Процесс производства интегрированных схем и применение инженерного приложения Weitong Электронная технология Электронная схема IC интегрированные схемы Производство производства FINFET CMOS HKMG SOI ФОТОРСОВАЯ
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| Процесс интегрированного производства и инженерного применения | ||
 | Ценообразование | 99.00 |
| Издатель | Machinery Industry Press | |
| Версия | 1 | |
| Опубликованная дата | Август 2018 года | |
| формат | 16 | |
| автор | Вендон | |
| Украсить | Оплата в мягкой обложке | |
| Количество страниц | ||
| Число слов | ||
| Кодирование ISBN | 9787111598305 | |
| масса | ||
"Рекомендация семьи Чжуан
Причины письма и написания
Спасибо
Глава 1 Введение
1.1 Rise CMOS -процесс технологии процесса
1.1.1 Введение
1.1.2 PMOS Процесс процесса технологии введение
1.1.3 NMOS процесса процесса технологии введение
1.1.4 Введение в технологию технологий процессов CMOS
1.2 Технология специального процесса процесса
1.2.1 Краткое введение
1.2.2 Профиль технологии процесса процесса BCD.
1.2.3 Введение технологии процесса процесса HV-CMOS.
1.3 История развития интегрированной схемы MOS
1.4 Разработка и вызов устройств MOS
Рекомендации
Глава 2 Усовершенствованная технология процесса процесса
2.1 ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ
2.1.1 Обзор технологии кремния кремния
2.1.2 Физический механизм кремниевой технологии
2.1.3 Упущения источника внедренной технологии штамма SIC.
2.1.4 Источник
2.1.5 Технология стрессовой памяти
2.1.6. Технология реагирования на устойчивость к контакту.
2.2 Технология процесса HKMG
2.2.1. Разработка и проблемы, с которыми сталкивается слой материала ракетки
2.2.2 Квантовой эффект субстрата
2.2.3.
2.2.4 Эквивалентная толщина окисления сетки.
2.2.5 ПИЛОВЫЙ ПИТАЛЬНЫЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ ТУННАЛ ПРОТИВ
2.2.6 Высокий средний слой с высоким содержанием среднего уровня
2.2.7 Технология процесса HKMG
2.2.8 Металлические встроенные в технологию поликристаллической кремниевой сетки
2.2.9 Металлическая альтернативная технология процесса сетки
2.3 Технология процесса SOI
2.3.1 SOS Technology
2.3.2 SOI Technology
2.3.3 PD- SOI
2.3.4 FD- SOI
2.4 Технология процесса FINFET и UTB-SOI
2.4.1 Обзор разработки FINFET
2.4.2 Принципы FINFET и UTB-SOI
2.4.3 Технология процесса Finfet
Рекомендации
Глава 3 Интеграция ремесленника
3.1 Технология изоляции
3.1.1 Технология изоляции соединения PN
3.1.2 Технология выделения кремния (окисление кремния)
3.1.3 технология изоляции STI (мелкая канавка)
3.1.4 Эффект LOD
3.2 Тяжелая технология кинотехнологии.
3.2.1 Введение
3.2.2 Инженерное применение технологии процесса версии жесткой маски.
