[Все 2 тома] Производство Чипа полупроводниковых процессов Практическое учебное пособие, 6 -е издание+Технология графических чипов.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| 【Все 2 тома】 Производство чипов—— | ||
 | Ценообразование | 118.00 |
| Кодирование ISBN | T9787121243363 | |
| Графическая технология чипов | ||
 | Ценообразование | 49.00 |
| Издатель | Химическая промышленность пресса | |
| Опубликованная дата | Июль 2019 | |
| формат | 32 | |
| автор | Tian Minbo собрал | |
| Количество страниц | 300 | |
| Кодирование ISBN | 9787122339607 | |
Введение
В ответ на многоуровневые потребности в записи, кандидаты и исследования и разработки#, подразумевая большую информацию, «рисование чип -технологии» использует форму графики и текста, которая всесторонне и кратко вводит принципы работы с чипами , интегрированные схемы, технологии производства, новый прогресс, новые приложения и перспективы развития чипов.Под каждой главой“ ясно ясно&Rdquo; как обсудить путь, с правильной картинки, изображения и текста, и дайте его&Ldquo; фокус этого раздела”.Стремиться к простому и простому -для -понятном, простое -для -понятно; четкие уровни, четкие идеи; богатый контент, основные моменты; новый выбор материалов, подчеркивая приложения.
Эта книга может быть использована для студентов, таких как микроэлектроника, материалы, физика, точные инструменты, а также технические и технические сотрудники в смежных областях.
об авторе
Tian Minbo, Университет Цинхуа, Школа материалов, профессор, докторский супервайзер, в течение длительного времени занимается предварительным исследованием учебных материалов и достигал первоначальных достижений в области электронных материалов, упаковочных технологий, магнитных материалов и порошковые материалы.Темы, которые предполагались, являются: (1) крупные проекты научных фондов“ базовое исследование упаковки с высокой плотностью” (2) Международное проект сотрудничества&Ldquo; Zero Contraction Specing LTCC Research” (3)&Ldquo; пятнадцать&Rdquo; Pre -Research Project военной промышленности“ Новый тип уровня LCCC-3D MCM Technology Research” (4)“863&rdquo&Ldquo; исследования и разработка материалов серебристого раскладывания полимера” (5)“985” проект на лице&Ldquo; с низкой температурой Co -Burning Ceramic Multi -Layer Substrate и исследования упаковки с высокой плотностью и т. Д.
Оглавление
Глава 1  Введение в интегрированную схему
1.1  Обзор 2
1.1.1  от отдельных компонентов до интегрированной схемы 2
1.1.2  от кремниевого круглого чипа до чипа до упаковки 4
1.1.3  функция триода—— его можно сравнить с водными дорогами со шлюзой 6
1.1.4  N DITIC MOS (NMOS) Триод Принцип работы 8
1.1.5  Diend State Chateage Cuccepare на устройствах MOS 10
1.2  полупроводниковый кремниевый материал—— Core и Foundation интегрированной схемы 12
1.2.1  MOS -тип и транзистор биполярного узла 12
1.2.2  Диаграмма рисунка конструктора CMOS (тип типа P) 14
1.2.3&Nbsp; блок хранения флеш“ написать”“ стирание”“ читать&Rdquo; принцип работы 16
1.3  Классификация компонентов интегрированной цепи 18
1.3.1  функции и типы IC 18
1.3.2 ram и rom20
1.3.3  метод классификации полупроводниковых устройств 22
1.4  Процесс процесса процесса полупроводниковых устройств 24
1.4.1  передний процесс и задний корабль 24
1.4.2  IC -чип -процесс процесса введение 26
Забронировать на мысе чайный стол
Десять лучших вех в истории интегрированной схемы 28
Глава 2 от диоксида кремнезема до пластины
2.1  полупроводниковый кремниевый материал 36
