Кремниевая пластинка с кремниевой пластинкой (седьмое издание) (книга в твердом переплете) Книга Quanhua Lin Mingxian
Цена: 4 480руб. (¥212)
Артикул: 737605678712
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:tb527698023
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥491 036руб.
¥631 332руб.
¥ 75 631 332руб.
¥1202 536руб.
Технология кремниевых пластин-полупроводниковых материалов (седьмое издание) (в твердом переплете)
Автор: Линь Минсянь
Издательство: книга Quanhua
Дата публикации: 20.03.2023
Язык: традиционный китайский
ISBN: 9786263284104
Характеристики: мягкий твердый переплет, 616 страниц, 19x26x3,08 см, обычный уровень, одноцветная печать, семь изданий.
Место публикации: Тайвань, Китай
Поскольку материал кремниевых пластин является основой полупроводниковой промышленности, академические исследователи и инженеры, работающие в области полупроводников, должны иметь глубокое понимание основных свойств и процессов производства кремниевых пластин.
Поэтому содержание этой книги изложено просто и доступно для понимания.Помимо представления исторической эволюции и текущего состояния индустрии кремниевых пластин, он также включает в себя следующие разделы: основные свойства кристалла кремния, технология производства поликристаллического кремния, выращивание монокристаллов, дефекты кристаллов кремния, обработка и формование кристаллов кремния, тестирование свойств и другие блоки.
В этой книге автор фокусирует внимание на ознакомлении с процессом производства кремниевых пластин.Он подходит для читателей и специалистов-практиков, интересующихся технологией изготовления полупроводниковых пластин.
Характеристика
1. Эта книга является единственным профессиональным справочником, посвященным материалам кремниевых пластин.
2. Подробное введение в основные свойства кристалла кремния, процесс производства материалов кремниевых пластин, контроль дефектов кремниевых пластин и блоки обнаружения свойств кремниевых пластин. Это профессиональная книга для академических исследователей и инженеров, работающих в области полупроводников.
Поэтому содержание этой книги изложено просто и доступно для понимания.Помимо представления исторической эволюции и текущего состояния индустрии кремниевых пластин, он также включает в себя следующие разделы: основные свойства кристалла кремния, технология производства поликристаллического кремния, выращивание монокристаллов, дефекты кристаллов кремния, обработка и формование кристаллов кремния, тестирование свойств и другие блоки.
В этой книге автор фокусирует внимание на ознакомлении с процессом производства кремниевых пластин.Он подходит для читателей и специалистов-практиков, интересующихся технологией изготовления полупроводниковых пластин.
Характеристика
1. Эта книга является единственным профессиональным справочником, посвященным материалам кремниевых пластин.
2. Подробное введение в основные свойства кристалла кремния, процесс производства материалов кремниевых пластин, контроль дефектов кремниевых пластин и блоки обнаружения свойств кремниевых пластин. Это профессиональная книга для академических исследователей и инженеров, работающих в области полупроводников.
CH1 Введение
Свойства кристалла кремния CH2
2-1 Свойства кристаллов
2-2 Физика полупроводников и электрические свойства кристалла кремния
2-3 Оптические свойства кремния
2-4 Термические свойства кремния
2-5 Механические свойства кремния
Технология производства поликристаллического кремниевого сырья CH3
3-1 Технология производства объемного поликристаллического кремния – метод Сименса
3-2 Технология производства объемного поликристаллического кремния – метод АсиМи
3-3 Технология производства гранулированного поликристаллического кремния
Рост монокристаллов CH4
4-1 Теория роста монокристаллов
4-2 Метод выращивания кристаллов кремния CZ (вытягивание Чохральского)
4-3 Метод выращивания монокристаллов кремния MCZ
4-4 Метод выращивания монокристаллов кремния CCZ
Метод выращивания монокристаллов кремния 4-5 ФЗ.
