ВВЕДЕНИЕ В ОРИГИНАЛЬНОЙ ИМПОРТИРОВАННУЮ КНИГУ СИСТЕМА ПОЛИКАНСКИЙ ПЕРЕДЕЛЕНИЯ ОРИГИНАЛЬНАЯ ВЕРСИЯ СОЗДАНИЯ (ТРЕТИЕ ИЗДАНИЕ) 14 [КОНЕК КУНХУА] [Сяо Хонг] Импортированный оригинал Evergrande
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Полупроводническая обработка технологии, проводящая обсуждение (третье издание)
Подробности
ISBN: 9789572195758
Серия книг: специальная электроника
Технические характеристики: плоская / 672 страницы / 16K / 19 x 26 см / нормальная / одноцветная печать / Трехстраничная
Автор: Зихонг
Издательство: книга Quanhua
Дата публикации: 2014/08/18
Язык: традиционный китайский
краткое введение
Эта книга переводится с Hong Xiao (Xihong). Оригинальная книга «Введение в технологию производства полупроводников» (второе издание), которая обеспечивает последнее введение в технологии обработки, связанные с полупроводникой, и применение различных принципов обработки. Подробная и тщательная практика полупроводникового процесса в реальностиЭта книга подходит для государственного и частного, научного университета и технологий и используется в электронике, электрике, промышленном и механическом отделе «Полупроводниковая инженерия», «Полупроводниковая обработка» и «дискуссия по полупроводниковым руководствам».
Характеристика
1. Эта книга была распространена на предыдущую версию с очень полной структурой главы и обновила различные связанные новые технологии.
2. Содержание этой книги фокусируется на новейших технологии интегрированной обработки цепи, а также рассматривает более старые технологии, чтобы читатели могли иметь более полное понимание исторического развития технологии интегрированной обработки цепи.
3. В этой книге представлено введение в методы обработки, связанные с полупроводниковой обработкой и объяснения и применения различных принципов обработки, чтобы студенты могли ознакомиться с различными принципами обработки и областями применения в качестве основного учебного курса для поступления в электронную промышленность.
Оглавление
Глава 1 Обсуждение 1
1.1 История общей разработки схем 3
1.2 Размышления о разработке интегральных схем 14
1.3 Резюме этой главы 22
Вопрос 22
Ссылка 22
Глава 2 Введение в общий процесс схемы 25
2.1 Введение в общий процесс схемы 26
2.2 Выход общей цепи 26
2.3 Technology Technology 30 30
2.4 Основная структура общей области процесса схемы 38
2.5 Общее тестирование и упаковку цепи 48
2.6 будущие тенденции развития общих схем 55
2.7 Резюме этой главы 56
Вопрос 57
Ссылка 58
Глава 3 полупроводниковой фонд 59
3.1 Основные концепции полупроводников 60
3.2 Основные полупроводниковые компоненты 64
3.3 Интегральная цепь 75
3.4 Базовый общий процесс схемы 79
3.5 Межпенсированная транзистор оксида металла 86
3.6 Тенденции развития второго полупроводникового процесса в 2000 году 90
3.7 Резюме этой главы 92
Вопрос 93
Ссылка 93
Глава хрустального раунда производство 95
4.1 Введение 96
4.2 Зачем использовать кремниевый материал 96
4.3 Кристаллическая структура и дефекты 98
4.4 Crystal Round Production Technology 101
4.5 Эпиктическая технология роста кремния 109
4.6 Substrate Engineering 117
4.7 Резюме этой главы 121
Вопрос 122
Ссылка 122
Глава 5 Процесс нагрева 125
5.1 Введение 126
5.2 Аппаратное обеспечение для процесса нагрева 126
5.3 Процесс окисления 130
5.4 Процесс извлечения 150
5.5 Процесс отжига 155
5.6 Высокая температура химическая газовая фаза осаждение 159
5.7 Система обработки тепла (RTP) 167
5.8 Тенденции развития процесса нагрева 174
5.9 Резюме этой главы 176
Вопрос 177
Ссылка 178
ГЛАВА ПРОЦЕСС 179
6.1 Введение 180
6.2 Фоторезист 181
6.3 Микрофильм процесс 184
6.4 Тенденции разработки технологии микрофильм 210
6.5 Security 228
6.6 Резюме этой главы 229
Вопрос 231
Ссылка 232
Глава 7 Процесс электрического измерения 235
7.1 Введение 236
7.2 Основные концепции электрического гидроксида 236
7.3 Столкновение в Гальванике 238
7.4 Электрические параметры 242
7.5 Ion воздействие 247
7.6 Давление в постоянном месте 249
7.7 ЕДЕЛИКОВЫЕ МОДЕЛИ.