2.1.1  кремний в настоящее время является важным полупроводниковым материалом 36
2.1.2  кристаллические дефекты в монокристаллическом кремнеоне 38
2.1.3  PN0 в примесях в PN Knot 40
2.1.4  Классификация сопротивления изоляторам, полупроводникам и проводникам по сопротивлению 42
2.2  от кремния к кремнию в кремнии до 99,99999999%высокого кремния 44
2.2.1  Процесс 44 от Spar сырья до полупроводниковых компонентов 44
2.2.2  от восстановления кремнезема до металлического кремния 46
2.2.3  выборы и рост Polysilicon 48
2.3  от полисиликона до монокристаллической кремниевой палочки 50
2.3.1  улучшить производство Polysilicon 50
2.3.2  Czochralski (метод CZ) Потяните мольсталлический кремний 52
2.3.3  районный районный роли
2.3.4  Причины и меры устранения в средней ошибке метода прямой тяги 56
2.4  от монокристаллического кремния до пластины 58
2.4.1  размер пластины продолжает расширять 58
2.4.2  обработка логотипа ориентации первые 60
2.4.3  разрезайте кремниевые пробелы на куски кремниевого круглого листа 62
2.4.4  кремниевый круг имеет множество различных типов 64
2.5  Polishing Film, Fire Retreat, Extension Film, Soi Film 66
2.5.1  Polishing Film and Anealing Film 66
2.5.2  Внешнее расширение 68
2.5.3  SOI Film 70
Забронировать на мысе чайный стол
&Ldquo; кремний - это сокровище, данное Богом”72
Глава 3  Процесс производства интегрированного производства цепи
3.1  интегрированная логика схемы LSI Структура 74
3.1.1  Структура двойного избирательного устройства 74
3.1.2  Кремниевая сетка MOS Структура 76
3.1.3  Кремниевая сетка CMOS Структура 78
3.1.4  Bicmos Device и SOI Device Structure 80
3.2&Процесс NBSP; LSI 82
3.2.1  Используйте оптические резьбы, чтобы сформировать экземпляр контактного отверстия и слоя проводки 82
3.2.2  воздействие, показывая 84
3.2.3  Оптическая гравюра проекта заменитель 86
3.2.4 “ отрицательный&rdquo“ положительный” Принцип восприятия клей с легким клей 88
3.2.5  процесс оптического резки 90
3.2.6   Очистка, окисление, окисление, изолирующая мембрана—— легкое кубинг 92
3.2.7 etquets изоляционной мембранной области—— Образование пленки окисления сетки 94
3.2.8  Сетчатый электрод многокристаллический рост кремния—— введите его в 96
3.2.9  огни и ионы бора в инъекции ваучера P—— OM Contact Погребен 98
3.2.10  металлическая мембрана рост на 1 -м слое—— электродные прокладки формация 100
3.2.11  бронзовая проводка Damascus Craft 102
3.2.12 как разработать нашу индустрия производства IC Chips 104
3.3  Классификация процессов и комбинация производства чипов IC 106
3.3.1  Основные ремесла в производстве чипов IC 106
3.3.2  IC CIP Mustance Compound Compress 108
3.3.3  модуляризация процесса 110
3.3.4  процесс субстрата и процесс проводки 112
Забронировать на мысе чайный стол
Ведущий мировой интегрированной индустрии 114
Глава 4  осаждение тонкого пленки и графическая обработка
4.1  компоненты DRAM и различные тонкие пленки 120, используемые в компонентах LSI
4.1.1  компонентная структура и различная тонкая пленка 120
4.1.2  изменение структуры конденсатора в DRAM 122
4.1.3  3D -структура DRAM
4.1.4  Применение тонких пленок в интегрированных цепях 126
4.2  Тонкое пленка и пленка для производства IC (1)—— PVD Метод 128
4.2.1&Производство NBSP; VLSI применяет различные типы пленки 128
4.2.2  применение поликристаллического кремниевого столба в интегрированной цепи 130
4.2.3&Металл 132 обычно используется в процессе NBSP;
4.2.4 вакуумное паровое покрытие 134
4.2.5  Иоонное распыление и распылительное покрытие 136
