В -глубиневое понимание микроэлектронных схем проектирования моделирования Электронная технология+цифровые электронные технологии+принципы электронных компонентов и приложения Ричард С. Дизайн полупроводникового устройства Jeg Chip
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
В этой книге систематически обсуждаются базовые знания и применение аналоговых электронных технологий.Автор начал с основной концепции усилителей и подробно представил связанные концепции усилителей и двухпортовой модели, частотного характеристик обратной связи, малого сигнального моделирования, единого усилителя транзистора, дифференциального усилителя, усилителя обратной связи и осциллятора от мелкого до глубокого, глубокого, усилителя обратной связи и осциллятора от мелкого до глубокого, глубокого, глубокого усилителя обратной связи и осциллятора от мелкого до глубокого, и указаны подробно соответствующими принципами, методами анализа и проектирования аналоговых схем.Эта книга определяет очень четкий метод решения проблем с точки зрения инженерного решения.
Благодаря изучению этой книги читатели могут полностью освоить концепции и знания аналоговых электронных технологий и изучить методы анализа и проектирования схем аналоговых схем.
Эта книга может использоваться в качестве профессионального учебника или справочника в качестве бакалавриата или аспиранта в области электронной информации, электрических специальностей или в качестве справочника. Она также может использоваться в качестве справочного материала для технического и технического персонала, занимаясь твердым электроникой и Устройства, цифровые схемы и моделирование.
об авторе
[MEI] Ричард·C. Jaeger: PhD в области электротехники в Университете Флориды, США, старший профессор кафедры электрической и компьютерной инженерии в Университете Оберна. Сплошные схемы, устройства и электроника.
[美] Tellaves·Трэвис Н. Блалок: профессор электрической и компьютерной инженерии, Университет Вирджинии, США.
Цифровая электронная технология и приложения (оригинальная книга 5 -е издание)
Эта книга является шедевром в области конструкции микроэлектронных схем.Книга охватывает широкий спектр областей, и съемки цифровых цепей или аналоговых цепей могут быть выполнены отдельно и могут быть изучены отдельно.Чтобы облегчить домашние читатели, перевод делится на 3 тома, а именно «глубокое понимание конструкции микроэлектронных цепей-принципы и применение электронных компонентов (оригинальная книга 5-е издание)» и «подробное понимание микроэлектронных цепей Дизайн - Технология и применение цифровой электроники (оригинальная книга 5th Edition) и «подробное понимание конструкции микроэлектронных схем - аналоговая электронная технология и применение (оригинальная книга 5th Edition)».
Эта книга всесторонне рассказывает о базовых технологиях знаний и применения микроэлектронных цепей. Поймите разработку, текущее состояние и основные технологии микроэлектронных цепей с глобальной точки зрения.Содержание книги охватывает основное содержимое в полях твердотельной электроники, полупроводниковых устройств, цифровых цепей и аналоговых схем, и читатели могут лучше понять и понять методы проектирования и конструкции концепций микроэлектронных цепей.В этой книге подчеркивается проектирование и анализ микроэлектронных цепей, что делает ее более подходящей для использования в качестве учебников для связанных специальностей в области электронной информации, электротехники, компьютерных и инженерных технологий в колледжах и университетах, а также может использоваться в качестве справочников для технических и технических технологий. дизайнеры.
об авторе
Песня Тингцян, заместитель декана Школы информационной науки и техники Университета науки и технологий Циндао, а также заместитель декана колледжа больших данных, доктор, магистерский студент, член китайского компьютерного общества, член Комитета по робототехнике Шандунга Компьютерного общества ПолемОн занимался обучением и научными исследованиями в области интегрированного дизайна схемы, дизайна встроенной системы, 3D -печати, технологии компьютерного управления, искусственного интеллекта и искусственного интеллекта.Участие или проведение более 10 национальных проектов 863 плана, проекты Национального фонда естественных наук, провинциальные проекты в области исследований и разработок Шандунга, проект Фонда естественных наук Шандун, проект по планированию науки и технологии Циндао, 5 патентов на изобретение, 3 патенты на коммунальные модели, 3 патента, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, патенты, 3 патента, патенты, 3 патента, патенты, 3 патента, патенты. и 3 патента, 3 патента, 3 патента, 3 патента, 3 патента, а также 3 патента. 10 Программных программ, 3, 3 редактора -в учебниках -4, 4 перевода, опубликованные более 30 статей, выиграли третий приз из Результаты провинциального компьютерного приложения, вторая приз в области науки и технологий Циндао, и руководил наградами научных и технологических инноваций более 40 студентов.
