Второе издание солнечной батареи Материалы Солнечная фотоэлектрическая технология производства энергии Солнечная энергия и фотоэлектрическое преобразование Принцип Основная структура книг
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
c7
Название книги: Материалы солнечных элементов (второе издание)
Цена: 58,00 Юань
Издательство: Chemical Industry Press
ISBN: 9787122302342
Упаковка: Тихий океан
Открыто: 16
Бумага: пластическая версия бумага
Количество страниц: 256
Слова: 430000
Исследования и применение солнечной фотоэлектрической энергии находятся на подъеме в стране, а развитие смежных солнечных фотоэлектрических отраслей является привлекательной индустрией восхода солнца.В этой книге представлены основные принципы солнечной энергии и фотоэлектрического преобразования, а также базовая структура и процесс изготовления солнечных элементов. С точки зрения подготовки материалов и характеристик в нем объясняются основные принципы подготовки и технологии изготовления основных солнечных фотоэлектрических материалов, а также влияние структуры и состава материала на солнечные элементы.Солнечные фотоэлектрические материалы включают монокристаллический кремний Чохральского, литой поликристаллический кремний, ленточный кремний, аморфный кремний, тонкие пленки поликристаллического кремния, полупроводниковые материалы GaAs, тонкопленочные материалы CdTe и CdS, тонкопленочные материалы CuInSe2 (CuInS2) и т. д.
За десять лет, прошедших с момента публикации оригинальной книги, технологическое развитие материалов для солнечных батарей способствовало постоянному повышению эффективности солнечных батарей и постоянному расширению масштабов солнечной фотоэлектрической промышленности.Поэтому необходимы определенные знания, а некоторые знания необходимо расширять.Они полностью отражены в этой книге.Этот «Материалы для солнечных батарей» будет продолжать сопровождать читателей, чтобы они могли наблюдать за непрерывным прогрессом и развитием солнечной фотоэлектрической промышленности моей страны.
Эта книга может использоваться в качестве учителей и учеников в области энергетических областей, таких как полупроводниковые материалы и устройства, материаловая наука и инженерия, а также солнечные фотоэлектрические области колледжей и университетов в качестве учебников
Глава 1 Солнечная и оптоэлектроника преобразование 1
1.1 Солнечная 1
1.2 Солнечное излучение и поглощение 2
1.3 История исследований и применения солнечной оптоэлектроники 3 3
1.4 Исследование и разработка солнечной батареи 6
Ссылка 8
Глава 2 Солнечные электрические материалы и физический фундамент 10
2.1 полупроводниковые материалы и солнечные фотоэлектрические материалы 10
2.1.1 Полупроводниковый материал 10 10
2.1.2 Солнечная электрическая оптоэлектроника 11
2.2 Поток лота и может принести 12
2.2.1 Загрузка ZI 12
2.2.2 Энергия со структурой 12
2.2.3 Электроника и бедная точка 15
2.3 Примеси и дефекты уровня энергии 16
2.3.1 Инструкция полупроводника 16
2.3.2 Impoosum Уровень 17
2.3.3 Глубокий уровень энергии 18
2.3.4 Уровень энергии дефекта 19
2.4 Средства ссуды в соответствии с тепловым балансом 20
2.4.1 Плотность состояния и статистическое распределение потока нагрузки 20
2.4.2 Концентрация носителя этого полупроводника 23
2.4.3 Концентрация носителя и компенсация примесей полупроводника 23
2.5 Несбалансированное носитель меньшинства 25
2.5.1. Генерация, сложная и жизненная продолжительность небалансированной нагрузки 26
2.5.2 Диффузия небалансированной нагрузки 27
2.5.3 Дрейф и диффузия небалансированного носителя под электрическим полем 28
2,6p-n вязание 30
2.6.1p-n подготовка узла 30
2.6.2p-N Структура энергетической ленты 32
2.6.3p-n характеристики напряжения тока 34
2.7 Структура контакта с металлом и MIS 35
2.7.1 Метал-полупроводник контакт 35
2.7.2 Ом Контакт 37
2.7.3MIS Структура 38
2.8 Принципы принципа солнечного фотоэлектрического преобразования——
2.8.1 Поглощение света полупроводниковых материалов 39
2.8.2 Оптический вольт 40
Ссылки 41
Глава 3 Структура и приготовление солнечного батареи 42
3.1 Эффективность структуры и фотоэлектрического преобразования солнечной батареи 42
