Искусство аналогового окружения ландшафт (второе издание) (английская версия)
Цена: 1 825руб. (¥101.5)
Артикул: 597826386743
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:电子工业出版社旗舰店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥46.8842руб.
¥9162руб.
¥54971руб.
¥9.36169руб.
|
Введение
В этой книге всесторонне обсуждаются различные проблемы, связанные с проектированием интегрированной схемы симуляции с практической и авторитетной точки зрения и текущих результатов исследований.В книге представлены физика и технологии полупроводникового устройства, механизм отказа и другой контент; три основных процесса, основанные на моделированной интегрированной конструкции схемы: стандартное биполярное мастерство, CMOS -процесс сетки кремния и технологию BICMOS, сосредоточенное на изучении проектирования и проектирования пассивного устройства и и технологии BICMOS, сосредоточенное на изучении проектирования и проектирования пассивного устройства и и технологии. Конструкция и конструкции пассивного устройства, соответствующего проектированию и применению дизайна диода, биполярной кристаллической трубки и транзистора по полевым эффектам, и содержания в некоторых специализированных областях, включая слияние компонентов, защитное кольцо, прокладки, однослойное соединение, структура ESD, и т. д.; наконец -то представил введение в отношении макета макета чипа.
Оглавление
Contents
Оглавление
Глава 1 Физика устройства физика… ………………………………………………………1
1.1 полупроводники полупроводники……………………………………………………………………1
1.1.1 генерация и рекомбинирование………………………………………………………4
1.1.2 Внешние полупроводники не -эти признаки (примеси) Полупроводник…………………………………………………6
1.1.3 Диффузия и диффузия дрейфа и дрейф……………………………………………………………………9
1,2 ПН -соединения PN Узел……………………………………………………………………11
1.2.1 Истощающие области…………………………………………………………………………11
1.2.2 Diodes Diodes PN Diode…………………………………………………………………………13
1.2.3 Schottky Diodes Schottky Diodes…………………………………………………………………16
1.2.4 Zener Diodes Zina Diodes…………………………………………………………………………18
1.2.5 Омические контакты ом…………………………………………………………………………19
1,3 Биполярные переходные транзисторы биполярный транзистор……………………………………………21
1.3.1 Betaβценить…………………………………………………………………………………………23
1.3.2 I-V Характеристики I-V функции………………………………………………………………………24
1.4 Транзисторы МОС транзистор…………………………………………………………25
1.4.1 Пороговое напряжение напряжения напряжения………………………………………………………………………27
1.4.2 I-V Характеристики I-V функции………………………………………………………………………29
1.5 JFET Transistors JFET Crystal Tube…………………………………………………………32
1.6 Резюме…………………………………………………………………………34
1.7 Упражнения…………………………………………………………………………35
Глава 2 Полупроводниковые изготовления полупроводникового производства…………………………………… 37
2.1 Производство кремния кремния……………………………………………………………37
2.1.1 Рост кристаллов кристалла…………………………………………………………………………38
2.1.2 Производство кошелька для производства пластин…………………………………………………………………39
2.1.3 Кристаллическая структура кремниевой кремниевой кристаллической структуры…………………………………………………39
2.2 Технология резки света фотолитографии……………………………………………………………41
2.2.1 Фоторезисты Lightscar………………………………………………………………………………41
2.2.2 Фотомары и модель света и модели сетки и модели………………………………………………………42
2.2.3 Паттерна……………………………………………………………………………………43
2.3 Рост оксида и рост оксида и удаление оксида………………………………………43
2.3.1 Рост и развертывание оксида оксида и оксида оксида………………………………………………44
2.3.2 Удаление оксида оксида оксида………………………………………………………………………45
2.3.3. Другие эффекты роста оксида и удаления других эффектов роста и удаления оксида…………………47
2.3.4 Локальное окисление кремния (локомон) локальное окисление кремния……………………………………………49
2.4………………………………………50
2.4.1 Диффузионная диффузия……………………………………………………………………………………51
2.4.2 Другие эффекты других эффектов диффузии………………………………………………………53
2.4.3 Иоонная инъекция ионной инъекции………………………………………………………………………55
2,5 кремниевого отложения и травление кремниевого кремния и вход…………………………………………57
2.5.1 Расширение эпитаксии………………………………………………………………………………………57
2.5.2 Осаждение полисиликона………………………………………………………………59
2.5.3 Выделение диэлектрической изоляции среды……………………………………………………………………60
2.6 Металлизация металлика……………………………………………………………………62
2.6.1 Осаждение и удаление алюминиевого осаждения и удаления алюминия…………………………………………63
2.6.2.…………………………………………………………65
2.6.3 Силиконизация силицидации…………………………………………………………………………………67
2.6.4 Межгословный оксид, внутренний нитрид и проптивное пальто
Игра в оксид, нитрид мезонина и защитный слой………………………………………………………………69
2.6.5 Медная металлизация…………………………………………………………………71
2.7 Сборка в сборе…………………………………………………………………………73
2.7.1 Установка монтируется и ключа связи……………………………………………………………………74
2.7.2 Упаковочный пакет……………………………………………………………………………………77
2.8 Резюме…………………………………………………………………………78
2.9 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………78
Глава 3 Репрезентативные процессы Типичный процесс………………………………………80
3.1 Стандартное биполярное стандартное биполярное судно………………………………………………………81
3.1.1 Основные функции………………………………………………………………………81
3.1.2 Заказ на производство последовательности изготовления…………………………………………………………………82
3.1.3 Доступное устройство доступное устройство………………………………………………………………………86
3.1.4 Расширение процесса процесса расширения……………………………………………………………………93
3.2 Polysilicon-Gate CMOS поликристаллическая кремниевая сетка CMOS………………………………………96
3.2.1 Основные особенности основные характеристики………………………………………………………………………97
3.2.2 Заказ на производство последовательности изготовления…………………………………………………………………98
3.2.3 Доступное устройство доступное устройство………………………………………………………………………104
3.2.4 Расширение процесса процесса расширения……………………………………………………………………109
3.3 Аналоговое моделирование BICMOS BICMOS………………………………………………………114
3.3.1 Основные особенности основные характеристики……………………………………………………………………115
3.3.2 Заказ на производство последовательности изготовления…………………………………………………………………116
3.3.3 Доступное устройство доступное устройство………………………………………………………………………121
3.3.4 Расширение процесса процесса расширения……………………………………………………………………125
3.4 Резюме…………………………………………………………………………130
3.5 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………131
Глава 4 Механизмы отказа… ………………………………………………133
4.1 Электротешник…………………………………………………………133
4.1.1 Электростатический разряд (ESD) статическая утечка электроэнергии…………………………………………………………134
4.1.2 Electromign…………………………………………………………………………136
4.1.3 Диэлектрический расщепленный CD -ром…………………………………………………………………138
4.1.4 Эффект антенны антенны антенны……………………………………………………………………141
4.2 Загрязнение……………………………………………………………………143
4.2.1 Dry Corross Anti -Corrosion…………………………………………………………………………144
4.2.2 Мобильный ионный загрязнение может перемещать ион………………………………………………………145
4.3 Эффект поверхностного эффекта поверхностного эффекта………………………………………………………………148
4.3.1 Hot Carrier Inject………………………………………………………………148
4.3.2 Zener Collow Zina Creep…………………………………………………………………………151
4.3.3, индуцированная лавиной деградация бетаβзатухание…………………………………………153
4.3.4 Отрицательное смещение температуры нестабильности отрицательное смещение температуры температура……………………………………154
4.3.5 Паразитарные каналы и распространяющий паразитный канал и децентрализованный заряд………………………………156
4.4 Паразитный эффект……………………………………………………………………164
4.4.1 База дебисирования субстрата…………………………………………………………………165
4.4.2 Инъекция меньшинства……………………………………………………………169
4.4.3 Эффект подложки подложки……………………………………………………………………180
4.5 Резюме…………………………………………………………………………183
4.6 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………183
