Подлинное учебник Чип Производство и MDASH; & MDASH; Учебное пособие по процессу процесса полупроводника (шестое издание) Питер Ван Зант Полупроводник.
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Описание товара
[基本信息]
[书名:芯片制造]—&[mdash;半导体工艺制程实用教程（第六版）]
[定价：69元]
[作者:[美] Peter Van Zant 著；韩郑生 译]
[出版社：电子工业出版社]
[出版日期：2015-01-01]
[ISBN：9787121243363]
[字数：615000]
[页码：388]
[版次：6]
[装帧：平装]
[开本：16开]
[编辑推荐]
[《国外电子与通信教材系列]&[middot;芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍，第六版内容全面、工艺先进，在半导体领域享有很高的声誉。]
[目录]
[第1章 半导体产业]
[1．1 引言]
[1．2 一个产业的诞生]
[1．3 固态时代]
[1．4 集成电路]
[1．5 工艺和产品趋势]
[1．6 半导体产业的构成]
[1．7 生产阶段]
[1．8 微芯片制造过程发展的]
[60年]
[1．9 纳时代]
[习题]
[参考文献]
[第2章 半导体材料和化学品的特性]
[2．1 引言]
[2．2 原子结构]
[2．3 元素周期表]
[2．4 电传导]
[2．5 绝缘体和电容器]
[2．6 本征半导体]
[2．7 掺杂半导体]
[2．8 电子和空穴传导]
[2．9 半导体生产材料]
[2． 半导体化合物]
[2．11 锗化硅]
[2．12 衬底工程]
[2．13 铁电材料]
[2．14 金刚石半导体]
[2．15 工艺化学品]
[2．16 物质的状态]
[2．17 物质的性质]
[2．18 压力和真空]
[2．19 酸、 碱和溶剂]
[2．20 化学纯化和清洗]
[习题]
[参考文献]
[第3章 晶体生长与硅晶圆制备]
[3．1 引言]
[3．2 半导体硅制备]
[3．3 晶体材料]
[3．4 晶体定向]
[3．5 晶体生长]
[3．6 晶体和晶圆质量]
[3．7 晶圆准备]
[3．8 切片]
[3．9 晶圆刻号]
[3． 磨片]
[3．11 化学机械抛光]
[3．12 背面处理]
[3．13 双面抛光]
[3．14 边缘倒角和抛光]
[3．15 晶圆评估]
[3．16 氧化]
[3．17 装]
[3．18 工程化晶圆（衬底）]
[习题]
[参考文献]
[第4章 晶圆制造和封装概述]
[4．1 引言]
[4．2 晶圆生产的目标]
[4．3 晶圆术语]
[4．4 芯片术语]
[4．5 晶圆生产的基础工艺]
[4．6 薄膜工艺]
[4．7 晶圆制造实例]
[4．8 晶圆中测]
[4．9 集成电路的封装]
[4． 小结]
[习题]
[参考文献]
[第5章 污染控制]
[5．1 引言]
[5．2 污染源]
[5．3 净化间的建设]
[5．4 净化间的物质与供给]
[5．5 净化间的维护]
[5．6 晶片表面清洗]
[习题]
[参考文献]
[第6章 生产能力和工艺良品率]
[6．1 引言]
[6．2 良品率测量点]
[6．3 累积晶圆生产良品率]
[6．4 晶圆生产良品率的制约因素]
[6．5 封装和终测试良品率]
[6．6 整体工艺良品率]
[习题]
[参考文献]
[第7章 氧化]
[7．1 引言]
[7．2 二氧化硅层的用途]
[7．3 热氧化机制]
[7．4 氧化工艺]
[7．5 氧化后评估]
[习题]
[参考文献]
[第8章 十步图形化工艺流程――从表面]
[制备到曝光]
[8．1 引言]
[8．2 光刻工艺概述]
[8．3 光刻十步法工艺过程]
[8．4 基本的光刻胶化学]
[8．5 光刻胶性能的要素]
[8．6 光刻胶的物理属性]
[8．7 光刻工艺： 从表面准备到曝光]
[8．8 表面准备]
[8．9 涂光刻胶（旋转式）]
[8． 软烘焙]
[8．11 对准和曝光]
[8．12 先进的光刻]
[习题]
[参考文献]
[第9章 十步图形化工艺流程――从显影到终检验]
[9．1 引言]
[9．2 硬烘焙]
[9．3 刻蚀]
[9．4 湿法刻蚀]
[9．5 干法刻蚀]
[9．6 干法刻蚀中光刻胶的影响]
[9．7 光刻胶的去除]
[9．8 去胶的新挑战]
[9．9 终目检]
[9． 掩模版的制作]
[9．11 小结]
[习题]
[参考文献]
[第章 下一代光刻技术]
[．1 引言]
[．2 下一代光刻工艺的挑战]
[．3 其他曝光问题]
[．4 其他解决方案及其挑战]
[．5 晶圆表面问题]
[．6 防反射涂层]
[．7 高级光刻胶工艺]
[．8 改进刻蚀工艺]
[．9 自对准结构]
[． 刻蚀轮廓控制]
[习题]
[参考文献]
[第11章 掺杂]
[11．1 引言]
[11．2 扩散的概念]
