Подлинная бесплатная доставка Моделирование книг.
Цена: 1 331руб. (¥74)
Артикул: 595243031602
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:智源图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥62.71 128руб.
¥38.8698руб.
¥23.7427руб.
¥58.81 058руб.
Основная информация
Название: Интегрированная конструкция схемы симуляции: Пример LDO Design в качестве примера оригинальной книги 2 издания 2 2
Цена: 99 юаней
Автор: [красота] Габриэль Альфонсо Ринкон-Мора) ,,,
Пресса: Machinery Industry Press
Дата публикации: 2016-05-01
ISBN: 9787111534969
Слова:
Номер страницы: 372
Издание: 1
Рамка
Открыто: 16
Краткое содержание
Интегрированная схема моделирования - Пример в качестве примера (оригинальная книга 2). Регулятор интегрированный конструкция схемы, а также защита и характеристики цепи.Интегрированная конструкция схемы -разыгрывает дизайн LDO в качестве примера (исходное издание книги 2), чтобы объяснить проектирование интегрированной схемы симуляции с точки зрения лица, подчеркивает интуицию и интуицию, системы системы, надежность и процессы проектирования. Примеры, большое количество примеров и большое количество примеров. Книга также может дать им много вдохновения.
об авторе
Доктор Габриэлялилфонсоринкон-Мора, который работал в Техасских Инструментах с 1994 по 2003 год, чтобы служить лидером высококлассной команды по проектированию интегрированных схем.В 1999 году доктор Ринкон-Мора был нанят в качестве неполного профессора технологического института Джорджии и был нанят в качестве профессора на полную ставку в 2001 году. С 2011 года он был нанят в качестве приглашенного профессора в Университете Ченггонгского университета. в Тайване.Он является академиком IEEE и IET, и он также является изобретателем/соавтором 38 патентов и автором/соавтором более 160 статей.Доктор Ринкон-Мора написал восемь книг, успешно разработав 26 коммерческих чипов, и получил ряд вознаграждений, в том числе Национальную награду испанского технологии от Испанской ассоциации профессиональных инженеров (SHPE) и Чарлиз, выпущенный Флоридским международным университетом Перри. Награда, сертификат похвалы, выданный заместителем губернатора Калифорнии, премия IEEE Service Award, выданная IEEECASS, и награда в Испании и наследие, выданная базой ВВС.В 2000 году технологический институт Джорджии пригласил доктора Ринкона-Мора присоединиться к Совету выдающихся молодых инженеров.В настоящее время он в основном привержен исследованию интегрированных систем схем, которые используют энергию батареи и окружающей среды для подачи питания на беспроводные и мобильные устройства.
Оглавление
Переводчик
Предисловие
об авторе
Глава 1 Система питания 1
1.1 стабилизатор в управлении питанием 1
1.2 Сравнение линейных регуляторов и стабилизаторов переключения 2
1.2.1 Складывание во время ответа 3 3
1.2.2 Шум 4
