Официальное подлинное моделирование Руководства по проектированию электронных систем Основная глава от полупроводниковых разделений до интегрированных схем TI и реализации моделируемого электронного технологического моделирования Электронная технология Фонд He Bin отредактировал
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
|
Оглавление
Глава 1 Моделирование Электронное техническое воспитание
1.1 История развития электронных технологий
1.2 Цель моделирования электронных технологий
1.2.1 Основное состояние аналоговой электронной технологии
1.2.2 Структура точки знаний аналоговой электронной технологии
1.2.3 Перспектива исследования аналоговых электронных технологий
1.3 Оценка и анализ аналоговой электронной системы
метод
1.3.1 Тип теоретического метода анализа
1.3.2 Суть теоретического метода анализа
1.3.3 Фактический тест
Глава 2 Полупроводник и PN Jievness
2.1 Полупроводниковый материал
2.1.1N примеси
2.1.2p примеси
2,1,3 больше детей и маленьких детей
2.1.4 Функция Фейми
2.1.5 Концентрация потока хлеба
2.2 нулевой смещение PN Knot
2.2.1 Внутреннее строительство электричество
2.2.2 Распределение электрического поля
2.2.3 Распределение электроэнергии
2.2.4 Ширина зоны пространственного истощения
2.3 Ping Pn вязание
2.3.1 Истощение ширины площади
2.3.2 Полиция обвиняет распределение
2.4 Обратный PN вязание
2.4.1 Истощение ширины площади
2.4.2 Столетная емкость
2.5 Плотность тока заключения
2.6 температурная зависимость
2.7 Модель связи с высокой частотой
2.7.1 Источенная емкость
2.7.2 Диффузионная емкость
2.7.3 Положительная частичная модель
2.7.4 Модель анти -биас
Глава 3 Характеристики и
анализировать
3.1 Символы и классификации диодов
3.1.1 Символы диода
3.1.2 Классификация диода
3.2 Диодное напряжение и характеристики тока
3.2.1 Конструкция и анализ тестовых цепи
3.2.2 Просмотреть и проанализировать таблицу сети Spice
3.2.3 Описание модели диодной специи
3.2.4 Диод-положительный утечка
Характерный анализ
3.2.5.
Характерный анализ
3.2.6 Линейность диодного напряжения.
Модель
3.3 Характеристики температуры диодов
3.3.1 Проведение анализа сканирования температуры диода
3.3.2 Нарисуйте и проанализируйте температуру диода
Характерная диаграмма
3.4 Частотные характеристики диода
3.4.1 Принципы инструментов Поттера
3.4.2
3.4.3 Анализ частотных характеристик диода
3.5 Диодные характеристики мощности
3.6 Everbright Diode и их характеристики
3.7 Zina Diode и его характеристики
3.7.1 Характеристики тока напряжения
3.7.2 Проектирование управляющего Power Manager
Глава 4 Проектирование и анализ диодов
4.1 Диодный выпрямитель
4.1.1.
4.1.2 Полное -волновое исправление
4.1.3 Выход выпрямителя с плоским -измельчатым выпрямителем
4.2 Пиковая трубка Peak Testo
4.2.1 Принцип пикового детектора диода
4.2.2 Реализация детектора конверта
4.3 Diodes Curn
4.4 Диоды разрезают Waverer
4.4.1 Принцип
4.4.2 Приложение диодного резака
4.5 Diode Big Diftifier
4.6 -Контролированный аттенюатор давления
Глава 5 Характеристики и
анализировать
5.1 Основная концепция транзистора
5.2 Двусторонний транзисторный символ двухстороннего узла
5.3 Двусторонняя транзисторная специя с двусторонним узлом
Параметр модели
5.4 Принципы принципа работы транзистора биполярного узла -типа
5.4.1 Кристаллическая структура Billar Knot
5.4.2 Управление напряжением, током и зарядами
5.4.3 Кристаллическая трубка&альфа; иβ
5.4.4bjt Рабочая зона
5.5 Bi -PULENT Transistor Transistor вход и вход
Выходные характеристики
5.5.1 Входные характеристики
5.5.2 Выходные характеристики
5.6 Модель транзистора двустороннего узла и
Аналитический метод
5.6.1 модель постоянного тока
5.6.2 Большая модель сигнала
5.6.3 Эффект Элеи
5.6.4
5.7 Теорема Миллера и ее метод анализа
5.7.1 Теорема Миллера и ее вывод
5.7.2 Применение теоремы Миллера
5.7.3 Эффект Мичигана
5,8 DC транзисторов биполярного узла -типа
Предвзятость
5.8.1 Аффективное смещение тока
5.8.2 Одностороннее смещение сопротивления полярного сопротивления
5.8.3. Смещение обратной связи с отзывом от обратной связи по шесте
5.8.4 Стреляющий полюс предвзятость
5.8.5 Двойное смещение сопротивления полюса
5.8.6 Конструкция частичной цепи
5,9 Усилитель общего полюса эмиссии
5.9.1 Active Megair вместе Extrater
5.9.2. Связь с сопротивлением вместе.