[11．3 扩散形成的掺杂区和结]
[11．4 扩散工艺的步骤]
[11．5 淀积]
[11．6 推进氧化]
[11．7 离子注入简介]
[11．8 离子注入的概念]
[11．9 离子注入系统]
[11． 离子注入区域的杂质浓度]
[11．11 离子注入层的评估]
[11．12 离子注入的应用]
[11．13 掺杂前景展望]
[习题]
[参考文献]
[第12章 薄膜淀积]
[12．1 引言]
[12．2 化学气相淀积基础]
[12．3 CVD的工艺步骤]
[12．4 CVD系统分类]
[12．5 常压CVD系统]
[12．6 低压化学气相淀积（LPCVD）]
[12．7 原子层淀积]
[12．8 气相外延]
[12．9 分子束外延]
[12． 金属有机物CVD]
[12．11 淀积膜]
[12．12 淀积的半导体膜]
[12．13 外延硅]
[12．14 多晶硅和晶硅淀积]
[12．15 SOS和SOI]
[12．16 在硅上生长砷化镓]
[12．17 绝缘体和绝缘介质]
[12．18 导体]
[习题]
[参考文献]
[第13章 金属化]
[13．1 引言]
[13．2 淀积方法]
[13．3 单层金属]
[13．4 多层金属设计]
[13．5 导体材料]
[13．6 金属塞]
[13．7 溅射淀积]
[13．8 电化学镀膜]
[13．9 化学机械工艺]
[13． CVD金属淀积]
[13．11 金属薄膜的用途]
[13．12 真空系统]
[习题]
[参考文献]
[第14章 工艺和器件的评估]
[14．1 引言]
[14．2 晶圆的电特性测量]
[14．3 工艺和器件评估]
[14．4 物理测试方法]
[14．5 层厚的测量]
[14．6 栅氧化层完整性电学测量]
[14．7 结深]
[14．8 污染物和缺陷检测]
[14．9 总体表面特征]
[14． 污染认定]
[14．11 器件电学测量]
[习题]
[参考文献]
[第15章 晶圆制造中的商业因素]
[15．1 引言]
[15．2 晶圆制造的成本]
[15．3 自动化]
[15．4 工厂层次的自动化]
[15．5 设备标准]
[15．6 统计制程控制]
[15．7 库存控制]
[15．8 质量控制和ISO 9000认证]
[15．9 生产线组织架构]
[习题]
[参考文献]
[第16章 形成器件和集成电路的]
[介绍]
[16．1 引言]
[16．2 半导体器件的形成]
[16．3 可替换MOSFET按比例缩小的挑战]
[16．4 集成电路的形成]
[16．5 Bi MOS]
[16．6 超导体]
[习题]
[参考文献]
[第17章 集成电路的介绍]
[17．1 引言]
[17．2 电路基础]
[17．3 集成电路的类型]
[17．4 下一代产品]
[习题]
[参考文献]
[第18章 封装]
[18．1 引言]
[18．2 芯片的特性]
[18．3 封装功能和设计]
[18．4 引线键合工艺]
[18．5 凸点或焊球工艺示例]
[18．6 封装设计]
[18．7 封装类型和技术小结]
[习题]
[参考文献]
[术语表]
[内容提要]
[《国外电子与通信教材系列]&[middot;芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍， 在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围括半导体工艺的每个阶段： 从原材料的制备到封装、 测试和成品运输， 以及传统的和现代的工艺。《国外电子与通信教材系列]&[middot;芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》提供了详细的插图和实例， 每章含回顾总结和习题， 并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展， 讨论了用于图形化、 掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术， 使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、 化学和电子的基础信息更易理解。《国外电子与通信教材系列]&[middot;芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）》的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容， 并加入了半导体业界的新成果， 可以使读者了解工艺技术发展的趋势。]
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[韩郑生][，男，中科院微电子研究所研究员/教授，博士生导师，研究方向为微电子学与固体电子学，从事集成电路工艺技术、电路设计方面的工作，曾任高级工程师，光刻工艺负责人，研究室副主任兼任测试工艺负责人，硅工程中心产品部主任，项目/课题负责人。国家特殊津贴获得者。国家自然基金面上项目评审专家。]