Официальный веб -сайт подлинный механизм отказа от усталости IGBT и мониторинг состояния здоровья Сяо Фей Лю Бинли Луо Йифеи Хуан Юнгл Электронный Чип Электронный Устройство Чип
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация | |
наименование товара: |   IGBT Механизм разрушения усталости и его мониторинг состояния здоровья |
делать   | xiao fei liu binli luo yifei huang yongle |
город  Полевая цена: | 59.00 |
ISBN номер: | 9787111634072 |
Версия   раз: | 1-1 |
Дата публикации: | 2020-01 |
Страница &Nbsp; номер: | 240 |
Характер &Nbsp; номер: | 292 |
вне  версии агентства: |   Machinery Industry Press |
Оглавление |
последовательность вперед слова Глава 1 Введение 1.1 Механизм отказа IGBT 1.1.1 Отказ дефекта IGBT 1.1.2 IGBT случайная неудача 1.1.3 IGBT усталость отказа 1.2 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT 1.2.1 Метод мониторинга здоровья на основе температуры узел IGBT 1.2.2 Метод мониторинга здоровья на основе IGBT на основе -резистентности и термической сопротивления 1.2.3 Метод мониторинга здоровья на основе прогнозирования жизни IGBT 1.3 Сводка статуса исследования 1.3.1 Исследование механизма отказа IGBT 1.3.2 Исследование метода мониторинга состояния здоровья IGBT в исследованиях по методам 1.4 Основное содержание и расположение главы этой книги Рекомендации ГЛАВА 2 Устройство IGBT и его рабочее механизм 2.1 базовая структура IGBT 2.2 Процесс производства IGBT 2.3 Рабочий механизм IGBT 2.4 Процесс разработки IGBT 2.5 Сводка этой главы Рекомендации Глава 3 Режим отказа IGBT и его механизм отказа 3.1 Основные объекты приложения IGBT и их рабочие характеристики 3.2 Основной режим отказа и механизм отказа IGBT 3.2.1 Режим сбоя дефектов IGBT и анализ механизма 3.2.2 IGBT Mode и анализ механизма IGBT 3.2.3 Режим отказа от усталости IGBT и анализ механизма 3.3 Метод эксперимента по сбое усталости 3.3.1 IGBT Electric Heating Press и усталость питания усталости 3.3.2 Обнаружение и анализ вариантов вариации и анализа вариации. 3.3.3. Комплексная рекордная обработка функций старения IGBT усталости 3.4 Сводка этой главы Рекомендации Глава 4 Механизм усталости, связанный с чипом 4.1 Механизм разрушения усталости для интерфейса 4.1.1 Галерея al-sio2 интерфейс 4.1.2 Галерея интерфейса Si-SIO2 4.1.3. 4.2 Механизм усталостного разрушения кремниевых материалов 4.3 Резюме этой главы Рекомендации Глава 5 Механизм усталости, связанный с упаковкой 5.1 АНАЛИЗ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МЕТАЛЬНОЙ ПРИВОДНОГО ПРИВОДА 5.2 Анализ электрохимической коррозии 5.3 Анализ реконструкции поверхностного слоя AL металлического слоя 5.3.1 Причина реконструкции поверхности 5.3.2 Механизм реконструкции поверхности 5.4 Усталость чипа и подложки сварного слоя усталости 5.4.1 Метод анализа усталостной неудачи утомления сварного слоя. 5.4.2 Экспериментальное измерение экспериментов по полю температуры внутри устройства 5.4.3 Механизм усталостного разрушения сварного слоя 5.5 Ключевая усталость провода и сбой подъема 5.5.1. Ключевой механизм разрушения шелкового корня усталости 5.5.2. Ключевые кучи проволочной накладки усталости усталости 5.5.3. 5.6 Сводка этой главы Рекомендации Глава 6 Мониторинг мониторинга мониторинга здоровья на основе механизма усталости чипа 6.1 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT на основе порогового напряжения 6.1.1 IGBT пороговое напряжение. 6.1.2 Метод мониторинга состояния здоровья напряжения IGBT 6.2 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT на основе установки тока утечки электрода 6.2.1 IGBT Коллективный ток утечки утечки электрода изменяет изменение регулярного моделирования и анализа 6.2.2 Метод мониторинга тока утечки электродов IGBT 6.3 Метод мониторинга на основе состояния здоровья IGBT на основе времени разрыва 6.3.1 IGBT разбивает ткани. 6.3.2 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT 6.4 Сводка этой главы Рекомендации Глава 7 Мониторинг мониторинга состояния состояния здоровья на основе механизма усталости усталости лизлость 7.1 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT на основе термического сопротивления 7.1.1. 7.1.2 Метод мониторинга состояния здоровья на основе отопления 7.2 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT на основе установки давления давления насыщения полярного насыщения 7.2.1 IGBT Установка радиационного полярного насыщения падение давления с изменением усталости упаковки 7.2.2 Метод мониторинга состояния здоровья IGBT на основе установки потока напряжения насыщения полярного насыщения 7.3 Мониторинг мониторинга состояния здоровья IGBT на основе IGBT 7.3.1 Метод мониторинга на основе изменения изменений напряжения на основе отключения IGBT отключения 7.3.2 Метод прогнозирования температуры на основе потери IGBT и функций теплопередачи 7.3.3 Метод и метод прогнозирования жизни на основе сбоя IGBT на основе узла 7.4 Сводка этой главы Рекомендации |
краткое введение |
  «Механизм отказа от усталости IGBT и его мониторинг состояния здоровья» на основе подробного анализа механизма отказа от усталости IGBT и упаковки на основе изучения закона об отказе от дисфункции, теоретического анализа и описания анализа объединены. Установите метод мониторинга здоровья для электрических характеристик, связанных с IGBT, и эффективно оценить состояние здоровья устройства IGBT на разных этапах жизни.«Механизм отказа от усталости IGBT и его мониторинг состояния здоровья» могут использоваться в качестве справочника, занимающегося техническим персоналом, занимающимся теорией и инженерией технологий электроники. |