3.3 Утечка для уменьшения эффекта и инфузии иона канала
3.3.1 Утечка, чтобы уменьшить эффект и уменьшить эффект
3.3.2 Инъекция ионов пролавки кольца
3.3.3 Утечка мелкого источника глубоко
3.3.4 Перевернутая ловушка
3.3.5 Турбальный соседний эффект
3.3.6 Эффект анти -шорт -канала
3.4 Эффект впрыска тепловой нагрузки и технологии процесса света (LDD)
3.4.1 Введение
3.4.2 Технология процесса двойной диффузии (DDD) и технология смешивания света (LDD)
3.4.3 Технология процесса боковой стенки космической стенки
3.4.4 Инженерное применение светоизобравшихся ионов впрыск и технологии процесса боковой стены
3.5 Металлическая силиконовая технология
3.5.1 Технология процесса полицида
3.5.2 Технология процесса салицида
3.5.3 SAB Process Technology
3.5.4 Инженерные применения технологий SAB и технологий салицидных технологий
3.6 Технология инъекции ионов статического разряда
3.6.1 Технология инъекции ионов статического разряда
3.6.2 Инженерное применение технологии впрыска электростатических разрядов ионов
3.7 Металлическая технология взаимосвязанного соединения
3.7.1 Заполните контактные отверстия и через металлы -отверстия
3.7.2 Алюминиевая металлическая взаимосвязь
3.7.3 Медное металлическое соединение
3.7.4 Блокирующий слой металл
Рекомендации
Глава 4 Интеграция ремесленного процесса
4.1 Технологический процесс процесса процесса процесса с фронтальным процессом Micro -Micron CMOS
4.1.1 Подготовка
4.1.2
4.1.3 Процесс площади источника
4.1.4 Процесс изоляции локомо
4.1.5 Процесс инъекции ионов порогового напряжения
4.1.6 Процесс окисления криша.
4.1.7 Процесс поликристаллической кремниевой сетки
4.1.8 Процесс инъекции ионов света (LDD)
4.1.9 Процесс боковой стены
4.1.10 Процесс впрыска ионов источника
4.2 Процесс процесса процесса суб -сечения суб -микронских CMOS
4.2.1 Процесс ILD
4.2.2. Репетиторство контактного отверстия
4.2.3 Металлический слой 1 процесс
4.2.4 Процесс IMD1
4.2.5 Tongkou 1 процесс
4.2.6 Процесс металлической емкости (MIM)
4.2.7 Metal 2 Процесс
4.2.8. Процесс IMD2
4.2.9 Tongkou 2 Процесс
4.2.10 Top -Level Metal Process
4.2.11 Процесс слоя пассивации
4.3 Deep Asian Micro Mi CMOS Предыдущий процесс процесса
4.3.1 Подготовка
4.3.2 Процесс исходной площади
4.3.3 Процесс изоляции STI
4.3.4.
4.3.5 Процесс окисления криша.
4.3.6 Процесс поликристаллической кремниевой сетки
4.3.7 Процесс инъекции ионов света (LDD)
4.3.8 Процесс боковой стены
4.3.9 Процесс впрыска ионов источника
4.3.10 процесс HRP
4.3.11 Процесс салицида
4.4 Shenya Micro Mi CMOS Технология задней части сечения
4.5 Nanometer CMOS -технологический процесс процесса процесса процесса
4.6 Nano -cmos задний технологический процесс
4.6.1 ILD Процесс
4.6.2 Контактные отверстия
4.6.3 Процесс IMD1
4.6.4 Металлический слой 1 процесс
4.6.5 Процесс IMD2 1
4.6.6 Процесс 1 и металлический слой 2 Процесс 2
4.6.7 Процесс IMD3
4.6.8 Тонгку 2 и металлический слой 3 процесс 3
4.6.9 Процесс IMD4
4.6.10 Top -Layer Metal AL процесс
4.6.11 Классификация слоя пассивации,
Рекомендации
Глава 5 Стены, принимающие тест (ват)
5.1 Ват обзор
5.1.1 Вт. Введение
5.1.2 Ват тип теста
5.2 Условия испытаний для параметров MOS
5.2.1 Пороговое напряжение V t из"
"Эта книга принимает фактическое применение в качестве отправной точки и вводит основную технологию процессов, производимая интегрированным производством схем один за другим. Введен процесс, такой как разработка технологии изоляции, технология фильма жесткого покрытия, технология процесса LDD, салицид Технология процесса, технология процесса ESD IMP, AL и Cu Metal Interconnection.Затем примените эти технологии к фактическому процессу процесса, чтобы читатели могли быстро освоить практическое применение конкретной технологии процесса.
Эта книга направлена на то, чтобы ввести полупроводниковую технологию для друзей, занимающихся полупроводниковой промышленностью, предоставляя те, кто в отрасли, справочник, который легко понять и в сочетании с фактическим применением.Эта книга также можно прочитать для студентов и учителей микроэлектроники и интегрированных цепей.
"