Глава 5 Сопротивление сопротивления……………………………………………………………………185
5.1 Удельное сопротивление жилья и сопротивления сопротивления листа (тонкое сопротивление слоя)…………………185
5.2 Сопротивление с макетом резистора………………………………………………………………187
5.3 Изменчивость резисторов……………………………………………………………191
5.3.1 Процесс VAR перед изменением процесса………………………………………………………………………191
5.3.2 Временные изменения температуры температуры…………………………………………………………………192
5.3.3 Нелинейность не -линейная………………………………………………………………………………193
5.3.4 Контактное сопротивление сопротивления контакта с сопротивлением……………………………………………………………………196
5.4 Паразитарное влияние устойчивости к паразитике резисторов……………………………………………………197
5.5 Сравнение доступных резисторов Разное сравнение типа сопротивления……………………………200
5.5.1. Основное сопротивление базовых резисторов.…………………………………………………………………………200
5.5.2. Резисторы эмиттера запускают сопротивление……………………………………………………………………201
5.5.3. Основание резистории базовых резисторов погребеное сопротивление………………………………………………………………202
5.5.4 Резисторы высокого уровня высокого уровня.………………………………………………………………202
5.5.5 Epi Pinf Reftiors Venture Layer………………………………………………………………205
5.5.6 Металлические резисторы металлической сопротивления…………………………………………………………………………206
5.5.7 поликристаллическая кремниевая резистентность………………………………………………………………………208
5.5.8 NSD и PSD резисторов NSD и PSD сопротивления………………………………………………………211
5.5.9 N-Well Resist N jing сопротивление………………………………………………………………………211
5.5.10 Тонкопленочная резистор……………………………………………………………………212
5.6 Настройка значений резистора Настройка значения сопротивления………………………………………………213
5.6.1 Настройка резисторов Регулируется сопротивление……………………………………………………………………213
5.6.2 Тонкое сопротивление обрезки резисторов……………………………………………………………………216
5.7 Резюме…………………………………………………………………………223
5.8 УПРАЖНЕНИЯ УПРАЖНЕНИЯ…………………………………………………………………………224
Глава 6 Конденсаторы и индукторы емкость и индуктивность… ………………………………………226
6.1 емкость емкость………………………………………………………………………226
6.1.1 изменчивость конденсации…………………………………………………………………232
6.1.2 Паразитарное эффект конденсации паразитической емкость……………………………………………………………235
6.1.3 Сравнение доступного сравнения конденсаторов емкости…………………………………………………237
6.2 Индуктивность индуктивности…………………………………………………………………………246
6.2.1 Паразитный эффект индуктора индуктора…………………………………………………………………248
6.2.2 Производство индуктора индуктора индуктора………………………………………………………………250
6.3 Резюме…………………………………………………………………………252
6.4 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………253
Глава 7 Сопоставление резисторов и конфигураций сопротивления и сопоставления емкости……………………254
7.1 Измерения измерения несоответствия………………………………………………………254
7.2 Причины несоответствия………………………………………………………257
7.2.1 Случайный VAR перед случайным изменением………………………………………………………………………257
7.2.2. Обработка смещения отклонений процесса…………………………………………………………………………260
7.2.3 ПАРАЗИТИКА………………………………………………………………261
7.2.4 Сдвиг смены сдвига шаблона……………………………………………………………………………263
7.2……………………………………………………………265
7.2.6 Фотолитография………………………………………………………………267
7.2.7 Диффузионные взаимодействия……………………………………………………………268
7.2.8 Гидрирование гидрирования………………………………………………………………………………270
7.2.9. Механическое напряжение и сдвиг упаковки Механическое напряжение и дрейф упаковки……………………………………271
7.2.10 Градиенты стресса градиент стресса………………………………………………………………………274
7.2.11 Градиенты температуры и термоэлектрический градиент температуры и термоэлектрический эффект……………………………283
7.2.12 Электростатические взаимодействия………………………………………………………………288
7.3 Правила для сопоставления устройств правил сопоставления……………………………………………295
7.3.1 Правила сопротивления сопоставления резисторов………………………………………………………296
7.3.2 Правила для правил сопоставления конденсаторов конденсаторов.……………………………………………………300