3.2 Базовый процесс кристаллической кремниевой солнечной батареи 44
3.2.1 Flip Structure 44
3.2.2p-n Джекинг 46
3.2.3 Сокращение рефлекторного слоя 47
3.2.4 Шелковая сеть печать 48
3.2.5 спекание 49
3.3 Пленка Солнце Батарея 49
3.3.1 Гальевая арсенидизированная пленка, Солнечная батарея 49
3.3.2 Averse Crystal Cilicon Thin Plam
3.3.3 Поликристаллическая кремниевая тонкая мембрана Солнце батарея 53
3.3.4cdte тонкая пленка Солнце 54
3.3.5cuinse2 (cuencease2) пленка Солнце Солнце Батарея 55
Ссылки 57
Глава 4 Монокристаллический кремниевый материал 58
4.1 Основная природа кремния 58
4.2 Кремниевые материалы солнечного батареи 61
4.3 Подготовка высокопоставленного полисиликона 62
4.3.1 Метод восстановления водорода кремниевого водорода 62
4.3.2 Метод теплового разложения кремния 63
4.3.3 Метод восстановления водорода тетрахлорида 63
4.4 Подготовка солнечного уровня Polysilicon 64
4.4.1 Solar -Level Polysilicon 64
4.4.2 Физическая металлургическая технология подготовка солнечной батареи Polysilicon 64
Зона 4.5 молоколизированное кремний 66
4.6 Прямой односталлический кремний 67
4.6.1 Принцип роста и процесс прямого кристаллического кремния 67
4.6.2 Технология роста нового прямолинейного кремния 70
4.6.3 Погружения прямого кристаллического кремния 73
4.7 Обработка кремниевых чипов 76
4.7.1 Отрезит 76
4.7.2 Раунд 76
4.7.3 Слип 77
4.7.4 Химическая коррозия 79
Ссылки 79
Глава 5 Примеси и укусы в монокристаллическом кремнеоне неверны 81
5.1 кислород 81 в прямом кристаллическом кремнеоне с прямым пульсом 81
5.1.1 Основная природа кислорода 82
5.1.2 Термический кислород - владелец 84
5.1.3 кислородные отложения 86
5.1.4 Boron Oxygen 90
5.2 Cyc Carbon 94 в монокристаллическом кремниевом монокристаллическом силиконе прямое вытягивание 94
5.2.1 Основная природа углерода 94
5.2.2 Углерод и кислород осаждение 95
5.3 Металлические примеси в однокременном силиконе 97 прямого тяги 97
5.3.1 Основная природа примеси металла 97
5.3.2 Металлический комплекс и осадок 101
5.3.3 Контроль примеси металла 102
5.4 Прямой одиночный кремний неверен 103
5.4.1 Bad Basic Nature 104
5.4.2.
5.4.3 Коррозия и представление средних ошибок в кристаллическом кремнии 107
5.4.4 Влияние ошибки в средней школе кристаллического кремния на солнечные батареи 109
Ссылки 110
ГЛАВА 6 CASTING POLYCRYSTALLINE SILICON 112
6.1 Обзор 112
6.2 Процесс подготовки литья Polysilicon 113
6.3 Кристаллический рост полисиликона литья Polysilicon 116
6.3.1 Совместное сырье Polysilicon 116
6.3.2 6 117
6.3.3 Процесс роста кристаллов 117
6.3.4 Влияние факторов роста кристаллов 118
6.3.5 Кристаллическое допинг 120
6.4 Эффективный литейный полисиликон - это подготовка 121
6.5 литья (квази) препарат монокристаллического кремния 122
Ссылки 125
Глава 7 Примеси и дефекты в литовой полисиликоне 126
7.1. Кислород 126 в кастинговом полисиликоне 126
7.1.1 кислородные примеси в нативном литовом полисиликоне 126
7.1.2 Владелец кислорода и осаждение кислорода в нативном литовом полисиликоне 127
7.1.3 Термическая обработка кислорода в поликристаллическом кремнии 129
7.2 Лить углерода 131 в полисиликоне 131
7.2.1 Примеси углерода в родном литовом полисиликоне 131
7.2.2 Термическая обработка углерода в полисиликоне в литье Polysilicon 132
7.3 Лить азот 134 в полисиликоне 134
7.3.1 Лить примеси азота в полисиликоне 134
7.3.2 Лить азот -кислородный комплекс в Polysilicon 136
7.3.3 Влияние азота в полисиликоне в полисиликоне для владельцев кислорода и кислорода 138
7.4 литье водорода 138 в Polysilicon 138
7.4.1 Лить примесей водорода в полисиликоне 138
7.4.2 Отличие пассивационного эффекта водорода в полисиликоне в Polysilicon 139
7.5 Металлические примеси и поглотители в полисиликоне в полисиликонах 140
7.5.1 Металлические примеси в поликристаллическом кремнии 140
7.5.2 Осаждение металла в полисиликоне в литье Polysilicon 141
7.5.3 Поглощение литья полисиликона 142
7.6 Кристаллическое царство в поликристаллическом кремнеоне 145
7.6.1 Кристаллическое царство Polysilicon 145
7.6.2 металлическое осаждение на листовом полисталлическом кремниевом кристалле 147
7.6.3 литье поликристаллического кремникового кристалля -водорода.
