Pre -Sale [Версия внешней карты] Полупроводниковые устройства: Физика и технология / С. М. Смея (Ши Мин).
Цена: 4 755руб. (¥225)
Артикул: 614640203699
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:外图图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥801 691руб.
¥2114 459руб.
¥48810 278руб.
¥33.3704руб.
Основная информация:
Номер книги: 9781119521907
Название: Полупроводниковые устройства: физика и технология
Автор: с. М. Сзе (Ши Мин)
Издательство издательства: издательство Тайванского университета
Время публикации: 2018/11/11
краткое введение:
Предлагая базовое введение в физические принципы современных полупроводниковых устройств и передовые технологии их изготовления, этот ресурс знакомит студентов с теоретическими и практическими аспектами каждого этапа определения характеристик и изготовления устройств с упором на интегральные схемы. Разделенный на три части текст охватывает основные свойства полупроводниковых материалов, уделяя особое внимание кремнию и арсениду галлия; физика и характеристики полупроводниковых приборов; биполярные и униполярные специальные микроволновые и фотонные устройства; и новейшие технологии обработки: от выращивания кристаллов до переноса литографического рисунка.
Об авторе:
С. М. Сзе-председатель UMC Национального университета Чио Тунг и президент Национальных лабораторий Nano Device, Тайвань, R.O.C. На протяжении многих лет он работал в области технического персонала в Laboratories. Профессор Сзе является соавтором нелетательного полупроводника. У него есть деньги многочисленные тексты по физике устройств, в том числе физика полупроводниковых устройств, которые считаются справочной классикой. В 1991 году он воспринимает IEEE J. J. Ebest за его «фундаментальный и новаторский вклад в полупроводниковые устройства». 1963.
Оглавление:
Номер книги: 9781119521907
Название: Полупроводниковые устройства: физика и технология
Автор: с. М. Сзе (Ши Мин)
Издательство издательства: издательство Тайванского университета
Время публикации: 2018/11/11
краткое введение:
Предлагая базовое введение в физические принципы современных полупроводниковых устройств и передовые технологии их изготовления, этот ресурс знакомит студентов с теоретическими и практическими аспектами каждого этапа определения характеристик и изготовления устройств с упором на интегральные схемы. Разделенный на три части текст охватывает основные свойства полупроводниковых материалов, уделяя особое внимание кремнию и арсениду галлия; физика и характеристики полупроводниковых приборов; биполярные и униполярные специальные микроволновые и фотонные устройства; и новейшие технологии обработки: от выращивания кристаллов до переноса литографического рисунка.
Об авторе:
С. М. Сзе-председатель UMC Национального университета Чио Тунг и президент Национальных лабораторий Nano Device, Тайвань, R.O.C. На протяжении многих лет он работал в области технического персонала в Laboratories. Профессор Сзе является соавтором нелетательного полупроводника. У него есть деньги многочисленные тексты по физике устройств, в том числе физика полупроводниковых устройств, которые считаются справочной классикой. В 1991 году он воспринимает IEEE J. J. Ebest за его «фундаментальный и новаторский вклад в полупроводниковые устройства». 1963.
Оглавление:
