8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Основы численного анализа полупроводниковых солнечных элементов (том 1), Чжан Вэй, Профессиональные физические технологии, Подлинные книги книжного магазина Синьхуа, Science Press

Цена: 3 078руб.    (¥145.66)
Артикул: 683842288832

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:新华在线图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Выберите вариацию / цвет
  • Основы численного анализа полупроводниковых солнечных элементов. Том 1
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 51 50.971 077руб.
¥ 116.4 115.52 441руб.
¥36.2765руб.
¥86.91 837руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии
Регулирование: Основы численного анализа полупроводниковых солнечных элементов. Том 1
]]> 1
Основная информация
Основы численного анализа полупроводниковых солнечных элементов (Том 1)
Чжан Вэй
Конечно  цена:198
Издательское агентство:научная пресса
Страница  число:432
Дата публикации:01 августа 2022 г.
Пакет  рамка:Оплата в мягкой обложке
ISBN:9787030729231
]]> 2
Оглавление
●Примечания к публикации «Серия полупроводниковой науки и технологий»
последовательность
Предисловие
Глава 1. Базовое изображение полупроводникового солнечного элемента 1.
1.0 Обзор 1
1.1 Базовое изображение 2
1.1.1 Солнечный спектр 2
1.1.2 Полупроводниковые фотоэлектрические материалы 4
1.1.3 Термодинамический образ 6
1.1.4 Изображение энергетического диапазона 8
1.2 Физика устройства 10
1.2.1 Светопоглощение 10
1.2.2 Вероятность перехода 12
1.2.3 Уровень миграции 14
1.2.4 Спонтанная излучательная рекомбинация 16
1.2.5 Компаундирование с учетом дефектов 17
1.2.6 Оже-рекомбинация 18
1.2.7 Эффект столкновительной ионизации 19
1.2.8 Транспортная система 20
1.3 Конструкция устройства 21
1.3.1 Поверхность и интерфейс 21
1.3.2 Оконный слой 24
1.3.3 Заднее поле градиента концентрации 24
1.3.4 Транспорт на интерфейсе гетероперехода 24
1.3.5 Скорость рекомбинации границ, определяемая рассогласованием решеток 25
1.3.6 Влияние барьера гетероперехода на скорость интерфейсной рекомбинации 26
1.3.7 Контакт металл-полупроводник 26
1.3.8 Просветляющее покрытие 28
1.4 Срок службы фотогенерированных носителей 28
1.4.1 Концепция 28
1.4.2 Срок службы типового составного механизма 30
1.4.3 Эффект помощи на местах от материалов с низкой мобильностью 31
1.4.4 Испытание на срок службы 31
1.4.5 Самоциркуляция фотонов 33
1.5. Классическая аналитическая модель pn-перехода 34.
