8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Введение в рост и образование дефектов подлинного кристалла

Цена: 822руб.    (¥38.9)
Артикул: 611132659376

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:读买天下图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥1362 874руб.
¥11520239 962руб.
¥28592руб.
¥1613 402руб.

  Основная информация

Заголовок: Введение в рост кристаллов и образование дефектов - Справочник по выращиванию кристаллов - Том 1 - (фотокопия)
Автор:&Nbsp; (США) Говиндхан Дханрадж и другие
Издательство:  Harbin University of Technolage Press
Дата публикации: 2013-01-01
Издание: 1
ISBN: 9787560333861
Рыночная цена: 48.0
Оглавление
Знание о мечтах, мы продаем только книги с качеством и питательными!
аббревиатура
Фонд роста кристаллов Парты и образование дефектов
1. Технология и представление роста кристаллов: обзор
1.1 История развития
1.2 Теория роста кристаллов
1.3 Технология роста кристаллов
1.4 Кристаллические дефекты и представления
Рекомендации
2. Поверхностное зародышеобразование
2.1 Баланс кристаллической среды
2.2 Образование кристаллов и рабочий механизм
2.3 Скорость нуклеации
2.4 Плотность насыщенной нуклеации
2.5. Зарождение второго слоя при гомоэпитаксии.
2.6 Механизм сбора гетерогенного расширения
2.7 Влияние ПАВ на нуклеацию
2.8 Заключение и перспективы
Рекомендации
3. Рост кристалла в растворе
3.1 Фазовый баланс
3.2 Теория роста кристаллов
3.3 Факторы, влияющие на характеристики кристаллов
3.4 Структура поверхности
3.5 Кристаллические дефекты
3.6 Кинетика нуклеации – пересыщение
3.7 Растворитель
3.8 Примеси
3.9 Другие факторы
3.10 Процесс изменения кристаллических характеристик
3.11 Резюме
3. Приложение
Рекомендации
4. Рост и эволюция дефектов во время роста кристаллов
4.1 Ссылка
4.2 перитектика
4.3 Полосы и зоны роста
4.4
4,5 близнеца
4.6 быстро выращивать полные кристаллы в растворе
Рекомендации
5. Рост монокристаллов без ограничений
5.1 Фон
5.2 Гладкий и грубый контакт: механизм роста и морфология
5.3
5.4 Рост кристаллов материала из полифронта
5.5 Внутренняя форма
5.6 Полный монокристалл
Рекомендации
6. Образование дефицита во время MEL - это образование недостатков во время кристалла
6.1 Обзор
6,2 балла дефектов
6.3 неправильно
6,4 частицы второй фазы
6.5 дефект лапши
6,6 Кристаллы -близнецы
6.7 Резюме
Рекомендации
Введение
Знание о мечтах, мы продаем только книги с качеством и питательными!
  
За прошедшие годы во многих поисковых исследованиях были успешно описаны процесс роста и наука о выращивании кристаллов, а во многих статьях, монографиях, материалах конференций и справочниках были представлены всесторонние обзоры передовых результатов в этой области.Эти публикации отражают растущий интерес к объемным и тонкопленочным кристаллам в связи с их электронными, оптическими, механическими, микроструктурными и различными научными и технологическими применениями.Фактически, большинство современных достижений в области полупроводников и оптических приборов были бы невозможны без разработки основных, бинарных, тройных и других сложных кристаллов с различными свойствами и большими размерами.Эти статьи посвящены базовому пониманию механизмов роста, образования дефектов, процессов роста и проектирования систем роста, и поэтому их много.
  
В этом руководстве объясняется уровень технологии выращивания кристаллов объемного материала и тонкопленочных кристаллов, которые в настоящее время привлекают большое внимание. Наша цель — предоставить читателю базовое понимание часто используемых процессов роста, производства материалов и образования дефектов.Для выполнения этой задачи мы наняли более 50 ученых, академиков и инженеров, а их сотрудники приехали из 22 разных стран. Основываясь на своем профессиональном опыте, эти авторы написали в общей сложности 52 главы, посвященные росту кристаллов и образованию дефектов: рост материала из расплава, раствора в газовую фазу; эпитаксиальный рост; модели ростовых процессов и дефектов; методы характеристики дефектов и некоторые современные темы.
Пробное онлайн-чтение
Знание о мечтах, мы продаем только книги с качеством и питательными!
Страница авторских прав:

Иллюстрация:

4.4.2SourcesofGrowthDislocations
По топологическим причинам линии дислокации не могут начинаться или заканчиваться внутри идеального кристалла. Они либо образуют замкнутые петли, либо начинаются с внешних и внутренних поверхностей (например, границ зерен), либо от других дефектов с разрывом кристаллической решетки. В процессе роста кристалла такие дефекты могут возникать из всех видов включений (например, посторонние частицы, жидкие включения, пузыри, осадки).
Очень распространено наблюдение, что включения являются источником роста дислокаций. Примеры показаны на рис. 4.3, 4.5, 4.10 и т.д.>50&мю;м) обычно выделяют пучки дислокаций. Однако в некоторых случаях наблюдались крупные включения (несколько миллиметров в диаметре) материнских растворов без образования дислокаций (например, в покрышке зоны ДПК [4.84,85]).
TheGentenOfGrocationParticLusionExpenexperiedByneurotot IS [4.86] IncrystalsGroingIneakous, ssiumalum) andInsuperCooledMelt (бензофенон (C6H5) 2CO, TM = 48 ~ C; Salolc13H1003, TM = 42 ℃).
СМИ обзор
Знание о мечтах, мы продаем только книги с качеством и питательными!