4.3  Тонкое пленка и пленка для производства IC (2)—— метод CVD 138
4.3.1&Метод CVD NBSP; для метода CVD, изготовленного VLSI 138
4.3.2  Основное реакционное устройство 140 в ССЗ
4.3.3  Plasma CVD (PCVD) Процесс передачи, реакции и образования пленки 142
4.3.4  различные комнаты для обработки в процессе пластин 144
4.4  Тонкое пленка и пленка для производства IC (3)—— сравнение различных методов 146
4.4.1  Сравнение различных методов формирования пленки 146
4.4.2  Метод образования термического оксида 148
4.4.3  образование термической оксидной пленки 150
4.4.4  тип и метод производства для VLSI 152
4.4.5  метод CVD для VLSI 154
4.5  улучшение и устранение проводки дефектов—— проводка CU замените Al -проводку 156
4.5.1 враги, которые влияют на срок службы электронных компонентов—— электрическая миграция 156
4.5.2  Образование формирования дефектов отключения и схемы, а также мер по профилактике и ремонту 158
4.5.3  CU проводка разум для Al -проводки 160
4.5.4  Используйте метод гальванизации, чтобы сделать проводку Cu 162
4.5.5  преимущества и недостатки алюминия для IC Chip 164
4.6  Источники света. Источники света продолжают прогрессировать до короткой длины волны 166
4.6.1 как обработать его в графику 166 от тонкой пленки 166
4.6.2  несколько часто используемых методов воздействия света 168
4.6.3  огни огней на окружающей технологии 170
4.6.4  изменение длины волны воздействия и соответствующей технической гарантии 172
4.6.5  Разработка и перспектива системы оптических резьб 174
4.7  Технология оптической экспозиции 176
4.7.1  Классификация и изменение устройства графического экспозиции 176
4.7.2  Метод экспозиции света 178
4.7.3  почти выставлен и узкий проекционный экспозиция 180
4.7.4  различные меры компенсации по положению в воздействии 182
4.8  Electronic Expusion и технология воздействия ионного пакета 184
4.8.1  Технология экспозиции электронного луча 184
4.8.2  технология недавней экспозиции (LEEPL) с низкимэлектронным лучей (LEEPL) 186
4.8.3  Технология экспозиции NBSP; Проекционная проекция по восстановлению x -Ray 188
4.8.4  Технология экспозиции NBSP;
4.9 сухое метод травления вместо влажного травления 192
4.9.1  применение технологии пленки в производстве VLSI 192
4.9.2  Сравнение сухого травления и влажного травления 194
4.9.3  Типы и травление сухого травления 196
4.9.4  Феномен реакции сухого травления (мода RIE) 198
4.9.5  Устройство травления плазмы с высокой плотностью 200
Забронировать на мысе чайный стол
Десять лучших предприятий мировой индустрии чипов 202
Глава 5  примеси легируют—— тепловая диффузия и инъекция ионов
5.1  процесс тепловой обработки в интегрированном производстве схемы 208
5.1.1&Горячий процесс (горячий процесс) 208 в NBSP; Процесс IC Chip Process
5.1.2  Технология формирования термической оксидной пленки 210
5.1.3  самый важный инспекционный фильм 212
5.2  процесс тепловой диффузии для примесей допинга 214
5.2.1  цель примесей в производстве производства LSI 214
5.2.2  Сравнение примесей, метод допированного ионов и метод тепловой диффузии 216
5.2.3  решает распределение концентрации тепловых диффузионных примесей 218
5.2.4  цель термообработки—— продвижение, плоское, электрическая активность 220
5.2.5  Поведение примесей в кремнии 222
5.3  ТЕХНОЛОГИЯ ТЕХНОЛОГИЯ ДАПИНА—&Mdash; принцип инъекции ионов 224
5.3.1  Принцип инъекции ионной инъекции 224
5.3.2  Иоонное устройство впрыска 226
5.3.3  инъекция ионов с низкой энергией и отжиг высокой скорости 228
5.3.4  распределение концентрации ионной инъекции 230