7.7 Бит в кастинге Polysilicon 150
7.7.1 Casting Polycrystalline Silicon Pass 150
7.7.2 Влияние бита Casting Polysilicon на электрические характеристики 151
Ссылка 152
Глава 8 Принесите кремниевый материал 153
8.1 Приготовление кремниевого материала 153
8.1.1 Ограничения по краям на тонкой пленке с технологией роста кремния 154
8.1.2 линейная тяга с технологией роста кремния 155
8.1.3 Кремниевое судно 155
8.1.4 Технология роста кремния на подложке 156
8.1.5 Крафт -порошок с технологией роста кремния 157
8.2 Основные проблемы с ростом кремния 158
8.2.1 Стабильность края 158
8.2.2 Контроль напряжения 158
8.2.3 Доходность 159
8.3 Дефекты и примеси с кремниевыми материалами 159
8.3.1 Crystal World 159 с кремниевыми материалами
8.3.2 Бит кремниевого материала 160
8.3.3 Примеси с кремниевыми материалами 161
8.4 Гидрирование и решетки из кремниевых материалов 161
8.4.1 Пассивация водорода с кремниевым материалом 161
8.4.2 Всасывание с кремниевым материалом 162
Ссылка 163
Глава 9 Африканский кристаллический кремниевый фильм 164
9.1 Основная природа непревзойденной кристаллической кремниевой пленки 165
9.1.1.
9.1.2 Структура энергетической полосы аморфного кремния 166
9.1.3 Основные особенности аморфного кремния 168
9.2 Плазменное химическое газовое атмосфера Седиментация для индуистов кремниевой пленки 169
9.2.1 Основные принципы светового разряда 169
9.2.2 Плазма Увеличенное осаждение химического газа для подготовки к этегиводной кремниевой пленке 170
9.2.3 Рост аморфной кремниевой пленки 171
9.2.4 Механизм роста аморфной кремниевой тонкой пленки 172
9.3 Допинг силиконовой пленки Ullen 174
9.3.1 Dup of Ondencess Silicon 174
9.3.2 Impurites в тонкой пленке отеопильного кремния 175
9.4 водород 176 в тонкой пленке аморфного кремния
9.4.1 Силиковые водородные клавиши 176
9.4.2 Плотность состояния водорода в аморфном кремнии 177
9.5 Оптическое затухание в аморфном кремниевой тонкой пленке 178
9.5.1 Эффект оптического ослабления аморфной кремниевой пленки 178
9.5.2 Затронутые факторы влиятельных факторов некристаллического кремниевого тонкого пленки эффект оптического ослабления 180
9.5.3 Уменьшение и устранение оптического эффекта распада аморфной тонкой пленки 180 кремния 180
9.6 Африканский кристаллический кремниевый сплав 182
9.6.1 Тонкая пленка аморфного кремниевого углеродного сплава 182
9.6.2 Африканский кристаллический кремниевый полиминовый сплав 183
9.7 Африканский кристаллический кремний/микрокаристаллическая кремниевая пленка 184
Ссылки 184
Глава 10 Polysilicon Film 186
10.1 Основная природа поликаристаллической кремниевой пленки 186
10.1.1 Особенности поликристаллической кремниевой пленки 186
10.1.2 Технология приготовления поликристаллических плюсов кремния 187
10.1.3 Кристаллический мир и дефекты поликристаллической кремниевой пленки 189
10.1.4 Примеси поликристаллической кремниевой пленки 190
10.2 Подготовка осаждения химического газа Polysilicon Film 191
10.2.1 Плазма, усиленная химическим осаждением газа, полисиликон тонкая пленка 191
10.2.2 Система осаждения химического осаждения с низким напряжением
