【Все 3 объема】 Инфракрасный и терагерц детектор + введение в фотоэлектрическое преобразование + инфракрасная фотоэлектроника средней инфракрасной полосы лазерной инфракрасной нелинейной декорации в устройствах с одним фотоном детектором
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| [Полные 3 тома] Инфракрасные и терагерцевые детекторы + Введение в фотоэлектрическое преобразование + Инфракрасная оптоэлектроника | ||
Установить цены: | 540.00 | |
Установите код: | 9787030666970 | |
| Инфракрасные и терагерцовые детекторы | ||
 | Ценообразование | 300.00 |
Издатель | Science Press (Китай) | |
Опубликованная дата | Январь 2023 года | |
формат | ||
автор | «Бо) А. Рогальский | |
Количество страниц | ||
Кодирование ISBN | 9787030739308 | |
Введение
В этой книге систематически представлены теория электронного сигнала, его физическая подоплека и оптические знания об устройствах обнаружения инфракрасного и терагерцового диапазона, а также материалы, конструкции и системы охлаждения, используемые при подготовке и применении устройств. Он имеет высокую эталонную ценность для подготовки инфракрасных и терагерцовых устройств, прикладных исследований и разработок, а также для практического инженерного применения.Книга разделена на 5 частей, включая основы инфракрасного и терагерцового обнаружения, инфракрасные тепловые детекторы, инфракрасные детекторы фотонов, инфракрасные дисковые матрицы, терагерцовые детекторы и матрицы фокальной плоскости.Среди них в разделе инфракрасных тепловых детекторов есть отдельная глава, посвященная аэродинамическим детекторам, в разделе детекторов инфракрасных фотонов перечислены различные типы устройств, которые вступили в стадию зрелости за последнее десятилетие, а терагерцовый детектор был расширен из исходной главы в раздел, а некоторые недавние разработки представлены подробно.
Эта книга предназначена для исследователей и инженеров в области оптоэлектроники, особенно для тех, кто занимается разработкой оптических приборов инфракрасного и терагерцового диапазона, подготовкой устройств обнаружения и полным машиностроением. Его также можно использовать в качестве справочного материала для преподавателей и студентов смежных специальностей в колледжах и университетах.
| Инфракрасный | ||
 | Ценообразование | 120.00 |
Издатель | Science Press (Китай) | |
Опубликованная дата | Ноябрь 2020 года | |
формат | 16 | |
автор | Под редакцией Чу Цзюньхао, Шэнь Хун | |
Количество страниц | ||
Кодирование ISBN | 9787030666970 | |
Введение
Эта книга в основном знакомит с основными принципами и методами исследований в области физики инфракрасной фотоэлектроники.Обсуждаются исследования процессов фотоэлектрического преобразования, электрооптического преобразования и фотооптического преобразования в инфракрасных функциональных системах материалов, а также их законы и методы управления.Обсуждение понимания людьми процесса трансформации форм движения природных материалов является не только основой для разработки устройств, но и руководством для проектирования и подготовки инфракрасных функциональных материалов.На основе углубленных исследований микроскопических механизмов инфракрасных функциональных материальных материалов и их гетеропереходов, а также низкоразмерных системных оптоэлектронных физических процессов люди провели углубленные исследования фотоэлектрического возбуждения и преобразования, электрооптического возбуждения и преобразования, фотооптического возбуждения и преобразования, включая явления, эффекты, законы и различные применения устройств.Поскольку каждое фотоэлектрическое преобразование в материи может соответствовать оптоэлектронным устройствам и их применениям, четырьмя типичными приложениями являются инфракрасное обнаружение, излучение инфракрасного света, нелинейные оптические элементы и инфракрасная передача. Исследования физики этих инфракрасных оптоэлектронных устройств, а также проектирование, подготовка, улучшение характеристик и применение устройств.
Оглавление
Последовательность
Предисловие
Глава Введение в инфракрасную оптоэлектронику 001
1.1 Открытие инфракрасного 001
1.2 Природа инфракрасного излучения 002
1.3 История развития инфракрасной технологии 004
1.4 Инфракрасная оптоэлектроника 007
1.4.1 Законы инфракрасной физики 007
1.4.2 Инфракрасная платформа для материалов 008
1.4.3 Инфракрасное функциональное устройство 009
1.4.4 Применение инфракрасной технологии 010
Глава 2 Инфракрасная физика 011
2.1 Основы оптики 011
2.1.1 Характеристики света 012
2.1.2 Природа света 012
2.1.3 Генерация света 014
2.1.4 Тепловое излучение 015
2.1.5 Лазер 018
2.1.6 Распространение и преобразование света в средах 019
2.2 Световые эффекты в твердых телах 022
2.2.1 Эффект фотопроводимости 023
2.2.2 Фотоэлектрический эффект 028
2.2.3 Фотоэлектронная эмиссия 035
2.2.4 Эффект диффузии света 036
2.2.5 Опто-магнитоэлектрический эффект 036
2.2.6 Эффект притягивания фотонов 037
2.2.7 Фототермоэлектрический эффект 038
2.3 Электрооптическое преобразование 038
2.3.1 Метрология инфракрасного излучения 039
2.3.2 Источник света синхротронного излучения 041
2.3.3 Лазер на свободных электронах 044
2.3.4 Процесс электрооптического преобразования полупроводниковой низкоразмерной системы 046
2.4 Преобразование света в свет 046
2.4.1 Пропускание инфракрасного света в атмосфере 047
2.4.2 Спектр инфракрасного поглощения 048
2.4.3 Спектр инфракрасной флуоресценции 050
2.4.4 Инфракрасная рамановская спектроскопия 050
2.4.5 Спектр инфракрасной поляризации 051
2.5 Смежные дисциплины по областям применения 053
2.5.1 Инфракрасная физика материалов 053
2.5.2 Инфракрасная астрономия 053
2.5.3 Физика инфракрасной атмосферы 054
2.5.4 Инфракрасная биофизика 056
Глава 3 Инфракрасные функциональные материалы 058
3.1 Инфракрасно-оптические материалы 058
3.1.1 Важность использования правильных материалов 058
3.1.2 Инфракрасный оптический кристалл 063
3.1.3 Нелинейно-оптический кристалл 064
3.1.4 Инфракрасное оптическое стекло 065
3.1.5 Инфракрасно-оптическая керамика 065
3.1.6 Инфракрасно-оптический пластик 065
3.2 Узкозонные полупроводники 065
3.2.1 Развитие физики узкозонных полупроводников 065
3.2.2 Выращивание кристаллов объемного материала HgCdTe 070
3.2.3Рост тонкопленочного материала HgCdTe 072
3.2.4. Зонная структура узкозонных полупроводников 074
3.3 Сегнетоэлектрики 079
3.3.1 Основные функции 080
3.3.2 Основная классификация сегнетоэлектрических материалов 084
3.3.3 Приготовление сегнетоэлектриков 092
3.4. Эффект квантового ограничения низкоразмерных структур 102
3.4.1. Теория зонной структуры и эффект квантового ограничения 103
3.4.2. Оптоэлектронные свойства в квантоворазмерных структурах 106
3.4.3 Двумерные материалы 117
Глава 4 Инфракрасные устройства 120
4.1 Обзор инфракрасных устройств 120
4.2 Инфракрасный детектор 122
4.2.1 Принцип инфракрасного обнаружения 122
4.2.2 Инфракрасное устройство в фокальной плоскости 133
4.2.3 Однофотонные детекторы 138
4.2.4 Терагерцовый детектор 146
4.3 Устройства, излучающие инфракрасный свет 147
4.3.1 Традиционный источник инфракрасного света 147
4.3.2 Инфракрасный светодиод 150
4.3.3 Инфракрасный лазер 152