5.4  ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ НАПРЯЖЕНИЯ (2)—— применение инъекции ионов 232
5.4.1  Стандартный сайт инъекции Triode MOS 232
5.4.2  Основная верхняя структура и градиент инвертора Структура 234
5.4.3  Одно верхняя формация 236
5.4.4  двойная формация 238
5.4.5  Применение инъекции ионов в CMOS 240
5.4.6  Иоонная инъекция для мелкого вязания 242
Забронировать на мысе чайный стол
“ Основная технология - это тяжелое оружие страны”244
Глава 6&Может ли nbsp; может ли закон Мура продолжать вступать в силу
6.1  Многослойная проводка вступила в четвертое поколение 246
6.1.1 много -личная проводка—— требования к адаптации к микросхемам и высокой интеграции 246
6.1.2  Multi -Layered Glayered Glayered и 2 -е поколение технология—— слой за слой и стеклянным потоком 248
6.1.3  технология многослойной проводки 3 -го поколения—— представьте CMP250
6.1.4  Многослойная технология проводки 4 -го поколения—— введение Damascus Craft 252
6.2  Медная проводка сингл Martin Gegunt
6.2.1  CU Damascus Plining постепенно заменяет al -проводку 254
6.2.2  Craftsmanship Damascus - это китайский Cloisonne Blue Metal Process 256
6.2.3  от Al Winding+W Plunger до Cu Double Damascus Wind 258
6.2.4  CU Двойная малазийская структура проводки и возможные проблемы 260
6.3&Может ли NBSP; может ли закон Мура продолжать вступать в силу?262
6.3.1  Две тенденции полупроводниковых устройств к огромной и микроэтажной разработке 262
6.3.2&Интеграция чипов NBSP; Продолжается продвигаться по законодательству Мура 264
6.3.3&Ldquo; закон Мура не является законом физики”,“ но описывает закон индустриализации”266
6.3.4 “ поднимите ноги, прыгайте вверх, чтобы выбрать яблоко”268
6.4  импорт новых материалов——&Ldquo; технология производства производства материалов”270
6.4.1  Многослойный слой проводки, пленка конденсации DRAM, проводка CU 270
6.4.2  Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (1) 272
6.4.3  Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (2) 274
6.4.4  Составное полупроводниковое полупроводниковое омоложение 276
6.5 как достичь высокой производительности устройства?278
6.5.1  требования к высокой производительности устройства для всей машины становятся выше и выше 278
6.5.2  Высокая производительность устройств зависит от новых ремесел и новых материалов 280
6.5.3  Начните с процесса субстрата и процесса проводки одновременно 282
6.6  от 100 нм до 7 нм—— поддерживает инновации материалов и технологий в качестве поддержки 284
6.6.1  Чистая кремниевая трубка MOS и Polysilicon/High-K-база Tube 284
6.6.2  Металлическая сетка/высокая K-bati Tube Tube и FIN Field Effect Transistor (FINFET) 286 286
6.6.3 90nm—&Mdash; Stock Silicon 288
6.6.4 45nm—— изоляционный слой с высоким K и металлические затворы 290
6.6.5 22nm—— FIN FEELCH EFFECT TRANSISTOR 292
6.6.6 7nm—— EUV Light Carvings и Sige-Channel294
Забронировать на мысе чайный стол
Сбор#集 集 集 集 集 集 集 集 296
Ссылка 297
Автор профиль 298
| Производство чипов—— Практическое учебное пособие по процессу процесса полупроводника (6 -е издание) | ||
 | Ценообразование | 69.00 |
| Издатель | Электронная промышленная пресса | |
| Опубликованная дата | Январь 2015 | |
| формат | 16 | |
| автор | [Mei] Питер Ван Зант; | |
| Количество страниц | ||
| Кодирование ISBN | 9787121243363 | |
Введение