1.2.3 Эффективность преобразования мощности 4
1.3 Рыночный спрос 5
1.3.1 Система 5
1.3.2 Интегрирован 6
1.3.3 Рабочая жизнь 6
1.3.4 Счет питания net пусто 7
1.4 Мощность 8
1.4.1 Ранняя батарея 8
1.4.2 Литий -ионная батарея 9
1.4.3 Топливная батарея 9
1.4.4 Батарея ядерной энергии
1.4.5 Коллекционер энергии
1.5 Computer Simulation 11
1.6 Резюме 12
1.7 ОБЗОР Вопрос 13
Глава 2 Линейный стабилизатор 14
2.1 Рабочая зона 14
2.2 Индикаторы производительности 15
2.2.1 Точность 15
2.2.2 Эффективность преобразования мощности 25
2.2.3 Требования к работе 27
2.2.4 Фактор качества 29
2.3 Рабочая среда 30
2.3.1 нагрузка 31
2.3.2 Точка стабилизации 32
2.3.3 Паразитический эффект 33
2.4 Категория 34
2.4.1 Выходной ток 34
2.4.2 Разница давления 34
2.4.3 Компенсация 34
2.4.4 Категория 35
2.5 Модуль -Level Composition 36
2.6 Сводка 37
2.7 Обзор Вопросы 38
ГЛАВА 3 МИКРО ЭЛЕКТОРНОЕ Устройство 39
3.1 Сопротивление 39
3.1.1 Принципы работы 39
3.1.2 Паразитические компоненты 40
3.1.3 макет 40
3.1.4 Точность и относительная точность 42
3.2 Конденсатор 43
3.2.1 Принцип работы 43
3.2.2 Паразитный элемент 44
3.2.3 Макет 45
3.2.4 Точность и относительная точность 45
3,3 пл. Диод узла 46
3.3.1 Принципы работы 46
3.3.2 Паразитарные компоненты 49
3.3.3 макет и совпадение 50
3.3.4 Модель малого сигнала 52
3.4 Billar Crystal Tube (BJT) 53
3.4.1 Принцип работы 53
3.4.2 Вертикальный BJT56
3.4.3 Горизонтальный BJT57
3.4.4 субстрат BJT58
3.4.5 Модель малого сигнала 59
3.5 Металл-оксид-полупроводящий фермерский эффект Кристаллическая трубка (MOSFET) 61
3.5.1 Принцип работы 61
3.5.2 Паразитарная емкость 66
3.5.3p Touror mosfet67
3.5.4 Изменения в транзисторах 67
3.5.5 макет и соответствие 69
3.5.6 Модель малого сигнала 71
3.5.7 Мос емкость 73
3.5.8 сопротивление траншеи 73
3.6 Эффект Циксия Кристаллическая трубка (JFET) 73
3.6.1 Принципы работы 73
3.6.2p Рука JFET75
3.6.3 Модель большой сигнала 75
3.6.4 макет и матч 76
3.6.5 Модель малого сигнала 76
3.6.6 Отношения 78
3.7 Точность и относительная точность 78
3.8 Резюме 79
3.9 Обзор Вопросы 80
Глава 4 Основная единица 82 монокристаллической трубки 82
4.1 Два порта модель 82
4.2 Частотная характеристика 83
4.2.1 Extreme Point 84
4.2.2 0:85
4.2.3 Le Split 87
4.2.4 Метод устойчивости к конденсации 88
4.3 Поток сигнала 89
4.3.1 Вход и вывод 89
4.3.2 Полярность 89
4.3.3 Основная единица 90
4.4 Полюс общего полюса/
4.4.1 Большой сигнальный работа 90
4.4.2 Модель малого сигнала 91
4.4.3 Частотная характеристика 93
4.4.4 Запуск Extreme/Source Extreme обратная связь 95
4.5 Потальная полярная/замка галерея тока буфер 99
4.5.1.
4.5.2 Модель небольшого сигнала 0
4.5.3 Частотная характеристика 3
4.5.4. Электрическая отрицательная обратная связь 4
4.6 Вместе электрод/общий последователь напряжения дренажа 4
4.6.1 Большой сигнальный работа 4
4.6.2 Модель малого сигнала 5
4.6.3 Частотная характеристика 8