1.6 Типовые параметры солнечных элементов 37
1.6.1 Квантовая эффективность 37
1.6.2 Коэффициент заполнения 38
1.6.3 Напряжение холостого хода 38
1.7 Идеальное напряжение холостого хода 41
1.7.1 Расчет идеального напряжения холостого хода 1: Модель диода 41
1.7.2 Оценка срока службы безызлучательной рекомбинации материалов на основе напряжения холостого хода 43
1.7.3 Высокое напряжение холостого хода имплантируемых материалов 43
1.7.4 Расчет идеального напряжения холостого хода 2: Подробная модель баланса 44
1.7.5 Предельное напряжение холостого хода, определяемое скоростью поверхностной рекомбинации 45
1.8 Модель схемы 45
1.8.1 Влияние основных параметров 46
1.8.2 Неровности плоскости 47
1.9 Множественные узлы 48
1.9.1 Основные функции 48
1.9.2 Количество узлов и эффективность 50
1.9.3 Туннельные диоды в многопереходных солнечных элементах 52
1.9.4 Обратный барьер в многопереходных солнечных элементах 55
1.9.5 Согласование в многопереходных солнечных элементах 56
1.9.6 Самоциркуляция фотонов в многопереходных солнечных элементах 58
Ссылки 59
Глава 2. Основной процесс численного анализа полупроводниковых солнечных элементов 65
2.0 Обзор 65
2.1 Задачи численного анализа устройства 67
2.2 Основной процесс численного анализа 67
2.2.1 Создание и обработка модели 69
2.2.2 Чтение параметров 70
2.2.3 Предварительная обработка 74
2.2.4 Инициализация сети 74
2.2.5 Дискретизация уравнения переноса 75
2.2.6 Решение нелинейных уравнений 75
2.2.7 Адаптация сети 75
2.2.8 Постобработка 75
2.3 Модульность и универсальность 76
2.4 Обзор зарубежного ПО 78
Ссылка 80
Глава 3 Электронные государства 82
3.0 Обзор 82
3.1 Основные электронные состояния 84
3.1.1 Электронные состояния в свободных атомах 84
3.1.2 Электронные состояния в материальных атомах 87
3.1.3 Одноэлектронное приближение 88
3.1.4 Вибрация решетки 89
3.2 Кристаллическая симметрия 90
3.2.1 Обзор 90
3.2.2 Вращение 92
3.2.3 Зеркало 95
3.2.4 Вращение и зеркальное отображение 96
3.3 Базовая структура групп симметрии 97
3.3.1 Основные понятия групп 97
3.3.2 Линейное представление групп 98
3.3.3 Точечная группа кубического кристалла 101
3.3.4 Представление вращения одним значением 105
3.3.5 Представление вращения с двойным значением 108
3.3.6 Угол Эйлера 111
3.3.7 Представление прямого произведения 112
3.3.8 Представление одного значения группы точек 114
3.3.9 Представление одного значения Td 117
3.3.10 Представление одного значения Oh 119
3.3.11 Представление двойного значения группы точек 121
3.4. Пространственные группы и их представления 125
3.4.1 Определение пространственной группы 125
3.4.2 Представление группы трансляции 126
3.4.3 Сильно локализованные базисные функции: функции Ванье 130
3.4.4 Симметрия волнового вектора 131
3.4.5 Представление пространственных групп 133
3.4.6. Представление пространственных групп Si и GaAs 134
3.5. Зонная структура, определяемая симметрией 135
3.5.1 Коррекция возмущений 135
3.5.2 Дисперсия энергии вблизи экстремальных значений 136
3.5.3 Элементы матрицы перехода 139
3.5.4 Типичная зонная структура 141
3.5.5. Двухзонная модель кубического кристалла 150
3.5.6 Непараболические свойства энергетических зон 152
3.6. Электронные состояния в слабых внешних полях 153
3.6.1 Многополосная огибающая: представление Кейна 153
3.6.2 Многодиапазонная функция огибающей: представление Ванье 156
3.6.3 Уравнение двухполосной огибающей функции 159
3.6.4 Огибающая функция двумерной структуры 160
3.7 Плотность состояний 161
3.8 Структура данных 164
3.8.1 Ситуация с несколькими энергетическими диапазонами 165
3.8.2 Двухуровневая структура данных электронного состояния 167
Ссылка 168
Глава 4 Транспортная модель 172
4.0 Обзор 172
4.1 Основы газодинамики 174
4.1.1 Кинетические уравнения 174
4.1.2 Приведенная функция распределения 175
