Компьютерное моделирование процесса Multi -ARC Ion Process \ Zhao Shilu
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация
Название книги: Компьютерное моделирование процесса осаждения с несколькими имингами Zhao Shilu
Оригинальная цена: 26,00 Юань
Автор: Чжао Шилу
Издательство: издательство металлургической промышленности
Дата публикации: 2013-4-1
ISBN: 9787502462277
Слова: 203000
Номер страницы: 232
Издание: 1
Переплет: мягкая обложка
Книга: DA 32 KAI
Вес товара: 0,3 кг
Выбор редактора
Эта книга «Компьютерное моделирование процесса ионов и ионов множества ARC», написанная Чжао Шилу, основана на приблизительных расчетах, а камера цилиндрического вакуумного покрытия-—— Моделирование смещенного электрического поля используется, чтобы показать взаимосвязь между прочткой электрического поля E и двумя координатными осями P и z. Симметричный экран, получающий частицы, разработан (по сравнению с субстратом в фактическом эксперименте по покрытию), и обсуждаются характеристики движения частиц в различных смещенных электрических полках, а также получены состав покрытия и однородность многозонного ионного покрытия. Относительное соотношение приема различных заряженных частиц в сплавном мишени изучается, что выявляет влиятельные коэффициенты эффекта разделения компонентов, чтобы можно было выполнить конструкцию состава сплава катодной цели и контроль состава сплава на покрытии.Результаты моделирования согласуются с фактическим экспериментом по покрытию.
Оглавление
1. Введение
1.1 Введение
1.2 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧЕНИЯ
1.3. Содержание и методы исследования
1.3.1 Создание физических и математических моделей
1.3.2 Реализация моделирования
1.3.3 Результаты и анализ моделирования
1.4 Исследовательский технический маршрут
2 технология вакуумного покрытия
2.1 Обзор технологии вакуумного покрытия
2.2 Классификация технологии вакуумного покрытия
2.2.1 Технология выпадения вакуума.
2.2.2 Технология вакуумного распыления
2.2.3 Технология вакуумного ионного покрытия
2.2.4 Технология осаждения луча
2.2.5 Технология химического отложения паров
2.3 Обзор технологии ионов многоаккартов
2.3.1 Разработка технологии ионного покрытия
2.3.2 Технологические характеристики многоаккового ионного покрытия
2.3.3
3 Теоретические основы процесса осаждения многоаккартного ионного покрытия
3.1 Основы физики вакуума
3.1.1 Вакуумная степень и подразделение вакуумной зоны
3.1.2 Теория молекулярного движения газа
3.2 Физические основы плазмы
3.2.1 Обзор физики низкой температуры плазмы
3.2.2 Характеристики разгрузки дуги
3.2.3 Роль заряженных частиц и поверхностей
3.3 Рост фильма
3.3.1 Обзор процесса роста фильма
3.3.2 Процесс адсорбции и коагуляции
4. Физический процесс и композиционное разделение и анализ эффект многоаккового ионного покрытия
4.1 Физический процесс многоаккового ионного покрытия
4.1.1 Процесс испарения частиц
4.1.2 Процесс движения частиц
4.1.3 Процесс адсорбции частиц
4.2 Основные параметры процесса
4.2.1 Отрицательное давление смещения матрицы
4.2.2 Парциальное давление газа
4.2.3 Интенсивность тока дуги
4.2.4 Степень фоновой вакуума
4.2.5 Температура выборки
4.2.6 Скорость вращения выборки
4.2.7 Время осаждения
4.2.8 Магнитное поле
4.3 Скорость нерегулирования и эффекты композиционной изоляции
4.3.1 Продукты катодной дуги и явление ионизации
4.3.2 Скорость йодизации
4.3.3 Эффект изоляции ингредиентов
5 Технология компьютерного моделирования
5.1 Обзор технологии компьютерного моделирования
5.1.1 Особенности технологии компьютерного моделирования
5.1.2 Технология компьютерного моделирования технологии обработки материалов
5.2 Тенденции статуса исследования и разработки технологии компьютерного моделирования многоаккартов.
5.2.1.
5.2.2 История исследований и тенденции развития технологии моделирования
6. Создание математических моделей
6.1 Расчет интенсивности электрического поля
6.1.1 Вклад полюсов
6.1.2 Вклад сверху и снизу
6.1.3 Вклад стены трубки
6.2 Преобразование формулы поля электрического поля
6.3 Анализ силы заряженных частиц и их расчеты скорости и смещения
6.4 Моделируйте траекторию движения заряженных частиц
7 Подготовка программы
7.1 Содержимое моделирования
7.2 Введение программного обеспечения
7.3 Введение языка программирования
7.3.1 Объектно-ориентированное программирование
7.3.2 Введение в язык C Visual C
7.3.3 Основные этапы программирования
7.4 Системная каркасная схема
7.5 Системная схема потока
7.6 Блок -схема алгоритма
8 Моделирование процесса испарения частиц
8.1 Макроскопический процесс испарения частиц
8.1.1.
8.1.2 МАТЕРИАЛА Двоичного сплава целевого сплава
8.1.3 Многоплановый целевой материал
8.2 Микроскопический процесс испарения частиц
8.2.1 Материал целевого элемента.
8.2.2 МАТЕРИАЛА МАТЕРИАЛА Двоичного сплава
8.2.3 Многоплановый целевой материал
9 Моделирование распределения электрического поля напряжения смещения
9.1 Кривая распределения распределения электрического поля
9.2 Движение частицы в смещенном электрическом поле
10 Моделирование процесса движения частиц
10.1 МАТЕРИАЛ ЦЕЛЕЙ ЕДИНЦИОННЫЙ Элемент
10.2 МАТЕРИАЛА Двоичного сплава целевого сплава
10.3 Многоплановый целевой материал
11 Моделирование процесса адсорбции частиц
11.1 Материал целевого элемента единого элемента
11.2 МАТЕРИАЛА Двоичного сплава целевого сплава
11.3 Многоплановый целевой материал
12 Обсуждение и проверка результатов моделирования
12.1 Предвзятое электрическое поле и его распределение
12.2 Влияние смещения на однородность покрытия
12.3 Анализ эффекта композиционной изоляции
12.3.1 Факторы, влияющие на влияние компонентов
12.3.2 Влияние эффекта композиционной изоляции
12.3.3 Краткое описание эффектов изоляции компонентов
12.3.4 Результаты моделирования и экспериментальная проверка эффекта изоляции компонентов
13 основной код программы
13.1 модуль макропроцесса испарения
13.2 Модуль микропроцессы испарения
13.3 Модуль смещенного модуля распределения электрического поля
13.4 Модуль движения в электрическом поле BIAS
13.5 Модуль движения частиц
13.6 Модуль прикрепления частиц
Приложение
Приложение 1 Общие технические условия для оборудования для вакуумного покрытия
Приложение 2 Термины вакуумных технологий
Рекомендации
Краткое содержание
«Компьютерное моделирование мультикартного ионного процесса и процесса осаждения» может быть прочитано научными и технологическими работниками, занимающимися модификацией поверхности материала, особенно в области исследования и разработки технологии вакуумного покрытия и фактических применений производства, а также может использоваться в качестве справочника студентами и аспирантами в области инженерии материалов.
Абстрактный
Похожего контента пока нет
Похожего контента пока нет
об авторе
Похожего контента пока нет