[Официальная подлинная] моделирование Электронная технология Основная новая координатная университетская бакалавриат электронная информация
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| |||||||
| |||||||
Основная информация
Название книги: Новые координаты бакалавриата Электронная информация Основная серия учебников&Middot; Основы аналоговых электронных технологий
Первоначальная цена: 29,00 юань
Автор: Ван Джихао
Пресса: издательство Tsinghua University Press
Дата публикации: 2009-02-28
ISBN: 9787302191360
Количество слов:
Номер страницы:
Издание: 1
Переплет: мягкая обложка
формат:
Вес товара: 0,481 кг
Выбор редактора
Похожего контента пока нет
Краткое содержание
"Новая координатная университетская бакалавриат Электронная информация Основная серия учебников&Middot; Основы аналоговых электронных технологий》 - прекрасный курс в провинции Шаньдун“ Фонд электронных технологий” книга в серии учебников.Он составлен в соответствии с основными требованиями для основных курсов по обучению моделируемым электронным технологиям базовых курсов, пересмотренных подкомитетом по проведению высших учебных заведений Министерства образования.Книга включает в себя полупроводниковые устройства, базовые схемы усилителей, эксплуатационные усилители и их приложения, усилители отрицательной обратной связи, синусоидальные и синусоидальные сигналы, усилители мощности, регулируемые напряжением источники питания и т. Д.Чтобы облегчить мультимедийное обучение, «Новая координатная университетская бакалавриат Электронная информация Основная серия учебников&Middot; Основы аналоговой электронной технологии》 оснащены подробным электронным курсом.
"Новая координатная университетская бакалавриат Электронная информация Основная серия учебников&«Основы аналоговых электронных технологий» в основном используются в качестве учебника для электротехники, электронной информации, компьютерных и автоматических специальностей в колледжах и университетах, а также могут использоваться в качестве ссылки для тех, кто занимается электронными технологиями.
Оглавление
Глава 1 Основы полупроводниковых устройств
1.1 Основные знания полупроводников
1.1.1 Внутренние полупроводники
1.1.2 Примеси полупроводники
1.1.3 ПН-соединение и его односторонняя проводимость
1.1.4 Характеристики разбивки ПН -соединений
1.1.5 Эффект емкости PN -соединения
1.2 Полупроводниковый диод
1.2.1 Характерная кривая полупроводниковых диодов
1.2.2 Основные параметры диодов
1.2.3 Модель полупроводникового диода
1.2.4 Диод стабилизации напряжения
1.3 Полупроводниковые транзисторы
1.3.1 Структура BJT
1.3.2 Внутренний принцип работы BJT
1.3.3 Характерная кривая BJT
1.3.4 Основные параметры BJT
1.3.5 модель BJT
упражнение
Глава 2 Базовая схема усиления
2.1 Общий метод представления схемы усилителя и ее индикаторы производительности
2.1.1 Общий метод представления схемы усилителя
2.1.2 Индикаторы производительности схем усилителей
2.2 Принцип работы схемы усилителя одно трубки
2.2.1 Рабочий статус BJT в схеме общего радиационного усилителя с одной трубкой
2.2.2 Структура схемы усилителя одно труб
2.2.3
2.2.4 Методы представления физических величин, обычно используемых в схемах усилителей
2.3 Метод графического анализа схемы усиления
2.3.1 Анализ модели усилителя постоянного тока
2.3.2 Статический анализ схем усилителей
2.3.3 Динамический анализ схем усилителей
2.3.4 искажение между статическими рабочими точками и схемой усилителя-
2.4 Метод динамического анализа схемы усилителя
2.4.1 модель малого сигнала BJT и малый сигнал AC эквивалент схемы усилителя
2.4.2 Динамический анализ схем
2.4.3 Стабилизация статических рабочих точек
2.5 Общая схема и схема усиления общей базы и цепь источника тока BJT
2.5.1 Общая схема усиления коллекционера
2.5.2 Общая схема усилителя базового усилителя
2.5.3 Схема источника тока BJT
2.6 Многостадийная схема усилителя
2.6.1 Метод связи многоступенчатой схемы усилителя
2.6.2 Метод анализа многоэтапной схемы усилителя
2.7 Частотная характеристика схемы усилителя BJT
2.7.1 Частотная реакция пассивных сетей RC
2.7.2 Hybrid 7C модели BJT
2.7.3 Частотная характеристика емкостно-связанного схемы усилителя со-редио
упражнение
Глава 3 Полевой эффект усилитель трубки
3.1 Трубка полевого эффекта
3.1.1 Изолированная трубка типа затвора
3.1.2
3.1.3 Основные параметры FET
3.1.4 Характеристики FET и меры предосторожности для использования
3.1.5 модель FET
3.2 Схема усиления транзистора полевого эффекта
3.2.1 Статическое смещение цепи усиления трубки в поле
3.2.2 MAL SIGNAL MODEL малой сигнальной модели полевого эффекта
3.2.3 Схема усиления транзистора в полевых условиях
упражнение
Глава 4 Электронные схемы питания
4.1 Обзор
……
Глава 5 Интегрированный OP AMP
Глава 6 Схема усиления обратной связи
Глава 7 Расчет и схема обработки сигнала
Глава 8 Схема генерации и преобразования волны
Глава 9 Стабилизация напряжения постоянного напряжения
Глава 10 Компьютерное моделирование электронных схем
Рекомендации
об авторе
Похожего контента пока нет
Предисловие
Похожего контента пока нет