7.4 Резюме…………………………………………………………………………303
7.5 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………304
Глава 8 Биполярные транзисторы биполярный транзистор………………………………………………306
8.1.……………………306
8.1.1 Beta RolloffβСнижение стоимости……………………………………………………………………………308
8.1.2 Avalanche Breakdown Aparin…………………………………………………………………308
8.1.3 Thermal Runaway и вторичный разбил тепловой разбивку и вторичный разрыв………………………………310
8.1.4 Насыщение в NPN Transistors NPN Транзистор.…………………………………………312
8.1.5 Насыщение в боковых транзисторах PNP Паразитические насыщения PNP -трубки…………………………………315
8.1.6 Паразиция биполярных транзисторов двуязычный хроноцитарный паразитный эффект……………………………………318
8.2 Стандартные биполярные транзисторы с малым сигналом………………320
8.2.1 Стандартный биполярный транзистор NPN Стандартный двойной транзистор NPN NPN………………………………320
8.2.2 Стандартная биполярная субстрата PNP Транзистор Стандартная двойная обработка труда PNP кристаллическая труба………………326
8.2.3 Стандартный биполярный боковой транзистор PNP Стандартный горизонтальный PNP -транзистор……………………330
8.2.4 БИПОЛЬНЫЙ Транзисторы высоковольтных биполярных транзисторов.…………………………………………337
8.2.5 Super-Beta NPN Transistors SuperβNPN Crystal Tube…………………………………………………340
8.3 CMOS и BI CMOS Биполярные транзисторы с малым сигналом
CMOS и BICMOS РАЗМЕРЕНИЕ МАЛЕНЬКИЙ БИПОЛАРНЫЙ Транзистор…………………………………………341
8.3.1 CMOS PNP Transistors CMOS Craft PNP -кристаллическая труба………………………………………………341
8.3.2 Транзисторы с мелководьей неглубокая хрустальная трубка ловушки……………………………………………………………345
8.3.3 Аналоговая биполярная транзисторская транзистора……………………………347
8.3.4 Быстрые биполярные транзисторы с высокой скоростью биполярный транзистор……………………………………………………349
8.3.5 Polysilicon-emitter Transistors Polysilicon Запуск Polar Transistor……………………………………………351
8.3.6 Оксид-изолированные транзисторы……………………………………………………354
8.3.7 Силиконо-германии транзисторы……………………………………………………356
8.4 Резюме…………………………………………………………………………358
8.5 Упражнения…………………………………………………………………………358
Глава 9 Применение биполярного транзисторского применения биполярного транзистора… …………………360
9.1 Силовая биполярные транзисторы…………………………………………361
9.1.1 Механизмы отказа от NPN Power Transistors Механизм разрушения NPN…………………362
9.1.2 Планировка мощности NPN Транзисторы Power Power Crystal Tipe……………………………………368
9.1.3 Power PNP Transistors PNP Power Transistor…………………………………………………………376
9.1.4 Обнаружение и ограничение насыщения и ограничение насыщения……………………………………………378
9.2 Сопоставление биполярных транзисторов Биполярное сопоставление кристаллов………………………………………381
9.2.1 Случайные вариации случайные изменения……………………………………………………………………382
9.2.2 Область запуска дегенерации излучателя упрощена………………………………………………………………384
9.2.3 NBL Shadow NBL Shadow…………………………………………………………………………386
9.2.4 Тепловые градиенты тепловой градиент………………………………………………………………………387
9.2.5 Градиенты стресса градиент стресса………………………………………………………………………391
9.2.6 Стресс, вызванный наполнителем……………………………………………………………393
9.2.7 Другие причины системы систематического несоответствия теряют все факторы……………………………………395
9.3 Правила для биполярного транзистора, соответствующего двойному типу…………………396
9.3.1 Правила для сопоставления вертикальных транзисторов…………………………………397
9.3.2 Правила для сопоставления боковых транзисторов…………………………………400
9.4 Резюме…………………………………………………………………………402
9.5 Упражнения…………………………………………………………………………403
Глава 10 Диод диод… ………………………………………………………………406
10.1 диоды в стандартных биполярных стандартных диодах……………………………………406
10.1.1 Транзисторы диода-подключения кристаллическая труба………………………………………406
10.1.2 Zener Diodes Zina Diodes…………………………………………………………………………409
10.1.3 Schottky Diodes Schottky Diodes…………………………………………………………………415
10.1.4 Диод мощности мощности………………………………………………………………………420
