Изоляция топологии: фундамент и новое применение/Peng Hailin
Цена: 1 737руб. (¥96.6)
Артикул: 616361227577
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:科学出版社旗舰店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥27.7499руб.
¥156.422 813руб.
¥102.41 842руб.
¥158.42 849руб.
Параметры продукта
| Топология оскорблена: фундамент и новое применение | ||
 | Используемая цена | 138.00 |
| Издатель | Science Press | |
| Версия | 1 | |
| Опубликованная дата | Февраль 2020 | |
| формат | 16 | |
| Переводчик | Пенг Гэйлин Пенг Гэйлин | |
| Украсить | Квартира -Ридж в твердом переплете | |
| Количество страниц | 157 | |
| Число слов | 220000 | |
| Кодирование ISBN | 9787030641175 | |
Введение
Изоляция топологии - это новый квантовый материал с внутренней изоляцией и интерфейсом, позволяющий заряжать.Изолятор топологии имеет уникальную электронную структуру, включающую много важных физических явлений и механизмов, а также демонстрацию превосходных физических химических свойств и широких перспектив применения.Эта книга основана на научных исследованиях автора в области изолятора топологии в течение многих лет, в сочетании с новыми исследованиями исследований в домашних условиях и за рубежом, а также из теоретической основы изоляции топологии, система вводит материальную систему и соответствующую подготовку Методы топологического изолятора и введены его подробно.
Оглавление
Оглавление
Общий порядок
Предисловие
Глава 1 Основная теория верхних поворотов Изоляция 1
1.1 Последовательность топологии и топологическая фаза 1
1.1.1 Лэнгдо теория изменения фазы 1
1.1.2 Введение в последовательность топологии 2
1.1.3 Последовательность топологии и Chen Shu 3
1.1.4 Особенности туризма 5 5
1.2 Двухмерная топология Изоляция и квантовая спиновая холль.
1.2.1 Генерация состояния края 6
1.2.2 Принцип TKNN и ** Чен Шу 7
1.2.3 z2 Z2 Топологические без присмотра и квантовая спиновая зал 9 Эффект 9
1.3 Трехмерный страховщик топологии 11
1.3.1 можно изменить 11
1.3.2 Тонкораторная трехмерная топология изоляторов 12
1.4 Физические свойства топологической изоляции 14
1.4.1 Соединение спин -орбиты 14
1.4.2 Юань из перевозчика рассеянного транспортного поведения 14
1.4.3 Квантовая когерентность и эффект анти -волной локализации 15
1.4.4 действует в сильном магнитном поле на сильном магнитном поле 15
Ссылки 16
Глава 2 Материала Топология 18
2.1 Двухмерная страховка топологии 19 19
2.1.1 Графен 20
2.1.2 HGTE/CDTE Квантовая структура ловушки 22
2.1.3 Другая система 24
2.2 Трехмерная страховка топологии 25
2.2.1 ** Категория 3D Топология разъяснение
2.2.2 Два типа трехмерной страхования топологии 28
2.3 Органическая топология изоляция 30
2.4 Topo Kondo Kondo Изолятор 32
2.5 Топология кристаллическая изоляция 34
2.5.1 Pb1-xSnxTe 35
2.5.2 Pb1-xSnxSe 38
2.6 Superconductor Topology 38
2.7 El Semi -Metal 41
2.7.1 ** класс Erxin 42
2.7.2 Тип EL Semi -Metal 44
Ссылки 48
Глава 3 Метод подготовки верхних турок 52
3.1 Рост топологического изолятора монокристаллического блока 52
3.1.1 Метод роста монокристалля туризма 52
3.1.2 Энергетический проект топологии монокристаллический блок материал 55
3.2 Подготовка туризма зажигает низкую нано -структуру 58
3.2.1 Погружение в юридическую подготовку высшего вещества Nanmi Film 59
3.2.2 Метод решения Синтетическая топология Изоляция исчезла нано -структура 62
3.2.3. Топологическая нано -структура химического осаждения газа 65
3.2.4 Рычаг топологии удлинения молекулярного луча 72
3.2.5 Экспрессия Vandewasus выращивает рычаг топологии 77
Ссылка 86
Глава 4 Период природы топологического изолятора 90
4.1 Сканирующий туннельный микроскоп и туннельный спектр 90
4.1.1 Сканирующий туннельный микроскоп и технический фонд туннельного спектра 90
4.1.2 Применение сканирующего туннельного микроскопа в исследованиях изоляционных материалов топологии 92
4.1.3 Применение спектра сканирующего туннеля в исследованиях топологических изоляционных материалов 94
4.2 Угольное разрешение оптическое электронное энергетическое спектр 100
4.2.1 Угол угла оптического электронного энергетического спектра основания 100
4.2.2 Угол топологического изолятора. Оптическое электронное энергетическое спектр 106.
4.3 Измерение электрической транспортировки верхней туристической изоляции 111
4.3.1 Квантовой эффект 111
4.3.2 Эффект анти -волной локализации 113
4.3.3 Schunikov-Dehas Quantum Vicillation 114
4.3.4 Эффект квантового зала 116
4.3.5 Квантовой самостоятельный эффект зала 119
4.3.6 Эффект квантового аномального зала 123
Ссылки 126
Глава 5 Применение топологической изоляции 130
5.1 Топология Изолятор Self -Spin Electronic Device 130
5.1.1 Формирование и развитие самостоятельной электронной науки 131
5.1.2 Электронные устройства Self -SPIN на основе топологии Изоляции/магнитного интерфейса железа 132
5.2 Изоляция топологии, электронное устройство 134
5.3 Оптоэлектронный компонент тела топологической изоляции 137
5.3.1 Генерация и контроль поверхности топологии топологии 137
5.3.2 Применение топологического инсулята
5.3.3 Манипулирование оптическими электронами на поверхности топологии и потенциальное применение его потенциального применения в оптоэлектронном катодном устройстве 139
5.3.4 Ультра -быстрый ток поверхностного света в топологической изоляции и его потенциальное применение в ультра -быстрых оптоэлектрических компонентах 140
5.4 Топологическая изоляция прозрачная проводящая пленка 142
5.4.1 Гибкие прозрачные электроды двухмерной пленки на основе топологической изоляции BI2SE3 143
5.4.2 Широкий спектр гибкий прозрачный электрод на основе топологической изоляции двухмерной сетки 146
5.4.3 Прозрачные электроды сетки прозрачного электрода сетки на основе вставки Cu Topology Bi2se3 комплекс 149
5.5 Термоэлектрический материал с топологией. 150
5.5.1 Термоэлектрический эффект топологического изолятора 150
5.5.2 Система топологической изоляции тепловой энергии 151
Ссылка 153
Индекс ключевых слов 156