"Серия учебников иностранной электроники и общения&Middot;Обсуждение этой книги включает в себя каждый этап полупроводниковых технологий: от подготовки сырья до упаковки, тестирования и транспортировки готового продукта, а также традиционных и современных технологий."Серия учебников иностранной электроники и общения&MidDot;Шестое издание пересмотрело новый прогресс в области производства микро -хип, и обсудил расширенный процесс и заостренную технологию для графических, легированных и пленку, так что физические и химические вещества, которые скрыты в современных полупроводниковых материалах и мастерстве Основная информация электрона легче понять."Серия учебников иностранной электроники и общения&MidDot; Технологическая разработка
Оглавление
Глава 1 полупроводниковая промышленность
1.1 Введение
1.2 Рождение промышленности
1.3 Сплошная эпоха
1.4 Интегрированная схема
1.5 Тенденция процесса и продукта
1.6 Состав полупроводниковой промышленности
1.7 Фаза производства
1.8 разработанный процесс производства микро -кип
60 лет
1,9 На эра
упражнение
Рекомендации
Глава 2 Характеристики полупроводниковых материалов и химических веществ
2.1 Введение
2.2 Атомная структура
2.3 Таблица элементарного цикла
2.4 Электрическая проводимость
2.5 Изоляция и конденсаторы
2.6 Полупроводник для этого значительного полупроводника
2.7 Duddy Semiconductor
2.8 Электроника и канал выборов
2,9 производственные материалы полупроводникового производства
2Полупроводник
2.11 кремний
2.12 субстратный проект
2.13 Железные электрические материалы
2.14 Diamond Semiconductor
2.15 Химия ремесла
2.16 Состояние материала
2.17 Природа материи
2.18 Стресс и вакуум
2.19 кислотных, щелочных и растворителей
2.20 Химическая очистка и очистка
упражнение
Рекомендации
Глава 3 Рост кристаллов и препарат кремния пластин
3.1 Введение
3.2 Полупроводниковая кремниевая подготовка
3.3 Кристаллический материал
3.4 Кристаллическая ориентация
3.5 Рост кристаллов
3.6 Качество кристалла и стен
3.7 Подготовка работника
3.8 Среза
3.9 Стены
3Шлифовальный кусок
3.11 Химическая механическая полировка
3.12 обработка спины
3.13 Двойная полировка
3.14 Угол падения и полировка
3.15 УЧЛИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
3.16 Окисление
3.17
3.18 Engineering Wafers (субстрат)
упражнение
Рекомендации
Глава 4 Обзор производства и упаковки древесины
4.1 Введение
4.2 Цель для производства пластин
4.3 Угллопедический термин
4.4 Чип -член
4.5 Основной процесс производства пластин
4.6. Процесс фильма
4.7 Пример из производства пластин
4.8 Тест на булопедическом плане
4.9 Пакет интегрированных схем
4краткое содержание
упражнение
Рекомендации
Глава 5 Контроль загрязнения
5. Введение
5.2 Источник загрязнения
5.3 Строительство комнаты для очистки
5.4 Материал и поставка в комнате для очистки
5.5 Техническое обслуживание комнаты для очистки
5.6 Очистка поверхности чипа
упражнение
Рекомендации
Глава 6 Производственная мощность и уровень мастерства
6. Введение
6.2 Точка измерения для хорошей скорости продукта
6. Совокупный уровень дохода добычи пластин
6.4 Конституционные факторы скорости доходности производства пластин
6.5 Упаковка и окончательный тест хороший показатель продукта
6.6 Общий уровень мастерства
упражнение
Рекомендации
Глава 7 Окисление
7. Введение
7.2 Цель слоя кремнезема
7.3 Механизм теплового окисления
7.4 Технология окисления
7.5 Оценка после окисления
упражнение
Рекомендации
ГЛАВА 8 ДЕСЯТЬ СТАТАНСКИЙ Графический процесс процесса -с поверхности
Подготовка к экспозиции
8. Введение
8.2 Обзор Lights Craft
8.3.
8.4 Основное химия оптического оборудования
8.5 Элементы производительности оборудования света
8.6 Физические атрибуты литографического клея
8.7 Огни.