4.3.4 Терагерцовый источник света 160
4.4 Инфракрасные оптические компоненты 162
4.4.1 Инфракрасные линзы и зеркала 162
4.4.2 Инфракрасный фильтр 163
4.4.3 Инфракрасный поляризатор 165
4.4.4 Инфракрасное волокно 165
4.4.5 Электрооптический модулятор 168
Глава 5. Применение инфракрасной фотоэлектрики 171
5.1 Применение термометрии 175
5.1.1 Обзор 175
5.1.2 Введение в принцип измерения температуры 177
5.1.3 Метод измерения температуры 179
5.2 Тепловизионная технология 180
5.2.1 Инфракрасная тепловизионная камера 180
5.2.2 Сценарии применения инфракрасного тепловидения 181
5.3 Инфракрасное дистанционное зондирование 186
5.3.1 Космическое дистанционное зондирование 186
5.3.2 Дистанционное зондирование с воздуха 193
5.3.3 Спектр инфракрасного изображения 194
5.4 Инфракрасная скрытность 205
5.4.1 Инфракрасные стелс-материалы 207
5.4.2 Применение инфракрасной скрытности 211
5.4.3 Тенденции развития инфракрасной технологии Stealth 212
Глава 6 Тенденции развития инфракрасной оптоэлектроники 214
6.1 Технология инфракрасных детекторов III-V стала предметом разработки 214
6.2 Новые технологии инфракрасных детекторов, такие как ближний инфракрасный/коротковолновый инфракрасный диапазон и графен, стали горячими точками развития 215
6.3 Повышение боеспособности и боевой адаптивности войск за счет гибкой функциональной интеграции и комбинирования 216
6.4 Уделить внимание развитию и использованию технологий цифровой обработки сигналов и улучшить возможности распознавания целей 217
6.5 Содействовать развитию технологий постоянного наблюдения на обширной территории и достижению панорамного восприятия 219
6.6 Активно продвигать промышленную интеграцию, а также внутреннее и внешнее сотрудничество для всестороннего повышения конкурентоспособности 220
6.7 Корректировать стратегии управления продукцией и активно использовать рыночный спрос на продукцию гражданского назначения 220
Ссылки 222
| Введение в фотоэлектрическое преобразование | ||
 | Ценообразование | 120.00 |
Издатель | Science Press (Китай) | |
Опубликованная дата | Ноябрь 2020 года | |
формат | ||
автор | Chu Junhao et al. | |
Количество страниц | ||
Кодирование ISBN | 9787030665539 | |
Введение
Эта книга посвящена процессу фотоэлектрического преобразования и знакомит с общей теоретической системой и научно-техническими знаниями фотоэлектрического преобразования с точки зрения взаимного преобразования форм движения материалов, обеспечивая мост от базовых научных знаний к инженерным технологиям и приложениям.Всего в книге 8 глав: обзор; общие законы движения материи и преобразования форм; классическое описание процесса фотоэлектрического преобразования; теория фотоэлектрического перехода;материалы фотоэлектрического преобразования; оптоэлектронные устройства и принципы; интеллектуальные фотоэлектрические функциональные системы; Наконец, в нем рассказывается о фотоэлектрическом преобразовании и создании «умной» и низкоуглеродной земли, а также обсуждается значение фотоэлектрического восприятия информации и фотоэлектрического преобразования энергии в создании «умной» и низкоуглеродной земли для достижения устойчивого человеческого развития.
