Подлинная книга Физика батареи и устройства Shen Wenzhong на основе кремния.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация
Название книги: Физика и устройство солнечных элементов на основе кремния с гетеропереходом
Цена: 118 юаней
Автор: Шэнь Вэньчжун, редактор Ли Чжэнпин
Пресса: Science Press
Дата публикации: 2015-12-02
ISBN: 9787030415141
Слова: 396000
Номер страницы: 314
Переплет: Твердый переплет.
Формат: 32 страницы.
Оглавление
последовательность
Предисловие
Главы——Высокоэффективные солнечные элементы из кристаллического кремния и гетероперехода
1.1 Солнце и солнечная энергия
1.2 Солнечные батареи
1.3. Структура солнечных элементов из кристаллического кремния.
1.4 Анализ эффективности солнечных элементов из кристаллического кремния
1.5 Знакомство с высокоэффективными солнечными элементами на основе кристаллического кремния
1.5.1 Солнечные элементы с пассивированным эмиттером
1.5.2 Солнечные элементы, пассивированные оксидом алюминия
1.5.3 Солнечные элементы с селективным излучателем
Солнечные элементы мощностью 1.5.4 МВт
1.5.5 Солнечные элементы из кристаллического кремния n-типа
1.5.6 Солнечные элементы IBC
1.6 Солнечные элементы из кристаллического кремния/кристаллического кремния с гетеропереходом
1.6.1 Структура и характеристики солнечных элементов HIT
1.6.2 Методы получения высокоэффективных солнечных элементов HIT
1.6.3 Повышение эффективности солнечных элементов HIT
1.6.4 Статус НИОКР других блоков солнечных элементов кристаллического кремния/кристаллического кремния с гетеропереходом
1.7 Структура этой книги
Рекомендации
Глава 2. Базовые знания о полупроводниковых гетеропереходах.
2.1. Основные понятия о гетеропереходе.
2.1.1. Зонная диаграмма идеального гетероперехода.
2.1.2. Основные формулы инверсионного гетероперехода.
2.1.3 Интерфейсные состояния в гетеропереходах
2.1.4 Зонная диаграмма гетероперехода с интерфейсными состояниями
2.2. Вольтамперные характеристики гетероперехода
2.2.1 Факторы, влияющие на пиковую высоту барьера
2.2.2. Вольтамперные характеристики идеального мутационного гетероперехода.
2.2.3. Вольтметрические характеристики гетеропереходов с интерфейсными состояниями
2.3. Инжекционные характеристики гетероперехода
2.3.1 Высокие характеристики впрыска
2.3.2 Характеристики супервпрыска
2.4. Оптоэлектронные свойства гетероперехода.
2.4.1. Фотовольтаические характеристики инверсионного гетероперехода
2.4.2. Фототок и спектральный отклик инверсионного гетероперехода
2.5. Основные физические параметры кристаллического кремния и тонких пленок кристаллического кремния.
Рекомендации
Глава 3. Характеристики и испытания солнечных элементов с гетеропереходом.
3.1 Основные характеристики солнечных элементов
3.1.1 Эквивалентная схема солнечного элемента
3.1.2 Основные параметры солнечных элементов
3.1.3 ВАХ солнечных элементов кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
3.1.4 Температурный коэффициент солнечных элементов
3.1.5 Стандартные условия испытаний солнечных элементов
3.2. Спектральный отклик и квантовая эффективность солнечных элементов
3.2.1 Спектральный отклик
3.2.2 Квантовая эффективность
3.3 Время жизни миноритарных носителей и его измерение
3.3.1 Балансирование миноритарных перевозчиков
3.3.2 Срок службы второстепенных операторов связи
3.3.3 Влияние срока службы неосновных носителей на характеристики солнечных элементов
3.3.4 Измерение продолжительности жизни несовершеннолетних носителей
3.4 Введение в технологию определения характеристик и тестирования пленки
3.4.1 Рамановская спектроскопия
3.4.2 Фурье-преобразование инфракрасного спектра поглощения
3.5 Емкостный эффект солнечных элементов с гетеропереходом и стратегии их обнаружения ВАХ
3.5.1 Емкость p-n перехода
3.5.2 Влияние эффекта емкости на ВАХ-тестирование солнечных элементов
3.5.3 Стратегии обнаружения ВАХ для солнечных элементов с гетеропереходом
Рекомендации
Глава 4. Получение солнечных элементов из кристаллического кремния/кристаллического кремния с гетеропереходом
4.1 Структура солнечного элемента кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
4.2 Процесс производства солнечных элементов из кристаллического кремния/кристаллического кремния с гетеропереходом
4.3. Мокрая химическая обработка кремниевых пластин.