Дефекты кремниевой пластины CH5
5-1 Точечные дефекты и микродефекты в кристалле кремния CZ
5-2 Осаждение кислорода
5-3 OISF (ошибки укладки, вызванные окислением)
Обработка и формование кремниевых пластин CH6
6-1 Обрезка
6-2 Шлифование внешнего диаметра
6-3 Обработка ориентации — плоская V-образная канавка& Notch Grinding)
6-4 Нарезка
6-5 Скругление кромок
6-6 Притирка
6-7 Двухдисковое шлифование (DDG)
6-8 Травление
6-9 Полировка
6-10 Очистка
6-11 Обработка обратной стороны кремниевой пластины
Технология эпитаксиального выращивания кремния CH7
7-1 Основные принципы сердечно-сосудистых заболеваний
7-2. Выращивание эпитаксиальных кристаллов кремния.
7-3 Свойства эпитаксиальных кристаллов кремния
CH8 Проверка свойств кремниевых пластин
Решение 8-1 ПН
8-2 Измерение сопротивления
8-3 Проверка направления кристаллографической оси
8-4 Определение концентрации кислорода
8-5 Технология измерения срока службы
8-6 Технология контроля дефектов пластин и ультраследового анализа
8-7 Измерение частиц на поверхности пластины
8-8 Измерение металлических примесей
8-9 Измерение плоскостности
CH9 Применение кремниевых пластин в полупроводниках
9-1 Память
9-2 Логическая ИС
9-3 Силовые полупроводниковые устройства
Приложение A Геометрия решетки
Приложение Б. Основные константы
Приложение C. Основные свойства кремния.
Приложение D. Объяснение часто используемых терминов в области кремниевых пластин и полупроводниковой промышленности.
Приложение E. Важные характеристики кремниевых пластин.
Свойства кристалла кремния CH2
2-1 Свойства кристаллов
2-2 Физика полупроводников и электрические свойства кристалла кремния
2-3 Оптические свойства кремния
2-4 Термические свойства кремния
2-5 Механические свойства кремния
Технология производства поликристаллического кремниевого сырья CH3
3-1 Технология производства объемного поликристаллического кремния – метод Сименса
3-2 Технология производства объемного поликристаллического кремния – метод АсиМи
3-3 Технология производства гранулированного поликристаллического кремния
Рост монокристаллов CH4
4-1 Теория роста монокристаллов
4-2 Метод выращивания кристаллов кремния CZ (вытягивание Чохральского)
4-3 Метод выращивания монокристаллов кремния MCZ
4-4 Метод выращивания монокристаллов кремния CCZ
Метод выращивания монокристаллов кремния 4-5 ФЗ.
Дефекты кремниевой пластины CH5
5-1 Точечные дефекты и микродефекты в кристалле кремния CZ
5-2 Осаждение кислорода
5-3 OISF (ошибки укладки, вызванные окислением)
Обработка и формование кремниевых пластин CH6
6-1 Обрезка
6-2 Шлифование внешнего диаметра
6-3 Обработка ориентации — плоская V-образная канавка& Notch Grinding)
6-4 Нарезка
6-5 Скругление кромок
6-6 Притирка
6-7 Двухдисковое шлифование (DDG)
6-8 Травление
6-9 Полировка
6-10 Очистка
6-11 Обработка обратной стороны кремниевой пластины
Технология эпитаксиального выращивания кремния CH7
7-1 Основные принципы сердечно-сосудистых заболеваний
7-2. Выращивание эпитаксиальных кристаллов кремния.
7-3 Свойства эпитаксиальных кристаллов кремния
CH8 Проверка свойств кремниевых пластин
Решение 8-1 ПН
8-2 Измерение сопротивления
8-3 Проверка направления кристаллографической оси
8-4 Определение концентрации кислорода
8-5 Технология измерения срока службы
8-6 Технология контроля дефектов пластин и ультраследового анализа
8-7 Измерение частиц на поверхности пластины
8-8 Измерение металлических примесей
8-9 Измерение плоскостности
CH9 Применение кремниевых пластин в полупроводниках
9-1 Память
9-2 Логическая ИС
9-3 Силовые полупроводниковые устройства
Приложение A Геометрия решетки
Приложение Б. Основные константы
Приложение C. Основные свойства кремния.
Приложение D. Объяснение часто используемых терминов в области кремниевых пластин и полупроводниковой промышленности.
Приложение E. Важные характеристики кремниевых пластин.