4.7 Сводка небольшого сигнала и приблизительное 9
4.7.1 Функция 9
4.7.2 Сопротивление 1
4.7.3 Частотная характеристика 112
4.8 Резюме 113
4.9 ОБЗОР ВОПРОСЫ 114
Глава 5 Симулятор Основной блок 115
5.1 тока зеркала 115
5.1.1 Принцип работы 115
5.1.2 Модель малого сигнала 118
5.1.3 Тока коррекция зеркала с током базового полюса 119
5.1.4 Право напряжения, исправляя общий источник CO -Grille/Cascode (Cascode) тока зеркала 120
5.1.5 Серкало тока каскада с низким уровнем ролтажа 121
5.2 Дворца дифференциального движения 123
5.2.1 Большой сигнал работы 124
5.2.2 Дифференциальный сигнал 125
5.2.3 Общий сигнал модели 127
5.2.4 Запуск Extreme/Source Extreme обратная связь 128
5.2.5cmos differial Move 129
5.3 Base Polar/Gallery Coufling 130
5.3.1 Большой сигнальный работа 130
5.3.2 малый сигнал отклика 132
5.3.3 Введите эталонный дисбаланс и шум 134
5.4 Дифференциальное движение 136
5.4.1 Большой сигнальный работа 137
5.4.2 Дифференциальный сигнал 138
5.4.3 Сигнал CO -Mode 140
5.4.4 Введите эталонный дисбаланс и шум 143
5.4.5 Подавление мощности 145
5.4.6 Складное каскование147
5.5 Резюме 151
5.6 ОБЗОРОВАЯ ВОПРОСЫ 152
Глава 6 Nendocar обратная связь 154
6.1 Кольцевая дорога обратной связи 154
6.1.1 Кольцевая дорожная композиция 154
6.1.2 Регулировать 155
6.1.3 Выходное преобразование 156
6.2 Эффект обратной связи 156
6.2.1 Чувствительность 156
6.2.2 Сопротивление 157
6.2.3 Частотная характеристика 160
6.2.4 Шум 162
6.2.5 Линейность 163
6.3 Структура отрицательной обратной связи 166
6.3.1 Cross -Guidance усилитель 166
6.3.2 Усилитель напряжения 167
6.3.3 Current Exile Большое устройство 168
6.3.4 Крестное блокирование большого оружия 169
6.4 Анализ 170
6.4.1 Процесс анализа 170
6.4.2 Устройство суперпозиции 173
6.4.3 Пример устройства 174
6.4.4 Крестный усилитель 175
6.4.5 Усилитель напряжения 179
6.4.6 Текущее изгнание большое оружие 183
6.4.7 Крестное блокирование большого оружия 188
6.5 Стабильность 193
6.5.1 Частотная характеристика 193
6.5.2 Компенсация 195
6.5.3 Антифазное ноль.
6.5.4 Встроенное кольцо 202
6.6 Дизайн 202
6.6.1 Концепция дизайна 202
6.6.2 Проектирование структуры системы 203
6.6.3 Компенсация частоты 204
6.7 Резюме 204
6.8 ОБЗОРОВАЯ ВОПРОСЫ 205
ГЛАВА 7 ПРИМЕНЕНИЯ ИСКЛЮЧЕНИЯ И КУРМАКА 207
7.1 напряжение Baiyuan 207
7.2ptat ток 208
7.2.1. Крест -купля четыре -труба 209
7.2.2 Блок блока 2
7.3ctat ток 213
7.3.1 Текущая выборка BJT214
7.3.2 Диод выборки напряжения 214
7.4 температурная компенсация 215
7.4.1 BJT Текущий контрольный источник с компенсацией ошибок 216
7.4.2 Текущая основа текущего 217 на основе диода
7.4.3 Компенсация компенсации ошибок на основе диода является точной для диода
7.5 Схема запуска 218
7.5.1 последовательно -на стартовой цепи 219
7.5.2 Направление для запуска запуска.
7.6 Частотная компенсация 222
7.7 Ингибирование силового шума 223
7.8. Квази -источник 224.
