На основе азотных технологий светящихся диодных чипов и технологии производства (утонченные) исследования и разработка аспирантов и бакалавриата в области азота -нитридного полупроводника
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Название товара: нитридные гинальные осветительные диоды проектирование и технологии производства (Essence)
формат:16
Автор:Zhou Shengjun // Лю Шэн
Количество страниц:
Цены:199
Время публикации: 2019-03-01
Номер ISBN: 9787030607430
Время печати: 2019-03-01
Издательство: наука
Версия:1
Тип продукта: книга
Индийский:1
Эта книга основана на результатах исследований автора и опыте индустриализации технологий и производства на основе GAN в течение многих лет.В книге есть 10 глав, в том числе история развития и статус исследований светодиодов, принципы работы светодиодов и светодиодную оптику, параметры электротехники и науки о цветах, электрод напряжения и квантовые ограничения на резкие эффекты, Blu -Ray/Green/Ultraviolet Led Structuran Процесс проектирования и материала, процесс изготовления светодиодных чипов, характеристики расширения тока светодиода, горизонтальная структура/инвертированная структура/проектирование и производство светодиодных чипов с высоким напряжением, механизм отказа светодиодных чипов и анализ надежности, а также новые светодиодные устройства.
Тема этой книги новая и богата содержанием.
1.1 История развития светодиодов
1.2 Статус -кво для индивидуального исследования иностранных исследований
1.2.1 Технология роста удлинения светодиодов и материал субстрата
1.2.2.
1.2.3 Статус исследования эффективности извлечения светодиодных избыточных светильников. Статус исследования исследования
Рекомендации
Глава 2 привел основные принципы
2.1
2.2 Композитный излучение и нерадиационный композит
2.3 Внутренняя квантовая эффективность и внешняя квантовая эффективность
2.3.1 Внутренняя квантовая эффективность
2.3.2 Эффективность извлечения света
2.3.3 Внешняя квантовая эффективность
2.4 Характерные параметры светодиода
2.4.1 Светодиодные оптические параметры
2.4.2.
2.4.3 Электрические параметры светодиода
2.4.4 Термические параметры светодиода
2.5 OM Contact Electrode
2.5.1 Введение
2.5.2 Ом принцип контакта
2.5.3 Измерение контакта ОМ
2.5.4 Контактные характеристики металла и P-Algan и P-Gan
2.6 Электрифицируемое электрическое поле и квантовое ограничение резкого эффекта
2.6.1 Кристаллическая структура и полярность гостиницы, Ган и Алн
2.6.2 Спонтанная поляризация и электризация напряжения
2.6.3 Квантовое ограничение резкого эффекта
Рекомендации
Глава 3 Проектирование структуры воздействия светодиодов и рост материала
3.1 III азота -нитрид -кристаллическая структура
3.2 Анализ тестов на удлинитель GAN и средние значения представления
3.2.1 Атомный мощный микроскоп
3.2.2 Сканирование электронного микроскопа
3.2.3 Переданный электронный микроскоп
3.2.4 Оптический Everbright
3.2.5 Электрическое излучение света
3.2.6 Катодная флуоресценция
3.2.7 Тест Холла
3.2.8 Рамановское рассеяние
3.2.9 Высокая дифракция x -Ray
3.3 рост удлинения базовых светодиодов Gan
3.3.1 Режим роста пленки
3.3.2 MOCVD двухэтапный метод управление GAN GAN
3.3.3 Gan Blu -Ray Led
3.3.4 Gan Kenguang возглавлял
3.3.5 Gan Base UV LED
Рекомендации
Глава 4 Процесс производства светодиодных чипов
4.1 Процесс оптической гравировки
4.1.1 Светодиодные внешние срезы очистка
4.1.2 Пластическое нанесение
4.1.3 Мягкая выпечка
4.1.4 Экспозиция и развитие
4.2 Процесс эрдеринга
4.2.1 Трэйн сапфировой подложки
4.2.2. Требитель материалов ITO
4.2.3 Осаждение и травление SIO2
4.2.4 Захват материалов GAN
4.2.5 Параметры процесса ICP влияют на травление Gan
4.3 Процесс осаждения и отжига фильмов
4.4 Процесс сапфировой подложки, прореживая и полировку
4.4.1 Процесс процесса
4.4.2 Оптимизация процесса
4.5 Технология окупания линии сапфировой линии
4.5.1 Технология лазерной очистки
4.5.2 Технология химической очистки
4.5.3 Технология механического погружения
4.5.4.
4.6 Интеграция процесса
Рекомендации
Глава 5 Характеристики расширения тока светодиодного чипа
5.1 Эффект текущего сбора
5.1.1 Путь расширения тока
5.1.2 Модель расширения тока
5.1.3 Влияние влияния текущей агрегации на эффективность эффективности извлечения светодиодных чипсов
5.2 Модель моделирования электрического муфты
5.2.1 Светодиодный чип обладает в исходной области
5.2.2 Светодиодный фиш
5.2.3. Генерация и передача тепла в светодиодной чипе
5.3 Анализ моделирования расширения тока
5.3.1 Внедрение программного обеспечения SLIMULED
5.3.2 Моделирование расширения тока светодиодного чипа Blu -Ray
5.3.3 УФ
Рекомендации
Глава 6 Структура высокого уровня высокого уровня
6.1 Технология сапфировой графики
6.2 Структура боковой стены воздушного зазора
6.3 Микро -структура боковой стенки
6.4 Графический ITO
6.5.
6.6 Слой блокировки графического тока
6.7 Структура электрода низкого света
6.8 Прозрачный проводящий электрод сетки металлической проволоки
6.9 Нижний отражатель
Рекомендации
Глава 7 Инвертированная структура светодиодная чип
7.1 Конструкция оптимизации структуры электрода -светодиодного чипа
7.1.1 Налейте электродную структуру светодиодной чипа
7.1.2 Моделирование расширения тока обратного светодиодного чипа
7.2 Высокая отражательная способность с низкой устойчивостью P
7.2.1 Ni/Ag
7.2.2 ITO/DBR
7.2.3 Сравнение Ni/Ag и ITO/DBR
7.2.4 AG/TIW и ITO/DBR Сравнение
Рекомендации
Глава 8 Высоко -давления светодиодной чипы
8.1 High -Dressure DC LED Chip
8.1.1 Принцип работы с высоким давлением постоянного тока
8.1.2 Светодиодный метод макета массивы
8.1.3 Светодиодный монономотропный механизм связи фотонов
8.2 Светодиодная фишка с высоким давлением переменного тока
8.2.1 Принцип работы с высоким давлением
8.2.2 Whistoraltone Bridge Contruct
8.3 Оптоэлектронная производительность светодиодной чипы с высоким уровнем тока DC/AC.
Рекомендации
Глава 9 Механизм отказа светодиодов и анализ надежности
9.1 Влияние влияния надежности светодиодных чипов
9.2 Влияние температуры узла на распад светодиодного чипа с высокой мощностью
9.3 Светодиодный чип положительный/обратный ток утечки
9.3.1 Введение в ток утечки светодиодного чипа
9.3.2 Светодиодный чип для производства механизмов перед током утечки
9.3.3 Механизм обратного тока утечки светодиодного чипа
9.3.4 Обратный ток утечки и надежность светодиодов
9.3.5
9.4 P-Gan Crucety и Electrode Padl
Рекомендации
Глава 0 Новое светодиодное устройство
10.1 Микросолдовый чип
10.2 Nano Pillar Led
10.3 Поляризованный светодиод
10.4 половина -поля/не -полярный светодиод
Рекомендации
......