиля/
4.4.
Внешний вид и электропроводник электромобилей/
Функция Power Semiconductors/
Что такое антигипертензивный/повышение?/ /
4.5 Информация, общение и полупроводник власти/
Эра и полупроводник власти/
Фактическое действие/
4.6 Домашние приборы и полупроводник электропроводник/
Что такое индукционная плита IH?/ /
Откуда полупроводник Power?/ /
Светодиодное освещение и полупроводник питания/
Глава 5 Классификация Power Semiconductor/
5.1 Power Semiconductors, классифицированные в соответствии с использованием/
Power Semiconductor -это не -контактный переключатель/
Широкое использование полупроводников Power/
5.2 Power Semiconductor в соответствии с классификацией материала/
Power полупроводниковый и базовый материал/
Спрос на широкий разрыв полупроводника/
5.3 Полупроводники Power, классифицированные по структуре и принципам/
Классификация количества типов нагрузки/
Классификация количества узлов/
Классифицируется по номеру и структуре конечного порта/
5.4 емкость Power Semiconductor/
Какова номинальная стоимость полупроводника Power?/ /
Мощность полупроводникового тока емкость и напряжение разбивки/ напряжение/
Глава 6 Силиконовая пластина для полупроводника Power/
6.1 Что такое кремниевая пластина?/ /
Качество кремния является ключом к Power Semiconductor/
Кремниевая пластина/
Высокий полисиликон/
6.2 Различные методы производства кремниевой пластины/
Два метода производства кремниевых пластин/
Чокоральский метод/
Метод плавающей зоны/
6.3 Разное кристалл FZ отличается от схемы памяти и логики/
Фактический метод изготовления кремниевых кристаллов FZ/
Кристаллизация FZ Большой диаметр/
6.4 Зачем мне нужны кристаллы FZ?/ /
Что такое анализ?/ /
Преимущество метода FZ в контроле концентрации примесей/
FZ Silicon Wafer Challenge/
В какой степени развитие большого диаметра?/ /
6.5 Каков предел кремния?/ /
Кремниевый предел/
В принципе, сопротивление давления определяет предел кремния/
Глава 7 Разработка кремния Power Semiconductor/
7.1 Генерация Power Semiconductor/
Каково полупроводник Power Generation?/ /
Что означает снижение потери электроэнергии?/ /
7.2 Требования к производительности для IGBT/
Недостатки MOSFET/
Чередование поколения IGBT/
7.3 Тип проникновения и не -переносительный тип/
Что такое проникновение?/
Что не -переносительно?/ /
7.4 Появление полевой остановки/
Процесс вырезания поля -Процесс производства/
7.5 Исследуйте разработку типа IGBT/
От плоскости до типа канавки/
Дальнейшее развитие IGBT/
7.6 Постепенно IPM Power Semiconductor/
Что такое модуль питания?/ /
Что такое IPM?/ /
7.7 Охлаждение и мощность полупроводника/
Полупроводник и охлаждение/
Различные меры охлаждения/
Глава 8 SIC и GAN //
8.1 SIC пластина диаметром 6 дюймов/
Что такое SIC?/ /
SIC появляется перед полупроводником Power/
Sic/ с разными кристаллами
Другие функции SIC/
8.2SIC преимущества и проблемы/
Преимущества SIC/
SIC FET структура/
Много проблем/
8.3 SIC Инвертор к практическому развитию/
SIC Application/
8.4 Сложность пластины: что такое гетерогенное расширение?/ /
Что такое Ган?/ /
Как сделать монульсталлы Гана?/ /
8.5gan преимущества и проблемы/
Задача оборудования - много аспектов/
Другие темы/
8.6gan Challenge обычно закрыт/
Крышка должна быть закрыта/
Каковы преимущества нормального закрытого типа?/ /
Одновременные контрмеры/
Очарование Ган/
8.7 Движение производителя пластин/
Затрат на стоимость/
SIC PAFE Business Daily Crescents разные дни/
Движение Ган Пэфер/
Глава 9 Особенности производственного процесса с полупроводниками/
9.1 Разница между полупроводником Power и MOS LSI/
Нужно ли использовать всю пластину с полупроводником Power?/ /
Усовершенствованная логическая схема, сложенная в верхней части пластины/
Различный поток тока структуры/
Вертикальный вид транзисторной структуры/
9.2 Структурные инновации/
Красочная структура МОСФЕТА/
V -способ формирования канавки/
Метод формирования u --образной канавки/
Используется для уникальной структуры мощности полупроводника/
9.3 Широкий рост расширения/
Каков рост расширения?/ /
Устройство роста удлинения/
9.4 Процесс экспозиции с задней и передней части задней части/
Необходимость воздействия на спину/
Что такое рефлюксный диод?/ /
Устройство на обратной экспозиции/
9.5 активность на спине/
Легко быть неправильно понято концентрация примесей/
Пример активации примесей/
Концепция активации/
Пример активационного устройства/
9.6 Что такое технология истончения пластин?/ /
Стенки истончения/
Что такое шлифование спины?/ /
Что такое склон?/ /
9.7 Различия между процессом обратного и переднего иэда/
Что такое процесс Back -End?/ /
Управление продуктом в обработке обратной стороны/
Есть ли разница в процессе обработки обратной стороны?/ /
9,8 Слис немного отличается/
Что такое кусочек?/ /
Скольжение устройства для SIC/

......

573459892
[День] Сато Джуничи
573459892