8.8 Подготовка поверхности
8.9 Нанесение легкого клей для резьбы (вращение)
8Мягкая выпечка
8.11 активность и экспозиция
8.12 Продвинутые огни
упражнение
Рекомендации
ГЛАВА 9 ДЕРЕВИТЕЛЬНОЙ Шаг Графический процесс процесса -от показа до окончательного теста
9. Введение
9.2 Жесткая выпечка
9. 3 травление
9.4 влажное травление
9.5 Метод сушки травления
9.6 Влияние светового клея в методе сушки
9.7 Удаление GlightScape Glores
9.8 Новые проблемы с удалением клея
9.9 Последняя проверка
9Покрытие производства модели
9.11 Резюме
упражнение
Рекомендации
ГЛАВА ГЛАВА НАЛИЧНАЯ ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ
..1 Введение
..2 Задача следующей генерационной литографии
..3 других вопросов воздействия
..4 Другие решения и их проблемы
..5 Проблема с поверхностью пластины
..6 анти -рефлексное покрытие
..7 высокий#7 7 7
..8 Улучшенный процесс травления
..9 Структура самооценка
..Контурный контроль в плену
упражнение
Рекомендации
Глава 11 различается
11. Введение
11.2 Концепция диффузии
11.3 зона погружения и узла, образованные диффузией
11.4 Шаг процесса диффузии
11,5
11.6 Продвижение диоксида
11.7 Введение в инъекцию ионов
11.8 Концепция инъекции ионов
11.9 Система инъекции ионной впрыскивания
11Концентрация интуиции в области инъекции ионов
11.11 Оценка слоя инъекции ионов
11.12 Применение инъекции ионов
11.13 Дублирующие перспективы
упражнение
Рекомендации
ГЛАВА 12 ПЛАНА
12. Введение
12.2 Основа химического отложения газа
12.3 Шаги процесса CVD
12.4 Системная классификация CVD
12.5 Обычно система сердечно -сосудистых заболеваний
12.6 Химическое осаждение газа с низким содержанием (LPCVD)
12.7 Развертывание атомного слоя
12. Расширение фазы QI
12.9 Расширение молекулярного луча
12Металлический органический вещества CVD
12.11 Сигнальная мембрана
12.12 Полупроводниковый фильм развернут
12.13 Расширение кремния
12.14 поликристаллический кремниевый и кристаллический осаждение кремния
12.15 SOS и SOI
12.16 Рост арсенид галлия на кремнии
12.17 Изоляция и изоляционная среда
12.18 Проводник
упражнение
Рекомендации
Глава 13
13.1 Введение
13.2 Методы
13.3 Одиночный металл
13.4 Multi -Layer Metal Design
13.5 Материал проводника
13.6 Металлическая заглушка
13.7 Платы
13.8 Электрохимическое покрытие
13.9 Технология химического оборудования
13CVD металлического осаждения
13.11 Цель металлической пленки
13.12 вакуумная система
упражнение
Рекомендации
Глава 14 Оценка поделок и устройства
14.1 Введение
14.2 Электрическое измерение пластин
14.3 Оценка процесса и устройства
14.4 Метод физического испытания
14,5 толстые измерения
14.6 Измерение электроэнергии по цене
14,7 Глубина
14.8.
14.9 Особенности главной поверхности
14Загрязнение
14.11 Электрическое измерение устройства
упражнение
Рекомендации
Глава 15 Бизнес -факторы
15.1 Введение
15.2 Стоимость производства пластин
15.3 Автоматизация
15.4 Автоматизация на заводе.
15.5 Стандарт оборудования
15.6 Статистическое управление системой
15.7 Контроль инвентаризации
15.8 Контроль качества и сертификация ISO 9000
15.9 Организационная архитектура производственной линии
упражнение
Рекомендации
Глава 16 для формирования устройства и интегрированной схемы
представлять
16.1 Введение
16.2 Формирование полупроводниковых устройств
16.3. Профессиональные проблемы с приводом пропорциональной пропорции
16.4 Формирование интегрированной схемы
16.5 Bi Mos
16.6 Супер дирижер
упражнение
Рекомендации
Глава 17 Введение в интегрированную схему
17.1 Введение
17.2 Основы цепи
17.3 Типы интегрированных цепей
17.4 Следующий продукт
упражнение
Рекомендации
Глава 18
18.1 Введение
18.2 Характеристики чипа
18.3 Функция упаковки и дизайн
18.4 Процесс комбинации ключей направления
18.5 Примеры выпуклых или сварки технологии шарика
18.6 Дизайн упаковки
18.7 Тип упаковки и сводка технологий
упражнение
Рекомендации
Глоссарий