4.3.1 Удалить поврежденный слой
4.3.2 Текстурирование
4.3.3 Удаление поверхностного оксидного слоя и контроль поверхности
4.4. Нанесение тонких пленок кристаллического кремния.
4.4.1 Оборудование для нанесения тонких пленок кремния
4.4.2 Тонкая пленка собственного кристаллического кремния
4.4.3. Тонкая пленка легированного кристаллического кремния.
4.4.4. Светопоглощение тонких пленок кристаллического кремния
4.5 Нанесение тонкой пленки TCO
4.5.1 Методы и оборудование для изготовления пленок ТШО
4.5.2 Требования к пленкам ТСО в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах
4.5.3 Применение тонких пленок TCO в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах
4.6 Производство электродов
4.6.1 Способ подготовки электродов
4.6.2 Применение трафаретной печати в кремниевых гетеропереходных солнечных элементах
4.7. Утончение солнечных элементов кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
4.7.1 Влияние тонких кремниевых пластин на солнечные элементы
4.7.2 Тонкие солнечные элементы HIT
4.8 Кремниевый гетеропереходный солнечный элемент с эмиттером на обратной стороне
4.8.1 Кремниевые гетеропереходные солнечные элементы с обратным эмиттером
4.8.2 Кремниевые гетеропереходные солнечные элементы с задним контактом
4.9 Применение солнечных модулей кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
4.9.1 Компоненты аккумулятора HIT
4.9.2 Двусторонний модуль HIT
4.9.3 О PID компонента HIT
Рекомендации
Глава 5. Физические проблемы в солнечных элементах из кристаллического кремния/кристаллического кремния с гетеропереходом
5.1. Энергетические зоны солнечных элементов кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
5.1.1 Энергетическая диаграмма солнечных элементов кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
5.1.2. Порядок зон гетероперехода кристаллический кремний/кристаллический кремний
5.1.3 Влияние тонкой пленки TCO на энергетическую зону гетероперехода кристаллический кремний/кристаллический кремний
5.2. Механизм пассивации в солнечных элементах кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
5.2.1 Напряжение холостого хода и пассивация кремниевых гетеропереходных солнечных элементов
5.2.2 Пассивация собственного кристаллического кремния
5.2.3. Пассивация легированного кристаллического кремния.
5.2.4 Другие решения по пассивации
5.3 Интерфейс солнечных элементов кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
5.3.1 Интерфейс «собственный кристаллический кремний/легированный кристаллический кремний»
5.3.2 Интерфейс легированный кристаллический кремний/пленка TCO
5.4. Характеристики электропереноса в солнечных элементах кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
5.4.1. Основной процесс переноса заряда в ячейках с гетеропереходом кристаллический кремний/кристаллический кремний
5.4.2 Вольт-амперные характеристики
5.5 Заключение
Рекомендации
Глава 6. Моделирование солнечных элементов на основе кремния с гетеропереходом
6.1 Основные принципы моделирования солнечных батарей
6.1.1 Оптическое моделирование
6.1.2 Электрическое моделирование
6.2 Введение в программное обеспечение для моделирования гетеропереходных солнечных элементов
6.2.1 Знакомство с программным обеспечением АФОРС-HET
6.2.2 Знакомство с программным обеспечением AMPS
6.3 Моделирование солнечных элементов кристаллический кремний/кристаллический кремний с гетеропереходом
6.3.1 Моделирование кремниевых солнечных элементов с гетеропереходом с использованием монокристаллического кремния n-типа в качестве подложки
6.3.2 Моделирование кремниевых солнечных элементов с гетеропереходом с использованием монокристаллического кремния p-типа в качестве подложки
6.4 Двумерное моделирование солнечных элементов IBC-SHJ
6.4.1 Базовая структура солнечного элемента IBC-SHJ для моделирования
6.4.2 Оптимизация моделирования задней геометрии солнечных элементов IBC-SHJ
6.4.3 Моделирование воздействия пассивации передней поверхности солнечных элементов IBC-SHJ
6.4.4 Влияние пассивации задней поверхности и дефектов интерфейса на IBC—Моделирование воздействия солнечных батарей SHJ
6.5. Моделирование новой структуры солнечных элементов с гетеропереходом на основе кремния.