Оглавление
Глава 1 Введение в цифровые электронные схемы
1.1 Идеальный логический ворот
1.2 Logic Level и Royeperance
1.2.1 Логический уровень
1.2.2
1.2.3 Цели проектирования логического затвора
1.3 Динамический отклик логических ворот
1.3.1 Время и время падения
1.3.2 Задержка передачи
1.3.3 Продукт задержки энергопотребления
1.4 Обзор логической алгебры
1,5 нмос логика дизайн
1.5.1 NMOS -инвертор с нагрузочным резистором
1.5.2 MS W/L Дизайн
1.5.3 Дизайн сопротивления нагрузки
1.5.4 Визуализация линий нагрузки
1.5.5.
1.5.6 Анализ шумоподавления
1.5.7 Расчет VIL и VOH
1.5.8 Расчет VIH и VOL
1.5.9.
1.5.10 Проблема сопротивления нагрузки
1.6 РЕШЕНИЕ Альтернативной нагрузки Транзистора Альтернативной нагрузки
1,6,1 нмос насыщенной нагрузочной нагрузки инвертор
1,6,2 нмос инвертор с линейным нагрузочным устройством
1,6,3 нмос инвертор с истощенной нагрузкой
1.7 Сводка и сравнение инвертора NMOS
1.8 Влияние скорости насыщения на конструкцию статического инвертора
1.8.1 Дизайн переключателя транзистора
1.8.2.
1.8.3 Сводка влияния скорости насыщения
1,9 нмо.
1.9.1 или не дверные
1.9.2 и ворота
1.9.3 Nore Gate и Nore Mayout в процессе истощения NMOS
1.10 Complex NMOS Logic Design
1.11 Потребление мощности
1.11.1 Статическое энергопотребление
1.11.2 Динамическое энергопотребление
1.11.3 Масштабирование мощности логического затвора MOS
1.12 Динамические характеристики логического затвора MOS
1.12.1 конденсаторы в логических цепях
1.12.2 Динамический отклик инвертора NMOS с резистивной нагрузкой
1.12.3 Сравнение инверторов задержки NMOS
1.12.4 Влияние скорости насыщения на задержку инвертора
1.12.5 Масштабирование на основе моделирования эталонной схемы
1.12.6 Измерение кольцевого генератора с задержкой внутренней затвора
1.12.7 Задержка выгруженного инвертора
1,13 логика PMOS
1,13.1 ПРИС
1.13.2 NO, и GATE и NOR GATE
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
Глава 2 CMOS LOGIC CUSTION
2.1 Инвертор CMOS
2.2 Статические характеристики инвертора CMOS
2.2.1 Характеристики передачи напряжения CMOS
2.2.2. Шумостойчивость инвертора CMOS
2.3 Динамические характеристики инвертора CMOS
2.3.1 Оценка задержки распространения
2.3.2 ВРЕМЕНИ И ВРЕМЯ ОСНОГО ВРЕМЯ
2.3.3 Шкала по производительности
2.3.4 Влияние влияния на насыщение скорости на задержку инвертора CMOS
2.3.5 Каскадный инвертор задержка
2.4 CMOS энергопотребление и продукт задержки энергопотребления
2.4.1 Статическое энергопотребление
2.4.2 Динамическое энергопотребление
2.4.3 Продукт задержки энергопотребления.
2.5 CMO NAND и NAND
2.5.1 CMOS или N/A
2.5.2 CMO и N/A
2.6 CMOS Complete Cure Design
2.7 Минимальный размер дизайна и производительность логических ворот
2.8 Каскадный буфер
2.8.1 Модель задержки каскадного буфера
2.8.2 Оптимальная серия
2.9 CMOS -затворы передачи
2.10 Бистабильная цепь
2.10.1 Бистабильная защелка
2.10.2 RS Trigger
2.10.3 D защелка с использованием затвора передачи
2.1o.4 Служя D Триггер
2.11 CMOS -эффект защелки
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 3 память MOS и ее схема
3.1 память случайного доступа
3.1.1 Архитектура памяти ОЗУ
3.1.2 256 МБ чип памяти
3.2 Статическая память
3.2.1 Выделение и доступ к единицам памяти (6-T-единицы)
3.2.2 Операция чтения
3.2.3. Записать данные на 6-T Unit
3.3 Динамическое хранение
3.3.1 Блок 1-T
3.3.2 Хранение данных 1-T единиц
3.3.3 Чтение данных 1-T Unit
3.3.4 Блок 4-T
3.4 Датчик усилитель
3.4.1 Усилитель датчика для 6-T Unit
3.4.2 Усилитель датчика для 1-T-блока
3.4.3 Схема линии слов Boost Word
3.4.4 Усиление CMOS-контролируемого CMOS
3.5 Адрес декодер
3.5.1 Nand Gate Decoder
3.5.2 Nand Gate Decoder
3.5.3 Декодер столбца передачи трубки
3.6 Память только для чтения
3.7 Flash
3.7.1 Технология плавучих затворов
3.7.2 Net реализация схемы
3.7.3 Реализация цепи NAND
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
Глава 4 Биполярная логическая цепь
4.1 Переключатель тока (пара сцепления излучателя)
4.1.1 Математическая модель статических характеристик текущих переключателей
4.1.2 Анализ текущих переключателей для ⅰ＞ vref
4.1.3 Анализ текущего переключателя, когда ⅰ＜ vref
4.2 Логическая логическая связь эмиттера
4.2.1 ECL GATE, когда ⅰ = VH
4.2.2 ecl gate, когда ⅰ = vi
4.2.3 Входной ток затвора ECL
4.2.4 Резюме ECL
4.3 Анализ шумоподавления затвора ECL
4.3.1 VIL, VOH, VIH и VOL
4.3.2 Шумостойкость
4.4 Реализация источника тока
4.5 ECL OR-OR UNE-GATE
4.6 Последователь излучателя
4.7.
4.7.1 Параллельное соединение вывода последователя эмиттера
4.7.2 "Линия или" логическая функция
4.8 Характеристики ECL энергоснабжения.
4.8.1 Потребление энергии
4.8.2 Дверная задержка
4.8.3 Продукт задержки энергопотребления
4.9
4.10 Логика текущего типа
4.10.1 логический затвор CML
4.10.2 Логический уровень CML
4.10.3 VFF напряжение источника питания
4.10.4 Высокий уровень CML
4.10.5 Уменьшите энергопотребление CML
4.10.6 Логика FET, связанная с источником
4.11 Насыщенный биполярный инвертор
4.11.1 Статический инвертор
4.11.2 Напряжение насыщения биполярного транзистора
4.11.3 Визуализация линии загрузки
4.11.4 Насыщенный BJ
Принципы и применения электронных компонентов (оригинальная книга, 5 -е издание)
В этой книге систематически обсуждаются основные знания и применение основных цепей электронных компонентов.Начиная с основных принципов электронной науки, основных понятий, таких как основные принципы давления и диверсии, теорема Дэвида Юга и усилитель, вводили основные понятия компонентов и наихудший анализ наихудшего случая, наиболее часто используемых в конструкции схемы, Монте -Карло обычно используется В конструкции схемы Монте -Карло Основные методы анализа и другие методы анализа подробно анализируются характеристики полупроводникового материала, диода PN Knottability, модель диодных специй, схема выпрямителя, полевой трубки и характеристик биполярных транзисторов и анализа специй.Эта книга определяет очень четкий метод решения проблем с точки зрения решения проекта. Большое количество дизайнерских примеров, представленных в книге, используют этот метод для его решения, что помогает читателям углубить понимание и овладение конструкцией связанной схемы.
Благодаря изучению этой книги, читатели могут полностью понять концепции и знания электронных компонентов и их цепей, и могут изучить соответствующие методы анализа цепи и проектирования схем. Книга дает большое количество упражнений на дизайнер для читателей для изучения и практики.
Эта книга может использоваться в качестве профессионального учебника или справочника в качестве бакалавриата или аспиранта в области электронной информации, электрических специальностей или в качестве справочника. Она также может использоваться в качестве справочного материала для технического и технического персонала, занимаясь твердым электроникой и Устройства, цифровые схемы и моделирование.
об авторе
[MEI] Ричард·C. Jaeger: PhD в области электротехники в Университете Флориды, США, старший профессор кафедры электрической и компьютерной инженерии в Университете Оберна. Сплошные схемы, устройства и электроника.
[美] Tellaves·Трэвис Н. Блалок: профессор электрической и компьютерной инженерии, Университет Вирджинии, США.
