Возврат магазина, чтобы пройти официальный сайт официального веб -сайта Old Shop старого дизайна CMOS Design CMOS.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| |
наименование товара: | Дизайн чипа -CMOS Моделирование Интегрированной конструкции цепи и моделирования: на основе Cadence IC 617 |
делать К: | Ли Сяоран Ван Синхуа Чен Жиминг Чжан Лей |
город Полевая цена: | 109.00 |
ISBN Число: | 9787111723066 |
Дата публикации: |
|
Страница число: | 250 |
открыть Книга: | |
вне Версия: | Machinery Industry Press |
Предисловие Глава CMOS моделирование интегрированной конструкции схемы 1 Процесс 1 1.1 Требования к проектированию и выбор схемы 2 1.2 Интерактивная конструкция и симуляция 2 1.3 Дизайн и проверка макета 3 1.4 потоковая передача и тест 5 чипа 5 1.5 Сводка этой главы 7 Глава ADE Обзор симуляции 8 2.1 Основной интерфейс и операция 8 2.1.1 Software Start 8 2.1.2 Менеджер библиотеки 11 2.1.3 Схема 15 2.1.4ADE Настройки моделирования 19 2.1.5 Выходная форма сигнала дисплей и расчет 22 2.2 Пример анализа: усилитель общего источника 31 2.3 Резюме этой главы 37 Глава ADE FUNCTION FUNCTION 38 3.1 DC Simulation 38 3.1.1 Моделирование постоянного тока в основном настройки 38 3.1.2 Пример анализа 39 3.2 Exchange Simulation 46 3.2.1 Основные настройки моделирования переменного тока 46 3.2.2 Пример анализа 47 3.3 Мгновенное моделирование 50 3.3.1 Мгновенное моделирование в основном настройки 50 3.3.2 Пример анализа 51 3.4 Моделирование шума 53 3.4.1 В основном настройки шумового моделирования 53 3.4.2 Пример анализа 54 3,5S Моделирование параметров 56 3.5.1S Моделирование параметров в основном установлено 56 3.5.2 Пример анализа 57 3.6 Сканирование параметров 62 3.6.1 Сканирование параметров базовые настройки 62 3.6.2 Пример анализа 63 3.7 Monte Carlo Simulation 65 3.8 Резюме этой главы 73 ГЛАВА ГЛАВА ИНГФАНА 74 4.1 Введение в усилитель операции 74 4.1.1 Обзор усилителя операции 74 4.1.2 Обычная структура операционного усилителя 75 4.2 ОДИН -LEVEL Полный дифференциальный склад 4.2.1 Схематическая схема и параметры 77 4.2.2 Схема схема 81 4.2.3 Проверка моделирования 85 4.3 Закрытый усилитель операции 98 4.3.1 Переключение конденсатор Eliers 98 4.3.2 Упрощение переходных характеристик и моделирования функций частоты 98 4.4 Резюме этой главы 103 Глава низкий уровень шума 104 5.1 Обзор усилителя низкого уровня шума 104 5.1.1 Параметры производительности с низким шумом усилителя 104 5.1.2 Классификация структуры с низким уровнем шума 111 5.2 Пример анализа: Sylonia Low Noise Amplifier 114 5.2.1 Circuit Construction 114 5.2.2 Сопоставление изображений и моделирование коэффициента шума 117 5.2.3 Моделирование шума большого сигнала 122 5.2.4 Моделирование стабильности 124 5.2.5 Моделирование линии 125 5.3 Сводка этой главы 134 Глава 1 Радиочастотный усилитель мощности 135 6.1 Обзор усилителя мощности 135 6.1.1 Параметры производительности усилителя мощности 135 6.1.2 Тип усилителя мощности 136 6.1.3 Загрузочная линия соответствует 137 6.2 Пример анализа: S -Band Power усилитель 138 6.2.1 Circuit 138 6.2.2 Моделирование параметров схемы 143 6.2.3 Сопоставление эффектов тяги нагрузки и лучшего импеданса нагрузки 152 6.2.4 Оптимизация тестирования и схемы индекса 157 6.3 Эта глава является резюме 159 Глава Глава 160 7.1 Обзор дизайна микшера 160 7.1.1 Основные принципы смешанного Floper 160 7.1.2 Параметры производительности миклера 161 7.1.3 смешанная классификация и общая структура 162 7.2 Пример анализа: S -Gilbert Dual -балбалентный нисходящий частотный микшер 164 7.2.1. 7.2.2 Гармоничное моделирование 170 7.2.3 Моделирование коэффициента шума 174 7.2.4 Моделирование усиления конверсии 179 7.2.5. 7.3 Резюме этой главы 193 Глава Глава Фонда Бэнда 194 8.1 Обзор стандартов ставок 194 8.1.1. Параметры производительности базы 194 базы разрывов. 8.1.2 Основные принципы группы Gyeenal Foundation 196 8.2 Пример анализа: ставки на источник лучшего напряжения 201 8.2.1 Circuit Construction 201 8.2.2 Моделирование параметров схемы 208 8.3 Эта глава - саммит 220 Глава главы цифрового преобразователя 221 9.1 модель -просмотр цифрового преобразователя 221 9.1.1 модель -базовые принципы цифрового преобразователя 221 9.1.2 Модель-параметры производительности цифрового преобразователя 222 9.1.3 Структура модели цифрового преобразователя 225 9.2 Пример анализа 1: параллельный модельный цифровой преобразователь 230 9.2.1 Параллельная конструкция преобразователя и цифрового преобразователя и моделирование временной области 230 9.2.2 Параллельное моделирование доменного домена в виде формы цифрового преобразователя 238 9.3. 9.3. 9.3.2 Согласие моделирования модели домена цифрового преобразователя 248 9.4 Резюме этой главы 249 Рекомендации 250 |
В этой книге представлены базовые знания моделирования CMOS и интегрированной схемы RF, и фокусируется на методе моделирования и процессе работы с использованием программного обеспечения ADE Cadence для интегрированной конструкции схемы.Эта книга содержит анализ экземпляров общих цепи в различных интегрированных схемах, включая усилители вычислительных средств, усилители с низким уровнем шума, усилители радиочастотной мощности, смесители, базы зазоров, плесени-цифровые преобразователи и другое содержание. Эта книга посвящена выбору материалов и богата содержанием. На основе основных концепций и принципов метод проектирования моделирования CMOS и интегрированной RF -цепи разработан подробно с помощью примера анализа.Эта книга представляет собой учебный материал для интегрированного проектирования схемы Технологического института Пекинского института и может использоваться в качестве новичка в качестве CMOS -моделирования и интегрированных радиочастотных схем, а также профессиональных учебных книг, таких как электронная наука и технология, интегрированные схемы Наука и инженерия и т. Д. Ссылки научных исследований и технического и технического персонала в области микроэлектроники и интегрированных цепей. |