7.8.1 Базовая полоса -тока тока 224
7.8.2 Ток полосы на основе диодных полосных токов 225
7.9 Источник источника базового источника 226
7.9.1 Конверсия текущего напряжения 226
7.9.2 Регулировка выходного напряжения 227
7. Точность 230
7.11 Резюме 231
7.12 Обзор Вопросы 232
Глава 8 Реакция небольшого сигнала 234
8.1 Схема малого сигнала 234
8.2 Ответ во время неконтролированного 236
8.2.1 Связанная емкость и сопротивление 236
8.2.2 Кольцевая дорога 236
8.3 Частотная компенсация 239
8.3.1 Выходная компенсация 240
8.3.2 Внутренняя компенсация 242
8.4 Подавление мощности 245
8.4.1 Модель модели дивизии 246
8.4.2 Кормление шума 247
8.4.3 LE Capacitor 253
8.4.4 Анализ 255
8.4.5 Заключение 261
8.5 Сравнение стратегии компенсации 261
8.6 Резюме 262
8.7 ОБЗОР ВОПРОСЫ 264
Глава 9 Интегрированная конструкция схемы 265
9.1 Процесс проектирования 265
9.2 Кристаллическая трубка мощности 266
9.2.1 Схема выборов 266
9.2.2 Макет 269
9.3 Буфер 276
9.3.1 Drive n -тип Power Transistor 276
9.3.2 Drive P -Type Power Transistor 278
9.3.3 макет 290
9.4 Усилитель ошибки 290
9.4.1 чисто пусто 291
9.4.2 Подавление мощности 294
9.4.3 Введите справочный дисбаланс 296
9.4.4 Макет 299
9.5 Резюме 307
9.6 ОБЗОР Вопросы 309
Глава Глава Линейный регулятор 3
.1 Регулятор дифференциала низкого давления 3
.1.1 Регулятор PMOS 3 компенсировал выходной терминал 3
.1.2 Стабилизатор PMOS 314
.2 Широкополосный регулятор 318
.2.1 Внутренняя компенсация NMOS Регулятор 319
.3 Регулятор давления самостоятельно 322
.3.1 нулевая температура не имеет значения 322
.3.2 температурная компенсация 323
.4 повышение производительности 330
.4.1 Кристаллическая трубка 330
.4.2 Буфер 333
.4.3 Кольцевая дорога 335
.4.4 Скорость регулировки нагрузки 336
.4.5 Отклик мутации нагрузки 339
.4.6 Подавление мощности 340
.5 Регулировка тока 343
.5.1 Источник тока 343
.5.2 Текущее зеркало 344
.6 Резюме 347
.7 Обзор Вопрос 347
Глава 11 Защита и показывает 349
11.1 Защита 349
11.1.1 над текущей защитой 349
11.1.2 Тепло сломано 353
11.1.3 Защита от аккумулятора 355
11.1.4 Статическая защита от разряда 356
11.2 Особенности 358
11.2.1 Аналоговая нагрузка 359
11.2.2 Регулировать производительность 360
11.2.3 Power Property 366
11.2.4 Требования к работе 368
11.2.5 Начало 370
11.3 Резюме 371
11.4 ОБЗОР Вопросы
Выбор редактора
«Моделирование интегрированной конструкции схемы -Пример дизайна LDO» (исходное 2 -е издание исходного издания) проводило комплексную пересмотр и расширило большое количество контента, которое направлено на удовлетворение потребностей новых гибридных сигнальных систем.Эта книга рассказывает о концепции моделируемой интегрированной конструкции схемы и подробно подробно рассказывает о том, как использовать эти концепции, чтобы направлять проектирование и анализ интегрированных цепей с низким содержанием дифференциал -дифференциал (LDO), а также как построить биполярный , CMOS и BICMOS полупроводниковая технология для создания системы LDO.Эта книга придает большое значение культивированию контура и получила предложенные темы и завершилась.Эта книга также показывает, как разработать и оценивать моделируемые интегрированные схемы для растущих приложений беспроводного и мобильного рынка сегодня.Кроме того, большое количество случаев и главы обзора «Мышление» в книге помогают читателям углубить понимание важных концепций и технического понимания, разработанных в этом руководстве по сокращению.
Благодаря изучению этой книги читатель узнает:
1) оценить систему питания;
2) выполнять и сформулировать показатели производительности линейных регуляторов, а также характеристики отклика изменений в мощности, нагрузке и условиях труда;
3) лучше использовать полупроводниковые устройства -устойчивость, емкость, диод и транзистор;
4) проектирование зеркал тока, дифференциальные пары, дифференциальные усилители, линейные регуляторы и варианты этих цепей посредством комбинации;
5) кольцо управления обратной связью с закрытым и стабильным регулировкой напряжения и тока;
6) конструкция надежного тока и напряжения конструкции и контрольных схем напряжения;
7) Определите малый сигнальный динамический отклик интегрированной схемы моделирования и системы моделирования;
8) установить независимое, стабильное, шум и предсказуемое напряжение питания;
9) Реализуйте защиту тока, управление тепла, защиту обратной батареи и цепь защиты ESD;
) Проверьте, измеряйте и оцените чипы линейного регулятора.