Приложение трехмерной радиочастотной интеграции является важным направлением применения и развития технологии трехмерной интеграции через кремний (TSV). С развитием приложений 5G и миллиметровых волн постепенно стали коммерциализироваться тонкопленочные объемные акустические резонаторы (FBAR) и переключающие устройства радиочастотных микроэлектромеханических систем (RF MEMS) на основе высокоомной кремниевой упаковки уровня пластины TSV. Трехмерная гетерогенная радиочастотная интеграция TSV постепенно стала ключевой технологией для инженерных приложений в области передового электронного информационного оборудования. В этой книге подробно объясняется технология высокоомной кремниевой адаптерной платы TSV для приложений трехмерной радиочастотной гетерогенной интеграции, включая исследования в области проектирования, процесса, оценки и оптимизации электрических характеристик, начиная с базовых структурных единиц, таких как TSV и копланарные волноводные линии передачи (CPW), до интегрированных пассивных компонентов (IPD) и интегрированных прототипов. Обсудить влияние металлизации на высокочастотные характеристики; продемонстрировать компоненты ИПД, такие как интегральные катушки индуктивности, микрополосковые встречно-штыревые фильтры и антенны на основе высокоомного кремниевого ТСВ; подробно представить 2.5D интегрированные четырехканальные приемные компоненты L-диапазона, канальные приемники преобразования частоты 5–10 ГГц, интегрированный модуль усилителя мощности GaN с микрожидкостным рассеиванием тепла 2–6 ГГц и другие исследовательские примеры. В книге также представлен систематический обзор последних отечественных и зарубежных исследований в области технологии трехмерной радиочастотной интеграции высокоомного кремния TSV...