5.10 вместе усилитель электродов
5.10.1 Аффективное предвзято
5.10.2 Установка сопротивления. Стреляющий полюс последователь
5.11 Общий усилитель базового полюса
5.11.1 Входное сопротивление RI
5.11.2 Нет усиления напряжения нагрузки AVO
5.11.3 Выходное сопротивление ro
5.12 Дарлингтон к транзистору
5.13 Сдвиг уровня постоянного тока и усилитель
5.13.1 Метод движения уровня
5.13.2 DC усилитель сдвига уровня
5.14 Transistor Current Billar Note
Частотная характеристика
5.14.1 Высокочастотная модель
5.14.2bjt Частотная характеристика
5.15BJT частотная реакция усилителя
5,15,1 Всего дополнительного усилителя BJT
5.15.2 Общий усилитель электрода BJT
5.15.3 BV Extra BJT усилитель
Глава 6 Двусторонняя цепь усилителя Kidagencopic
приложение
6.1bjt многоуровневый усилитель и частота
ответ
6.1.1 Связанная емкость
6.1.2 Прямая связь
6.1.3 Класс, связанный с связанным с этим транзистор
6.1.4 Частотная характеристика
6.2bjt
6.2.1 Основной источник тока
6.2.2 Источник базового тока
6.2.3 WIDLAR Ток Источник
6.2.4.
6.2.5 Wilson Current Source
6.2.6 Источник много -веса тока
6.2.7 нулевой усилитель
6.2.8 Источник стабильного тока
Принцип дифференциального усилителя 6.3bjt
6.3.1 BJT с использованием блокирующей нагрузки
Дифференциальная пара
6.3.2 Используйте основные зеркала тока с активной нагрузкой
Дифференциальный усилитель BJT
6.3.3 Используйте дифференциал улучшения текущего зеркала
Усилитель
6.3.4 Вместе экстремальная экстремальная дифференциальная игра
Большой
6.3.5 Частотная характеристика дифференциального усилителя
Глава 7 Обратная связь с цепью схемы кристаллической трубы биопластики
Принципы и стабильный анализ
7.1 Тип механизма обратной связи эльфов
7.2 Особенности обратной связи Eliers
7.2.1 Коэффициент усиления с закрытым
7.2.2 Частотная характеристика
7.2.3 искажение
7.3 Структура обратной связи усилителя
7.3.1 Структура обратной связи с кандидатом
7.3.2 Структура обратной связи с кандидатом-кандидатом
7.3.3 Структура параллельной обратной связи
7.3.4 Структура обратной связи параллельных серий
7.4 Анализ передней обратной связи
7.4.1 Структура обратной связи с кандидатом
7.4.2 Структура обратной связи с кандидатом-кандидатом
7.4.3 Структура параллельной обратной связи
7.4.4 Структура обратной связи параллельных сериалов
7.5 Анализ анализа устойчивости усилителей
7.5.1 Закрытая частота и стабильность
7.5.2 Мгновенный ответ и стабильность
7.5.3. Закродно кольцо точка и стабильность
7.5.4 Руководство по стабильности Naquist
7.5.5 Относительное решение о стабильности
7.5.6. Влияние фазового края
7.5.7 Метод анализа диаграммы Поттер
Глава 8 Эффект полупроводниковой фермы оксида металла
Характеристики трубки и анализа схемы
8.1 Эффект полупроводникового поля оксида металла
Tube Foundation
8.1.1 Эффект полупроводникового поля оксида металла
Обзор
8.1.2 Кристалл поля оксида металла
символ
8.1.3. Основное влияние эффекта эффекта оксида металла
концепция
8.1.4mosfet's Spice Model
параметр
8.2 Улучшенный MOSFET
8.2.1 Внутренняя структура
8.2.2 Рабочий режим
8.2.3 рабочие функции
8.3 исчерпывающий MOSFET
8.3.1 Внутренняя структура
8.3.2 Рабочий режим
8.3.3 рабочие функции
8.4mosfet низкочастотная модель
8.4.1 модель постоянного тока
8.4.2 Маленькая модель сигнала
8.4.3 Анализ небольшого сигнала