4.1.3 Двухкорпусная модель 177
4.1.4 Уравнение динамики одиночных частиц 178
4.1.5 Типичные механические величины в солнечных элементах 179
4.2 Среда передачи энергии: электронный газ 180
4.2.1. Модель среднего поля и идеального газа 180
4.2.2. Модель квантового газа Ферми электронов 181
4.2.3 Статистика операторов связи 182
4.2.4. Термодинамические величины электронного газа 183
4.3 Точки Ферми-Дирака 185
4.3.1 Определение 185
4.3.2 Численные расчеты 186
4.3.3 Алгебраические рациональные многочлены 187
4.3.4 Вычисление непараболических ленточных интегралов 187
4.4. Рассеяние между несущими 188
4.4.1 Концепция столкновения 188
4.4.2 Механизм столкновения 189
4.4.3 Характеристическое время 193
4.5. От уравнений одной частицы к макроскопическим уравнениям переноса 195
4.5.1 Нормализация 195
4.5.2 Параметрические уравнения 196
4.5.3 Стационарная функция распределения 197
4.5.4 Модель транспортировки энергии 198
4.5.5 Плотность потока 200
4.5.6 Сферическая энергетическая зона и приближение времени релаксации 201
4.5.7 Численная реализация плотности потока 202
4.5.8 Уравнение переноса 203
4.5.9 Модель диффузионного дрейфа 207
4.5.10 Квантовая модификация квазиклассической модели 208
4.6 Единая основа механики жидкости 209
4.7. Квантовый случай 211
4.7.1 Квантовая транспортная модель 211
4.7.2. Квантовые дискретные уровни энергии 214
4.8 Структура данных транспортной модели 215
4.8.1 Структура данных простой транспортной модели 216
4.8.2 Расширение транспортной модели до структуры данных энергетического диапазона 218
4.8.3 Расширение транспортной модели до структуры данных материала 219
Ссылки 220
Глава 5. Статистика зарядов и скорость рекомбинации дефектов 225
5.0 Обзор 225
5.1 Статистические термодинамические изображения 226
5.1.1. Простое ансамблевое изображение распределения заряда полупроводника 226
5.1.2 Соответствующие основы статистической термодинамики 227
5.2. Статистическая модель термического равновесия стабильных дефектов 229
5.2.1 Статистическая термодинамическая модель независимых многосостоятельных многоуровневых дефектов 229
5.2.2. Двухуровневый одноэлектронный центр 230
5.2.3 Уравнение зарядовой нейтральности 233
5.2.4 Легирование n-типа: GaInP/AlInP-Si 234
5.2.5 Трехуровневое состояние двухэлектронного центра 235
5.2.6 Статистика заряда полигосударства в CdTe 237
5.3 Статистическая термодинамическая модель дефектных химических реакций 237
5.3.1 Основные формулы 238
5.3.2. Скорость ионизации, определяемая реакцией легирующей ионизации 238
5.3.3 Статистико-механическая модель заполнения дислокаций 239
5.4 Типичный аморфный полупроводник: аморфный кремний 241
5.4.1 Слабые ключи 241
5.4.2 Плотность дефектных состояний 242
5.4.3 Модель плотности дефектных состояний оборванной связи в моделировании устройства 246
5.5. Плотность заряда хвостовых состояний и состояний Гаусса 247
5.6. Динамическая модель рекомбинации дефектов 250
5.6.1 Композитная модель синглетного дефекта-SRH 250
5.6.2. Связь между скоростью рекомбинации SRH, сечением захвата и положением уровня энергии дефекта 253
5.6.3 Многоуровневая полиморфная ситуация 253
5.6.4. Композитная модель аморфного кремния с тремя состояниями 255
5.7. Сокращение запрещенной зоны 256
5.7.1. Антикроссинг в разбавленных соединениях NIII-V 256
5.7.2. Уменьшение запрещенной зоны, вызванное сильным легированием 257
5.8 Структуры данных, связанные с дефектами 257
5.8.1 Структура данных дефектов инкапсуляции 257
5.8.2 Структура данных функционального уровня и подуровня 258
5.8.3 Структура данных блока материала 262
5.9. Расчет вероятности заполнения и скорости рекомбинации 263
5.9.1 Числовое переполнение вероятности занятия заряда 263
5.9.2. Подпрограммы численной стабилизации вероятности занятия заряда 264
5.9.3. Подпрограмма скорости рекомбинации для одноуровневых дефектов 267