10.2 Диоды в CMOS и BICMOS процессы CMOS и Diode BICMOS…………422
10.2.1 CMOS -диоды CMOS CMOS Jiexian Diode……………………………………………………422
10.2.2 CMO и Bicmos Schottky Diodes CMOS и Diodes Bicmos Schottky……………………423
10.3 Соответствующие диоды, соответствующие диоду…………………………………………………………425
10.3.1 Соответствующие диоды Pn J J………………………………………………425
10.3.2 Сопоставленные диоды Zener, соответствующие диодам Zina………………………………………………………426
10.3.3 Соответствующие диоды Шоттки, соответствующие диодам Шоттки…………………………………………………428
10.4 Резюме…………………………………………………………………………428
10.5 Упражнения…………………………………………………………………………429
Глава 11 Полевые транзисторы Полевые Эффект Транзистор Транзистор… ……………………………………430
11.1 Темы в транзисторной операции MOS………………………431
11.1.1 Моделирование моделирования кристаллов MOS MOS MOS…………………………………………………431
11.1.2 Паразитика транзиста MOS………………………………………………438
11.2 Строительные CMOS Transistors Construct CMOS -транзистор…………………………………446
11.2.1 Кодирование транзистора MOS. Нарисуйте кристаллическую трубку MOS……………………………………………447
11.2.2 N-Well и P-Well Process N-Trap и PIP…………………………………………………449
11.2.3. Инъекция заканчивания канала остановки канала……………………………………………………………452
11.2.4 Пороговая регулировка имплантатов………………………………………………………453
11.2.5 Масштабирование транзистора уменьшило транзистор пропорционально………………………………………………………456
11.2.6 Различные структуры с разными структурами……………………………………………………………………459
11.2.7 Контакты назад………………………………………………………………………464
11.3 Транзисторы с плавающим воротом…………………………………………………467
11.3.1 Принципы операции транзистора с плавающим воротом………………………469
11.3.2 Однополи-эпром Memom Memom Memom Men-Layer Polysilicon eeprom память…………………………………472
11.4 Транзистор JFET JFET Transistor………………………………………………………474
11.4.1 Моделирование моделирования JFET JFET……………………………………………………………………474
11.4.2 Макет макета JFET JFET………………………………………………………………………476
11.5 Резюме…………………………………………………………………………479
11.6 Упражнения…………………………………………………………………………479
Глава 12 Применение MOS Transistors MOS Crystal Tube Приложение………………………482
12.1 Транзисторы расширенного напряжения расширяют транзистор напряжения………………………………………482
12.1.1 LDD и DDD Transistors LDD и DDD Transistors………………………………………………483
12.1.2 Транзисторы с расширенным дран……………………………………………………486
12.1.3 Оксиды с множественными оксидами затворов многослойные сетки………………………………………………………………489
12.2 Power MOS Transistors Power MOS Transistor……………………………………………491
12.2.1 MOS Safe Operating Area Mos Security Work Eraic……………………………………………………492
12.2.2 Обычные мощные транзисторы MOS Обычный транзистор MOS Power Transistor…………………………………498
12.2.3 DMOS Transistors DMOS Transistor………………………………………………………………505
12………………………………………511
12.3.1 Геометрический эффект Геометрический эффект………………………………………………………………………513
12.3.2 Диффузия диффузии и эффекта травления и эффект травления……………………………………………………516
12.3.3 Гидрирование гидрирования………………………………………………………………………520
12.3.4 Термический эффект теплового эффекта и напряжения.…………………………………………………521
12.3.5 Общецентроидеса…………………523
12.4 Правила для соответствия транзистора MOS………………………528
12.5 Резюме…………………………………………………………………………531
12.6 Упражнения…………………………………………………………………………531
Глава 13 Специальные темы некоторые темы… ……………………………………………………534
13.1 Объединенные устройства комбинированного устройства………………………………………………………………534
13.1.1 Неправильные слияния устройств слияние……………………………………………………535
13.1.2 Успешные слияния устройств успешно объединены……………………………………………………539
13.1.3 Слияние слияния с низким риском с низким риском с низким риском…………………………………………………………541
13.1.4 Объединенное устройство среднего риска……………………………………………542
13.1.5 Devision новые объединенные устройства разработка нового комбинированного устройства……………………………………………544
13.1.6 Роль объединенных устройств в аналоговом моделировании роли BICMOS………544