10.2.3 Система осаждения термического газа подготовка Polysilicon Film 194
10.3 Аморфная кремниевая кристаллизационная пленка Polysilicon Film 196
10.3.1 CICS Preparation of Polycrystalline Silicon Film 197
10.3.2 Металлическая кристаллизация, индуцированная металлом
10.3.3 Краткая тепловая обработка
10.3.4 Лазерная кристационная подготовка поликристаллической кремниевой пленки 201 201
Рекомендации 202
Глава 11 Материал полупроводника GAAS 204
11.1GAAS Материал природа и солнечный элемент 204
11.1.1 Основная природа Гааса 204
11.1.2GAAS Солнце батарея 207
11.2GAAS тела монокристаллического материала 208
11.2.1 Модисталл мост мост Manfan French Gaas 208 208
11.2.2 Жидкое уплотнение Метод прямой тяги GAAS Mold Crystal 210
11.3GAAS Тонкий монокристальный материал 2111
11.3.1 Твердое удлинение с твердым фазовым удлинением GaAs
11.3.2 Металлоорганическая химическая утилизация QI Внешнее препарат GAAS Тонкопленок Мольсталл 212
11.3.3si, GE Substrate Внешняя задержка
11.4 Примеси в кристаллах Гааса 216
11.4.1GAAS Monocrystalline Doping 216
11.4.2 Примеси в монокристаллах Гааса 217
11.5 Дефекты в ГААС Кристаллов 219
11.5.1 точечные дефекты в монокристалле 219
11.5.2 шаг в монтекале Gaas 219
11.5.3 Дефектная пассивация водорода 220 в монокристалле Гааса 220
Ссылки 221
ГЛАВА 12 CDTE и CDS Пленка Материал 222
12.1cdte Материал и солнечный элемент 222
12.1.1 Основная природа фильма 222
12.1.2cdte тонкая пленка Солнечная батарея 224
12.2 Подготовка материала пленки CDTE 224
12.2.1 Метод сублимации ближнего пространства 225
12.2.2 Метод электрохимического осаждения 226
12.2.3 Метод осаждения переноса QI Фаз 230
12.2.4 Другие технологии для подготовки CDTE Film 230
12.5CDTE Пленочный материал Тепловая обработка 231
12.3 CDS Тонкопленка 232
12.3.1 CDS Material Material Basic Nature 232
12.3.2CDS PLINT Material Preparation 232
12.3.3 CDS ТЕХНИЧЕСКАЯ ТЕПРИЗАЯ МАТЕРИАЛА 235
12.3.4cds Defect 236.
Ссылка 237
ГЛАВА 13 CUINSE2 (CUNGEASE2) Серия тонкопленка 239
13.1cuinse2 (cuinxga1-xse2) Материал и солнечный элемент 240
13.1.1cuinse2 (cuinxga1-xse2) Материал Базовая природа 240
13.1.2cuinse2 (Cuinxga1-XSE2) Тонкая пленка Солнечная элемента 241
13.2cuinse2 (cuengease2) Подготовка пленки 241
13.2.1. Несколько метода подготовки к пленке Cuinse2 242
13.2.2 Всего испарения юридическая система Cuinse2 Тонкая пленка 242
13.2.3cuingase2 Подготовка к фильму 243
13.3 природа материала материала и солнечного батарею 245
13.3.1 Основная природа материалов 245
13.3.2Cuins2 Солнце Аккумулятор 247
13.4 Подготовка фильмов 247
13.4.1 Метод сульфида готовит CUINS2 Тонкопленку Материал 247
13.4.2 Метод осаждения брызговика Prenes Cuins2 Mabine 248
13.4.3 Химические водяные ванны подготовка Cuins2 Пленок Материал 248
13.5cu2znsns4 Пленочный материал и солнечный элемент 250
13.5.1cu2znsn4 Материалы материалов 250
Солнечный аккумулятор 251 из 13.5.2cu2znsn4
13.6cu2znsns4 Подготовка пленкового материала 252
13.6.1. Испарительная юридическая подготовка CZTS Material 252
13.6.2 Метод Splane Подготовьте материал пленки CZTS 253
13.6.3 Химическое решение правовой системы CZTS Thin Plam
Ссылки 255
0123456789