5.9.4 Подпрограмма точечного заряда для дефектов композита 270
5.9.5. Подпрограмма скорости рекомбинации для сложных дефектов 271
5.10 Расчет непрерывного распределения дефектных состояний 271
5.10.1 Алгоритм адаптивного интегрирования для непрерывного распределения состояний дефекта 271
5.10.2. Метод интегрирования Гаусса с хвостовыми состояниями и дефектами Гаусса 273
5.11 Расширение транспортной модели дефектами 275
5.11.1 Транспортная модель при наложении дефектов 275
5.11.2 Транспортная модель неупорядоченных органических полупроводниковых приборов 276
5.12 Квант 277
5.12.1. Рекомбинация в квантовом 277
5.12.2 Квантовая структура данных 278
Ссылка 278
Глава 6. Скорость оптической генерации 282
6.0 Обзор 282
6.1 Основы электромагнетизма 284
6.1.1 Комплексное векторное уравнение Максвелла 285
6.1.2 Потенциальная форма уравнения Максвелла 286
6.1.3 Условия непрерывности интерфейса мутации 287
6.1.4 Плоские волны 288
6.1.5 Микроскопическая модель коэффициента поглощения 290
6.1.6. Поглощение в квантовой области 292.
6.2. Тонкопленочные оптические каркасы в солнечных элементах 292
6.2.1. Тонкопленочная оптическая аппроксимация солнечных элементов 292
6.2.2 Скорость оптической генерации 293
6.2.3 Непрерывность границы раздела плоских волн 294
6.2.4 Матрица переноса интерфейса для плоских волн 297
6.2.5 Матрица передачи плоской волны 298
6.2.6 Коэффициент отражения и прохождения 300
6.2.7 Амплитуда электромагнитного поля многослойных пленок 302
6.2.8 Интенсивность света и производительность многослойных пленок 302
6.2.9 Многослойные пленки при нормальном падении 303
6.3 Толстокристаллическая и смешанная пленочная система 305
6.3.1 Толстый кристалл, модель 305
6.3.2 Тонкопленочная и толстопленочная смешанная пленочная система 306
6.4 Неровные поверхности 308
6.4.1 Случайно шероховатые поверхности 308
6.4.2. Скалярная модель рассеяния для случайных шероховатых поверхностей 309
6.4.3 Многослойная пленочная система со случайным шероховатым интерфейсом 311
6.4.4 Алгоритм трассировки лучей графической поверхности 311
6.5 Численные расчеты 312
6.5.1 Типичные вычислительные требования 312
……
]]> 3
краткое введение
В этой книге рассматриваются четыре части физической модели устройства, структура данных, численный алгоритм и программная реализация, необходимые для численного анализа полупроводниковых солнечных элементов. В нем основное внимание уделяется всем тонкостям физической модели, объектно-ориентированности структуры данных, простоте и эффективности численного алгоритма, а также полной и подробной программной реализации. В конечном итоге это помогает читателям быстро разрабатывать инструменты численного анализа для своей работы. Эта книга основана на 20-летнем опыте автора в области физики и технологии изготовления многопереходных солнечных элементов III-V. Соответствующее содержание представляет собой обобщение и уточнение более чем десятилетней работы по разработке программного обеспечения для численного анализа многогетеропереходных солнечных элементов с независимыми правами интеллектуальной собственности. Часть содержания преподавалась в качестве профессионального курса для аспирантов Шанхайского института аэрокосмических технологий.Эту книгу можно использовать как систематическое учебное и справочное пособие для технических специалистов, занимающихся исследованиями и подготовкой полупроводниковых солнечных элементов. Он также может быть использован в качестве учебного материала для студентов старших курсов и аспирантов смежных специальностей.В то же время соответствующие модели и методы могут быть непосредственно применены при разработке программного обеспечения для численного анализа полупроводниковых оптоэлектронных устройств и твердотельных микроволновых устройств.
]]> 4 ]]> 5