7-8 Электроэлектрическое оцинкование и химическая газовая фаза Осаждение и электрический оцинкованный реактор 255
7.10 Процесс электростатического модуля высокой плотности 260
7.11 Резюме этой главы 262
Вопрос 263
Ссылка 263
Глава 8 Процесс ионной посадки 265
8.1 Введение 266
8.2 Введение в технологию ионной посадки 273
8.3 Технология ионной имплантации. Аппаратное оборудование 281
8.4 Процесс ионной имплантации 290
8.5 Security 304
8.6 Тенденции развития технологии ионной посадки 306
8.7 Резюме этой главы 308
Вопрос 309
Ссылка 310
Глава 9: Процесс гравюры 311
9.1 Введение в процесс травления 312
9.2 Основы процесса травления 314
9.3 Увлажненный процесс травления 320
9.4 Электрический (сухой тип) процесс гравировки 325
9.5 Электрический процесс травления 338
9.6 Тенденции разработки процесса травления 357
9.7 будущие тенденции развития процесса травления 359
9.8 Резюме этой главы 361
Вопрос 362
Ссылка 362
Глава 10 Химические газовые осадки и диэлектрические пленки 365
10.1 Введение 366
10.2 Химическая газовая фаза осаждение 368
10.3 Применение диэлектрических пленок 385
10.4 Характеристики диэлектрической пленки 393
10.5 Диэлектрический процесс сердечно -сосудистых заболеваний 406
10.6 Спиральное силиконовое стекло 420
10.7 Электрический тепловый сердечный показатель высокой плотности (HDP-CVD) 421
10.8 Диэлектрическая реакция CVD Очистка 424
10.9 Тенденции разработки процесса и устранение неполадок 428
10.10 Тенденции развития процесса старения химической газовой фазы 434
10.11 Резюме этой главы 441
Вопрос 443
Ссылка 444
Глава 11 Процесс металлизации 447
11.1 Введение 448
11.2 Дирижер Фильм 450
11.3 Характеристики металлической пленки 464
11.4 Химия металла газовая фаза осаждение 472
11,5 Физическое осаждение ауры 481
11.6 Процесс медной металлизации 493
11.7 Безопасность 499
11.8 Резюме этой главы 499
Вопрос 501
Ссылка 502
Глава 12 Химический механический процесс шлифования 503
12.1 Введение 504
12.2 КМП аппаратное оборудование 514
12.3 CMP шлифование 517
12.4 CMP Базовая теория 523
12,5 процесса процесса CMP 529
12.6 Тенденции разработки процесса CMP 538
12.7 Резюме этой главы 539
Вопрос 540
Ссылка 542
Глава 13 Полупроводниковая интеграция 545
13.1 Введение 546
13.2 Кристаллический круглый подготовка 546
13.3 Технология изоляции 548
13.4 Формирование области скважины 554
13.5 Транзисторское производство 557
13.6 Metal High K Gate MOS 561
13.7 Technology 565 565
13,8 六回 574
13,9 всего 575
Вопрос 575
Ссылка 576
Глава 10 Технология обработки IC 577
14.1 Введение 578
14.2 Процесс процесса CMOS в 1980 -х годах 578
14.3 Процесс процесса CMOS в 1990 -х годах 582
14.4 Процесс процесса CMOS в 2000 -х годах 596
14.5 Процесс процесса CMOS в 2010 -х годах 615
14.6 Процесс производства пластины памяти 627
14.7 Резюме этой главы 644
Вопрос 645
Ссылка 646
Глава 15 Тенденции разработки процесса полупроводникового процесса 649
Ссылка 656
Узнать больше