8.5mosfet DC смещение
8.5.1Mosfet
8.5.2mosfet смещение конструкции схемы цепи
8.6 Общий источник чрезвычайно усилитель
8.6.1. Применяется общий источник текущей нагрузки источника
Усилитель
8.6.2 Использование улучшенной нагрузки на MOSFET
Гонгьюань чрезвычайно усилитель
8.6.3 Использование исчерпывающей нагрузки на МОСФЕТ
Гонгьюань чрезвычайно усилитель
8.6.4 Принят общий источник нагрузки сопротивления
Усилитель
8.7 Усилитель утечки полюса
8.7.1. Источник исходного предвзятости
8.7.2 Источник предвзятости сопротивления
8.8 Cangchemoh Extrater
8.9 Сдвиг уровня постоянного тока и усилитель
8.9.1 Метод движения уровня
8.9.2 МОСФЕТ С Сдвигом уровня
Усилитель
8.10 MOSFET -усилитель частотный характер
8.10.1mosfet Высокочастотная модель
8.10.2 Частотная характеристика усилителя общего источника
8.10.3 Демонстрационная частотная характеристика
8.10.4 Частотная характеристика общего полярного усилителя сетки
Глава 9 Эффект полупроводниковой фермы оксида металла
Применение схемы усилителя трубки
9.1mosfet многоуровневого усилителя и
Частотная характеристика
9.1.1 Связанная связь в сочетании с большим устройством
9.1.2 Прямая связь, размещающая большую
9.1.3 Усилитель Gongyuan-Gongzhe
9.2mosfet ток
9.2.1 Источник базового тока
9.2.2 Основной источник тока тока
9.2.3 Источник много -веса тока
9.2.4 Источник коммунистического исходного конгресса крыс
9.2.5 Wilson Current Source
9.2.6 нулевой усилитель
9.2.7 Источник стабильного тока
9.3mosfet отличается
9.3.1nmosfet отличается
9.3.2 МОСФЕТ с активной нагрузкой
Дифференциальная пара
9.3.3
Усилитель
9.4 исчерпывающий дифференциальный усилитель MOSFET
принцип
9.4.1 Используйте исчерпывающий тип блокирующей нагрузки
МОСФЕТ ОТКРЫВАЯ
9.4.2 Используйте исчерпывающий тип активной нагрузки
МОСФЕТ ОТКРЫВАЯ
Глава 10 Конструкция цепи калькулятора
Анализ
10.1 Принцип интегрированного оперативного усилителя
10.1.1 Внутренняя структура интегрированного операционного усилителя
10.1.2 Общий символ интегрированного операционного усилителя
10.1.3 Упрощенный принцип интегрированного операционного усилителя
10.2 Идеальная модель усилителя работы
10.2.1 Характеристики идеального усилителя расчета
10.2.2 Усилитель“ виртуальный короткий&rdquo
“ виртуальный перерыв”
10.2.3 Теорема суперпозиции
10.3 Анализ идеального усилителя расчета
10.3.1 Tongxiang поставив большой инструмент
10.3.2 Антифазное высвобождение большого
10.4 Применение оперативного усилителя
10.4.1 Последователь напряжения
10.4.2 Addctor
10.4.3 Указатель
10.4.4 Микропливное устройство
10.4.5 Half -Wave выпрямитель
10.4.6 Full -Wave выпрямитель
10.5 Схема электроснабжения единичной питания
10.5.1 OP -усилитель с одним мощным усилителем через питание
10.5.2 Основы схемы усилителя вычислений
Метод смещения
10.5.3 Другое основное единственное источник питания
Схема питания
Глава 11 Принципы интегрированного дифференциального расширения
Анализ
11.1 Основная концепция дифференциального усилителя
11.2 Дифференциальный усилитель
11.3 Усилитель инструмента
11.4 Усилитель обнаружения тока
11.4.1 Метод измерения тока низкого уровня
11.4.2 Метод обнаружения тока высокого тестирования
11,5 Полный другой
11.5.1 Принципы полного дифференциального усилителя
11.5.2 Сопоставление дифференциального источника источника сигнала