13.2 Защитное кольцо охраны……………………………………………………………………545
13.2.1 Стандартные кольца биполярной электронной защиты Стандартное двойное электронное защитное кольцо…………………………………546
13.2.……………………………………547
13.2.3 Стражные кольца в CMOS и BICMOS Designs CMOS и BICMOS Design…………548
13.3 одноуровневое взаимосвязь однослойного соединения…………………………………………………551
13.3.1 максимальные макеты и схемы палочек………………………………………………551
13.3.2 Методы для пересечения технологии перекрестной проводки…………………………………………………553
13.3.3 Тип типов туннелей туннеля……………………………………………………………………555
13.4 Строительство Padring строит подушку…………………………………………………557
13.4.1 Улицы и маркеры выравнивания писца……………………………………557
13.44.………………………………558
13.5 Структура ESD Структура ESD………………………………………………………………562
13.5.1 Zener Clamp Zina Clamp…………………………………………………………………………563
13.5.2 Двухступенчатые зажимы Zener два уровня Zina Clamp………………………………………………………565
13.5.3 буферированный буфер с зажимом Zener…………………………………………………………566
13.5.4 VCES CLAMP VCE……………………………………………………………………………568
13.5.5 VECS Clamp Vecs Clap……………………………………………………………………………569
13.5.6 Антипраллельные диодные зажимы с обратным параллельным диодным зажимом………………………………………………570
13.5.7 Зажимы NMOS заземленного зара…………………………………………570
13.5.8 CDM Clamps CDM -зажимы CDM………………………………………………………………………572
13.5.9 боковые зажимы SCR Горизонтальный зажим SCR SCR……………………………………………………………573
13.5.10 Выбор структур ESD Выбрать структуру ESD………………………………………………………575
13.6 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………578
Глава 14 Сборка консервированного ядра… ………………………………………………581
14.1 Ядро планирования планирования.…………………………………………………………………581
14.1.1 Оценка площади оценки площади ячейки.………………………………………………………………582
14.1.2 Оценка зоны зоны.………………………………………………………………584
14,1,3 валовая прибыль общая прибыль……………………………………………………………………587
14.2 Планирование пола………………………………………………………………………588
14.3 Взаимосвязь верхнего уровня верхнего уровня……………………………………………………594
14.3.1 Принципы принципа канала канала маршрутизации……………………………………………………594
14.3.2 Специальные методы маршрутизации Специальная технология проводов………………………………………………………596
14.3.3 ЭЛЕКТРОМИН…………………………………………………………………………600
14.3.4 Минимизация эффектов стресса снижает эффект стресса…………………………………………………………603
14.4 Заключение резюме…………………………………………………………………………604
14.5 Упражнения упражнения…………………………………………………………………………605
Приложение таблица аббревиатуры, используемые в тексте……………………………607
Приложение B Индексы Миллера кубического хрустального кубического кристалла… ……………611
Правила примера приложения C…………………………………………614
Приложение D Математические деривации Математическая формула… …………………………………622
Приложение E Источники для программного обеспечения для редактирования Mayout Editor Редактировать программное обеспечение… ………………627
Индекс индекс… ……………………………………………………………………………………628
об авторе
Алан Хастингс, инженер -профессор -инженер в TI (Texas Instrument) в Соединенных Штатах, обладает глубокими знаниями о интегрированном ландшафтном дизайне и богатым практическим опытом.Алан Хастингс, инженер -профессор -инженер в TI (Texas Instrument) в Соединенных Штатах, обладает глубокими знаниями о интегрированном ландшафтном дизайне и богатым практическим опытом.
Алан Хастингс, инженер -профессор -инженер в TI (Texas Instrument) в Соединенных Штатах, обладает глубокими знаниями о интегрированном ландшафтном дизайне и богатым практическим опытом.
Рекомендуемая рекомендация
Эта книга может использоваться в качестве двуязычного учебника для старших студентов и аспирантов, связанных с электронными науками и техникой, микроэлектроникой, твердой электроникой и другими связанными специальностями. Это очень ценная справочная книга для профессиональных дизайнеров. Понять отношения между схемой и территорией.