Процесс и оборудование для резьбы плазмы Zhao Jinrong Основные знания.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| Основная информация, обратитесь к следующему введению | |
| Название книги: | Процесс и оборудование плазменного травления и оборудование |
| Автор: | Чжао Цзиньжун |
| Цены: | 98.00 |
| Номер ISBN: | 9787121450181 |
| Издательство: | Электронная промышленная пресса |
| краткое введение |
Эта книга принимает плазменное травление в области интегрированных цепей в качестве точки входа, представляет базовые знания плазмы и основано на плазме
Технология травления тела, оборудование для травления плазмы и его применение в интегрированных цепях.Книга имеет 8 глав, включая интеграцию
Введение схемы, основные принципы плазмы, процесса травления в плазме в интегрированном производстве цепи и интегрированной упаковке цепи
Процесс травления в плазме, машина по травлению в плазме, тестирование и характеристика плазмы, моделирование плазмы, контроль частиц и
Массовое производство.В этой книге есть один человек, занимающийся фундаментальными исследованиями по травлению в плазме и отладке процессов травления для интегрированных схемы.
Определенное справочное значение.
| Оглавление |
Глава 1 Введение в интегрированную схему 1
1.1 Короткая история интегрированной схемы 1
1.1.1 Что такое интегрированная схема 1
1.1.2 Краткая история разработки интегрированной цепи 1
1.1.3 Отделение труда и развития интегрированной индустрии округа 5
1.1.4 Вертикальное подразделение труда интегрированная отрасль.
1.2 Классификация интегрированной схемы 6
1.2.1 IC 7 памяти 7
1.2.2 Микро компонент IC 8
1.2.3 Моделирование IC 8
1.2.4 Логика IC 9
1.3 Будущая проблема интегрированной схемы 9
Ссылки 10
Глава 2 Основные принципы плазмы 11
2.1 Основная концепция плазмы 11
2.1.1 Определение плазмы 11
2.1.2 Параметр Пространство плазмы 12
2.1.3 Метод описания плазмы 13
2.1.4 Ключевые функции и параметры плазмы 14
2.1.5 Плазматическое суждение на основе 17
2.1.6 Плазменная оболочка.
2.2 Производство плазмы обычно используется в интегрированных цепях 20
2.2.1 Связанная плазма 20
2.2.2 Плазма сенсорной связи 24
2.2.3 Электронная резонансная плазма.
Список литературы 31
Глава 3 Плазма Etquet Contract Craft в интегрированной цепи, сделанной в 33
3.1 Развитие плазменного травления 33
3.1.1 Традиционное плазменное травление 35
3.1.2 Импульсная плазма захват 36
3.1.3 Атомный слой трат 37
3.2 Бывшее ремесло 38
3.2.1 Изоляция световой канавки (ИППП) ETCH 39
3.2.2 Поликристаллическая кремниевая сетка (ворота) травление 42
3.2.3 SPACER (SPACER) ETCH 44
3.3 Среднее ремесло и заднее судно 45
3.3.1 Контактные отверстия, поры и средние канавки травления 46
3.3.2 Вольфрамовая эмболия и травление полюса вольфрамового полюса 53 53
3.3.3 Алюминиевая линия травления и травления алюминиевой прокладки 55
3.3.4 Цвета нитрида титана 60
3.3.5 Метод сушки для удаления клея и пассивации 62
Ссылки 63
Глава 4 Плазменное ремесленное судно в интегрированной схеме пакета 65
4.1 Обработка поверхности плазмы в продвинутой упаковке 65
4.1.1 Снимите остаточный клей 66
4.1.2 Снимите остаточный металл 66
4.1.3 Улучшение смачивания 67
4.1.4 Улучшение силы связывания поверхности 67
4.2 Плазменное кремниевое травление в продвинутых пакетах 68
4.2.1 Весь тонкий процесс прореживания кремния 68
4.2.2 Силиконовый полюс etquets 69
4.2.3 Процесс резки плазмы 72
4.2.4 Процесс травления кремния в выходе 73
4.3 Полимерное травление в продвинутой упаковке 74
4.4 Метод лечения плазмы для искаженных листов в продвинутой упаковке 75
Ссылки 76
Глава 5 Plasma Etanculus 78
5.1 Plasma Poptor Emerorizer Soft Addware Structure 78
5.1.1 Система передачи 78
5.1.2 Система управления вакуумом 81
5.1.3 РЧ -система 83
5.1.4 Система контроля температуры 84
5.1.5 Аффилированное оборудование 85
5.1.6 Вся система управления машиной 85
5.2 Дизайн ключевой структуры 86
5.2.1 Реагируя полость 86
5.2.2 Электрическая карта 88
5.2.3 Lifa Board 90
5.3 Параметры процесса процесса в плазме 90 Параметры процесса 90
5.4 Индикаторы оценки результатов процесса в плазме.
5.4.1 Появление в неволе 91
5.4.2.
5.4.3 Пленная однородность 96
5.4.4 Коэффициент отбора 99
5.4.5 Другие показатели оценки результатов процесса 99
Ссылки 100
Глава 6 Плазменное тестирование и дисциплина 102
6.1 Технология плотности плазмы и диагностики энергии 102
6.1.1 Статический зонд диагноз плазмы 102
6.1.2 Анализатор ионной энергии. Диагностика плазмы 108
6.2 Технология обнаружения конечной точки оптического запуска 112
6.2.1 Принцип обнаружения термина 112
6.2.2 Введение в систему обнаружения конечной точки 112
6.2.
6.3 Технология обнаружения конечной точки лазерного интерференции 117
6.3.1 Принципы лазерного вмешательства 117
6.3.2 IEEP Algorithm Введение 119
Ссылки 121
Глава 7 Симуляция плазмы 123
7.1 Физическое поле 123, вовлеченное в машину травления 123
7.1.1 Поле плазменного тела 123
7.1.2 Электромагнитное поле 131
7.1.3 Поле потока 132
7.1.4 Поле температуры 133
7.1.5 Химическая реакция 136
7.1.6 Связь между каждым физическим полем 137
7.2 Multiphysical Field Mimulation Technology 139
7.2.1 Введение в технологию многофизического моделирования поля 139
7.2.2. Анализ моделирования Базовый процесс 141
7.2.3 Связанный случай моделирования 146
Ссылка 154
Глава 8 Контроль гранул и массовое производство 155
8.1 Дефектное и гранулированное введение 155
8.2 Влияние дефектов и гранул 156
8.3 Контроль дефектов и гранулированного загрязнения 157
8.3.1 Гранулистые дефекты и контроль частиц модуля передачи травления машины 157
8.3.2 Гранулистые дефекты и гранулированное управление модулем процесса травления машины 161
8.4 Метод улучшения стабильности массового производства травления 162
Ссылка 164
| об авторе |
Zhao Jinrong, председатель Пекинского северного Huachuang Microelectronics Equipment Co., Ltd., старший инженер на уровне профессора и ученый из Пекина.Товарищ Чжао Джинронг
В течение 37 лет мы участвовали в индустрии интегрированного схемы оборудования и руководили реализацией ряда ** научных и технологических исследовательских проектов, и результаты проекта заполнили многие страны.
Пустой внутри. Я выиграл вторую премию за ** награду «Наука и технологический прогресс», «Выдающийся взнос» ** Специальный проект по науке и технике, а также «Пекинский труд
Модель »и другие награды были отобраны для многих талантливых планов, таких как ** 100 миллионов талантов и 100 ведущих талантов в Пекине.