11.5.3 Сопоставление источника источника сигнала в одном
11.5.4 Введите напряжение CO -Mode
Глава 12 Индекс производительности лавигатора
12.1 Open -loop усиление, закрытый прирост и
Кольцевое усиление
12.2 Усилитель DC Точность
12.2.1 Empeers Входные параметры DC Параметры
индекс
12.2.2 Параметры постоянного тока выходного конца усилителя
индекс
12.3 Усилитель точности переменного тока
12.3.1
12.3.2 Скорость давления
12.3.3 Время создания
12.3.4 Общее гармоническое искажение и шум плюс шум
12.4 Другие показатели
12.4.1 Общий коэффициент подавления модели
12.4.2 Коэффициент подавления силового шума
12.4.3. Ток тока мощности
12.4.4 Инструментальная плазия шум
12.5 Индикатор точного усилителя
12.5.1ti Точный операционный усилитель
12.5.2 Шаги выбора для усилителей точности
Глава 13 Стабильность схемы усилителя усилителя
анализировать
13.1 Анализ стабильности якорной цепи
метод
13.2aol и 1/&Бета; метод расчета
13.3 Внешняя паразитическая емкость стабилен в стабильности
Влияние
13.3.1 Анализ мгновенного состояния влияния сопротивления нагрузки
13.3.2 Связь Маленький сигнал эффект на влияние сопротивления нагрузки
анализировать
13.4 Измените метод компенсации AOL
13.4.1 переходный анализ цепи
13.4.2 Анализ сигналов AC xiaoba
13.5 Измените 1/&Бета; метод компенсации
13.5.1 переходный анализ цепи
13.5.2 AC AC Анализ небольшого сигнала.
Глава 14 Принцип и принцип усилителя высокого скорости
анализировать
14.1 Ключевые индикаторы усилителя с высоким уровнем скорости
14.1.1 полоса пропускания
14.1.2
14.1.3 Время создания
14.1.4thd+n и количество вариантов
14.2Bipolar и FET высокая скорость
Усилитель
14.3 обратная связь напряжения, обратная связь с током и Go
Компенсированный усилитель с высокой скоростью
14.3.1 обратная связь напряжения и усилитель обратной связи тока
Принцип
14.3.2 Усилитель обратной связи напряжения и обратная связь с током
Разница между усилителем: полоса пропускания и пропускной способности
Прирост
14.3.3 Усилитель обратной связи напряжения и обратная связь с током
Разница между усилителем: сопротивление обратной связи
Ценить
14.3.4 Усилитель обратной связи напряжения и обратная связь с током
Разница между усилителем: скорость цветения давления
14.3.5 Усилитель обратной связи напряжения и обратная связь с током
Выбор усилителя
14.3.6 Чтобы компенсировать усилитель обратной связи напряжения
14.4 Применение приложения усиления усиления управления напряжением
Глава 15 Принципы аффилированного фильтра
Дизайн
15.1 Производительность и пассивный фильтр
15.2 Классификация стоматологических фильтров
15.3 Изучение модели диверта -фильтра
метод
15.4 Первый порядок фильтра и их характеристики
15.4.1 Фильтр с низким уровнем прохода
15.4.2 Qualcomm Filter
15.4.3 прохождение фильтра
15.4.4 Фильтр сопротивления ремня
15,5 Двойная вторичная функция
15.5.1 Ответ Бесселя
15.5.2 Ответ Бартворта
15.5.3 Chebibirff Ответы
15.6sallen-ключ фильтр
15.6.1 Общая форма
15.6.2 Фильтр с низким уровнем прохода
15.6.3 Qualcomm Filter
15.6.4 прохождение фильтра
15.7 Несколько фильтров обратной связи
15.7.1 Фильтр с низким уровнем прохода
15.7.2 Qualcomm Filter
15.7.3 прохождение фильтра
15.8Bainter Trap Filter
15.9 Полный роскошный фильтр
15.9.1 Первый -заказ всего -ручный фильтр
15.9.2 второй -Полномочный фильтр.