Оглавление
Последовательность
Предисловие
Глава 1 Обзор 001
1.1 Оптоэлектронные технологии в контексте интеллектуальной эпохи 001
1.2 Физические явления фотоэлектрического преобразования 004
1.3 Законы о фотоэлектрическом преобразовании продвигают технологию устройств 010
Глава 2 Общие закономерности трансформации форм материального движения 017
2.1 Закон сохранения 017
2.1.1 Основы классической механики 017
2.1.2 Микроскопические основы движения материала 021
2.2 Законы термодинамики 029
2.2.1 Основные понятия термодинамики 029
2.2.2 Основные законы термодинамики 030
2.2.3 Функция состояния и термодинамический потенциал 033
2.3 Условия и ограничения 035
2.3.1 Механические ограничения 035
2.3.2 Принцип увеличения энтропии 037
2.3.3 Критерий термического динамического баланса 039
Глава 3 Классическое описание процесса фотоэлектрического преобразования 042
3.1 Функция реагирования 042
3.2 Основные физические процессы 053
3.3 Классическое описание 066
Глава 4 Теория фотоэлектрического перехода 076
4.1 Теория энергетических зон 076
4.2 Фотоэлектрический переход 080
4.2.1 Процесс прямого перехода между диапазонами 085
4.2.2 Процесс непрямого перехода между диапазонами 086
4.3 Регулировка отжима 089
4.3.1 Описание спина 089
4.3.2 Спин-орбитальная связь Рашба 092
4.3.3 Спин-орбитальная муфта Dresselhaus 092
4.3.4 Явления магнитного переноса, связанные со спином 093
4.3.5 Явление спин-орбитального взаимодействия в полупроводниковых низкоразмерных системах 096
Глава 5. Материалы для фотоэлектрических преобразований 109
5.1 Оптоэлектронные информационные материалы 109
5.1.1 Полупроводниковые оптоэлектронные информационные материалы 109
5.1.2 Пироэлектрики и сегнетоэлектрики 111
5.2 Фотоэлектрические энергетические материалы 114
5.2.1 Неорганические фотоэлектрические энергетические материалы 114
5.2.2 Органические фотоэлектрические энергетические материалы 127
5.3 Другие функциональные материалы 131
5.3.1 Топологические материалы 131
5.3.2 Акустооптические и магнитооптические материалы 135
Глава 6 Оптоэлектронные устройства и принципы 142
6.1 Электрооптические устройства 142
6.1.1 Электрооптический эффект 142
6.1.2 Фазовый модулятор ячейки Поккельса 144
6.2 Светодиоды 144
6.2.1 Классификация светодиодов 145
6.2.2 Принцип работы светодиодов 145
6.2.3 Полупроводниковые материалы для светодиодов 146
6.2.4 Характеристические параметры светодиода 148
6.3 Лазерные диоды 150
6.3.1 Принцип стимулированного излучения лазерного диода 150
6.3.2 Характеристики лазерного диода 152
6.3.3. Полупроводниковый квантовый лазер 154.
6.4 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства 155
6.4.1 Фотодетектор 155
6.4.2 Физические эффекты фотоэлектрического обнаружения 156
6.4.3 Рабочие параметры и шум фотодетекторов 161
6.4.4 Типы фотодетекторов 168
6.4.5 Типичные фотоэлектрические фотодетекторы 169
6.4.6 Исследование и принципы работы новых фотоэлектрических детекторов 177
6.5. Спиновые оптоэлектронные устройства 183
Глава 7. Интеллектуальная оптоэлектронная функциональная система 186
7.1 Фотоэлектрическая система сбора и преобразования информации 186
7.1.1 Инфракрасное дистанционное зондирование 187
7.1.2 Оптоволоконная система связи 196
7.1.3 Фотоэлектрическая система наведения 203
7.2 Система фотоэлектрического преобразования энергии 213
7.2.1 Система преобразования солнечной фотоэлектрической энергии 213
7.2.2 Система преобразования солнечной фототермической энергии 218
Глава 8 Фотоэлектрическое преобразование и создание «умной» земли и низкоуглеродной земли 224
8.1 Оптоэлектронный сбор информации и умная земля 224
8.2 Фотоэлектрическое преобразование энергии и низкоуглеродистая земля 228
8.3 Перспективы исследования фотоэлектрических преобразований 233