6.5.1 Моделирование солнечных элементов гомопереход-гетеропереход на основе кремния
6.5.2. Моделирование кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с массивом наностолбов
6.5.3 Моделирование солнечных элементов с металлическим полупроводниковым гетеропереходом на основе кремния
Рекомендации
Глава 7. Новые солнечные элементы на основе кремния с гетеропереходом
7.1. Солнечные элементы на основе кремниевых квантовых точек/кристаллического кремния с гетеропереходом
7.1.1 Кремниевые квантовые точки/гетеропереходные ячейки кристаллического кремния в матрице оксида кремния
7.1.2 Кремниевые квантовые точки/гетеропереходные ячейки кристаллического кремния в матрице карбида кремния
7.1.3. Кремниевые квантовые точки и солнечные элементы с гетеропереходом в матрице нитрида кремния.
7.2 Солнечные элементы с полупроводниковыми/кристаллическими кремниевыми гетеропереходами II-VI
7.2.1 Солнечные элементы с гетеропереходом CdSe/Si
7.2.2 Солнечные элементы с гетеропереходом ZnO/Si
7.3 Солнечные элементы с полупроводниковыми/кристаллическими кремниевыми гетеропереходами III-V
7.3.1 Солнечные элементы с гетеропереходом GaN/Si
7.3.2 Солнечные элементы с гетеропереходом InAs/Si
7.4 Солнечные элементы с гетеропереходом углерод/кристаллический кремний
7.4.1 Солнечные элементы с кристаллическим гетеропереходом углерода/кремния
7.4.2 Солнечные элементы с гетеропереходом CNT/Si
7.4.3 Графен/кремниевые солнечные элементы
7.5. Перспективы новых солнечных элементов с гетеропереходом на основе кремния.
Рекомендации
индекс
Краткое содержание
В разделе «Физика и устройства гетеропереходных солнечных элементов на основе кремния» представлены солнечные элементы с гетеропереходом на основе кремния, основанные на обзоре технологии высокоэффективных солнечных элементов на основе кристаллического кремния. Сначала в нем кратко суммируются базовые знания о полупроводниковых гетеропереходах, а также о методах определения характеристик и испытаний, связанных с солнечными элементами с гетеропереходами. Затем в нем систематически объясняется подготовка солнечных элементов с гетеропереходом из кристаллического кремния / кристаллического кремния, основные физические проблемы и исследования моделирования, а затем знакомится с прогрессом исследований солнечных элементов с гетеропереходом на основе кремния новой структуры. Это научная работа, всесторонне отражающая исследования и технологический прогресс солнечных элементов с гетеропереходом на основе кремния.
об авторе
Похожего контента пока нет
Выбор редактора
«Физика и устройства кремниевых гетеропереходных солнечных элементов» может быть использована в качестве справочника для преподавателей и студентов, изучающих полупроводниковые материалы и устройства, оптоэлектронику, оптотехнику и другие смежные специальности в колледжах и университетах, а также для научно-исследовательских и инженерно-технических специалистов, занимающихся солнечной фотоэлектрической энергетикой и смежными техническими областями.