15.10 Фильтр конденсатора коммутатора
15.10.1 Сопротивление конденсатора коммутатора
15.10.2 Переключатели точки конденсации
15.10.3 Общий фильтр конденсатора коммутации
15.11 Конструкция единого питания фильтра
15.12 Инструмент вспомогательного проектирования фильтра
Глава 16 Анализ и анализ мощности лавигатора
дизайн
16.1 Типы усилителя мощности
16.2 Кристаллическая трубка мощности
16.3a Принцип усилителя власти
анализировать
16.3.1 Стреляющий последователь
16.3.2 Основное усилитель полюсов по шесте
16.3.3 Принять полюс с активной нагрузкой
Усилитель
16.3.4 Связание трансформатора Co -Shooting
Усилитель
16.4b принципа и принципа усилителя власти
анализировать
16.4 .1
16.4.2.
Усилитель
16.5ab -класс
анализировать
16.5.1 Характеристики передачи
16.5.2 Выходная мощность и эффективность
16.5.3 Используйте смещение диода
16.5.4 Использование источников диода и активного тока
Предвзятость
16.5.5 смещение инструмента умножения VBE
16.5.6 Краткий дополнительный усилитель AB
16.5.7 Связание трансформатора AB Class усилитель
16.6c Классный принцип усилителя и принцип и принцип и принцип
анализировать
16.7D класс
анализировать
16.8 Принцип и принцип усилителя класса власти
анализировать
16.9 Типы усилителя Power Computing и тип и
приложение
16.9.1 Типы усилителя работы с электроэнергией
16.9.2 Применение применения усилителя электроэнергии
16.9.3
16.9.4
16.9.5 Дизайн транспорта электроэнергии
Глава 17 Характеристики и анализ генератора
17.1 Принцип генератора
17.1.1 Анализ условий колебаний
17.1.2 Анализ анализа частотной стабильности
17.1.3 Анализ анализа устойчивости амплитуды
17.2 Audio осциллятор
17.2.1 Движение генератора
17.2.2 ортогональный генератор
17.2.3 Трехфазный генератор
17.2.4 Осциллятор Венсинг -Бридж
17.2.5 Кольцевой генератор
17.3 РЧ Осциллятор
17.3.1 Corpitz генератор
17.3.2 Хартла Осциллятор
17.33
17.4 Кристаллический генератор
17.5 Силиконовый генератор
17.6 Аффективный фильтр отдыхающий Hosque
Глава 18 Принципы управляющего властью
Применяемый
18.1 Линейный менеджер мощности
18.1.1 внутренний линейный менеджер мощности
состав
18.1.2.
Влияние
18.1.3 Выходное напряжение и входное напряжение и нагрузка
Текущее изменение
18.1.4ldo Power Manager эффективность
18.1.5ldo Power Manager Отзывы
компенсировать
18.1.6ldo коэффициент подавления мощности
18.2 Switch Power Manager
18.2.1 Основные понятия индуктивности и емкости
18.2.2 Принципы и принципы идеального антигипертензивного конвертера
состав
18.2.3 Принцип и идеального преобразователя увеличения
состав
18.2.4 Принцип идеального преобразователя сокращения
И структура
Глава 19 Моделирование-принципы цифровых преобразователей и
приложение
19.1 Структура гибридной системы цифровой модели
19.2ADC Принцип
19.2.1 Основной принцип основного принципа
19.2.2 Количественная ошибка и разрешение
19.2.3 Скорость отбора проб
Индекс производительности 19.3ADC
19.3.1 Статические характеристики
19.3.2 Динамические характеристики
19.4ADC Тип и принцип
19.4.1 Принципы подхода ADC -типа -типа один за другим
И применяется
19.4.2&Принцип и принцип и
приложение
19.4.3
приложение
19.5ADC Тип цифрового интерфейса
19.5.1I2C Интерфейс
19.5.2spi интерфейс
19.5.3 LVDS Интерфейс
19.6ADC Справочный источник ввода
19.6.1 серия эталона напряжения
19.6.2.
19,7 Полный другой
дизайн
19.8 Резюме
Глава 20 Цифровой принцип и
приложение
20.1dac Принцип и реконструкция сигнала
20.1.1DAC Принцип
20.1.2 Реконструкция аналогового сигнала
20.2DAC Индикаторы производительности
20.2.1 Резолюция
20.2.2 Полный диапазон
20.2.3 Статические параметры
20.2.4 Динамические параметры
20.3DAC Тип устройства и принцип
20.3.1 Тип строки сопротивления
20.3.2R-2R
20.3.3 Тип умножения
20.3.4 Текущий тип руководства
20.3.5 Цифровой потенциометр
20.3.6&Дельта;
20.4 Модуляция ширины импульса
20.4.1 Разрешение рабочего цикла
20.4.2 Гармония искажение
20.4.3 Конструкция симуляционного фильтра
20,5 Принципы отбора
Рекомендации
  Эта книга начинается с самого основного полупроводника PN -узла, с диодом, биполярным узлом транзистором, металлическим полупроводником, а также интегрированным усилителем вычислительного усилителя, интегрированного усилителя мощности, интегрированный линейный чип питания с низким уровнем напряжения. , Интегрированный усилитель мощности, интегрированный линейный чип восстановления низкого уровня, интегрированный чип питания переключения является основной линией. и анализ диодной схемы, характеристики и анализа транзистора биполярного узла, применение схемы усилителя транзистора биполярного узла, двойные принципы и стабильный анализ, стабильный анализ, характеристики полевого эффекта оксида металла, характеристики трубки трубки и цепи, оксид металла, металл. Полупроводниковое полевое полезное полевое применение увеличенного применения схемы трубки, конструкции схемы усилителя вычислительных средств, проектирование и анализ интегрированного дифференциального усилителя, показатели производительности вычислительных усилителей, анализ стабильности схемы усилителя, принцип и анализ усилителей высокого скорости. Принцип и проектирование активного фильтра, анализ и проектирование приложения усилителя мощности, принципы и приложения аналога-цифрового преобразователя, принципы и приложения цифровой конвертер.Одна из основных особенностей этой книги - систематически интегрировать теоретические знания электронной системы и моделирования специй. TI с Соединенными Штатами TI, в котором компания в компании с компаниями NI в Соединенных Штатах внедрило в книги последнюю теорию теории и дизайна аналогового электронного дизайна, чтобы содержание этой книги могло продвигаться со временем и представлять более захватывающий контент читателям.Эта книга подходит для инженеров, занимающихся проектированием системы моделирования, особенно для инженеров, занимающихся интегрированной конструкцией TI.В то же время эта книга также может быть использована в качестве учебного заведения по обучению для основных курсов моделируемой технологии электроники в колледжах и университетах.
 В настоящее время было опубликовано почти 30 работ по встроенным и EDA.Типичные шедевры включают в себя «Авторитетное руководство по дизайну Xilinx FPGA», «Altium Designer13.0 Конструкция схемы, моделирование и проверка Обработка сигнала Авторитетное руководство по руководству от ЛПВП, модели к C »,« Моделирование и цифровая система, скоординированная проектирование. Технологическое внедрение авторитетных руководящих принципов »и« Программа однокомпьютерной CSTC Microcomputer C STC STC ».
Эта книга подходит для инженеров, занимающихся проектированием системы моделирования, особенно инженеров, которые используют интегрированные схемы TI.В то же время его также можно использовать в качестве учебного заведения для основных курсов моделируемой электронной технологии.