8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 17.98 руб.

В глубине понимания цифровой электронной технологии микроэлектронных схем и применения оригинальной книги, 5 -е издание оригинальной книги «Ричард С. Джег Цингхуа».

Цена: 621руб.    (¥34.5)
Артикул: 637043444197
Цена указана со скидкой: 50%
Старая цена:  1241р. 

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:品悦轩图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥25450руб.
¥103.51 861руб.
¥32576руб.
¥42756руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Основная информация.jpg

Номер ISBN: 9787302560302

Заголовок: В глубине понимания микроэлектронной конструкции схемы——Цифровая электронная технология и применение (оригинальная книга 5 издание)

Автор: [MEI] Ричард·C. Jeg [Mei] Трэвис·Н. Блэрк;

Цена: 69.00 Юань

формат: 16

Это костюм: нет

Название издательства: Tsinghua University Press



Введение. JPG

Автор этой книги - профессор Стэнфордского университета.Книга не только дает базовые теории, но также приводит большое количество примеров дизайна электронной схемы.


Каталог. JPG

Глава 1 Введение в цифровую электронную схему

 

1.1 Идеальная логическая дверь

 

1.2 Logic Level и Royeperance

 

1.2.1 Логический уровень

 

1.2.2

 

1.2.3 Цели проектирования логических дверей

 

1.3 Динамический ответ логических дверей

 

1.3.1 ВРЕМЯ ВРЕМЕНИ И Уменьшение времени

 

1.3.2 Задержка передачи

 

1.3.3 Потребляемая энергопотребление 迟 Задержка

 

1.4 Обзор логического номера

 

1,5NMOS Логический дизайн

 

1.5.1 NMOS отражатель с сопротивлением нагрузки

 

1,5,2 мс с дизайном

 

1.5.3 Дизайн сопротивления нагрузки

 

1.5.4 Визуализация линии нагрузки

 

1.5.5 Устойчивость к направлению устройства переключения

 

1.5.6 Анализ устойчивости к шуме

 

Расчет 1.5.7vil и voh

 

Расчет 1.5.8vih и VOL

 

1.5.9 Устойчивость к нагрузке с надписью.

 

1.5.10 Проблема сопротивления нагрузки

 

1.6 Схема сопротивления нагрузки на нагрузку с хрустальной трубкой

 

1.6.1nmos насыщенная нагрузка обратной фазы обратной фазы

 

1.6.2 NMOS отражатель с линейным нагрузочным устройством

 

1,6,3 нмос отражатель с исчерпывающей нагрузкой

 

1,7NMOS Антифазное резюме и сравнение

 

1.8 Влияние скорости насыщения на конструкцию статического рефлюксатора

 

1.8.1.

 

1.8.2.

 

1.8.3 Небольшое насыщение влияет на резюме

 

1.9nmos и не -тур

 

1.9.1 или не -тур

 

1.9.2 и не -тур

 

1.9.3.

 

1.10 Complex NMOS Logic Design

 

1.11 Потребление мощности

 

1.11.1 Статическое энергопотребление

 

1.11.2 Динамическое энергопотребление

 

1.11.3mos

 

 

 

 

 

1,12 мос динамические характеристики логики дверей

 

1.12.1 конденсаторы в логических цепях

 

1.12.2 Динамический отклик антифазы NMOS анти -резистентной нагрузки

 

1.12.3 Сравните NMOS задержку обратной фазы

 

1.12.4 Влияние скорости насыщения на задержку антифазного устройства

 

1.12.5 на основе масштабирования моделирования эталонной схемы

 

1.12.6 Метод измерения кружки генератора с неотъемлемой задержкой двери

 

1.12.7 Задержка не загружающего антифазного устройства

 

1.13pmos логика

 

1.13.1PMOS антифазное устройство

 

1.13.2

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

Расширенное чтение

 

упражнение

 

Глава 2 Конструкция логической цепи CMOS

 

2.1CMOS антифазное устройство

 

2.2CMOS Статические характеристики антифазного устройства

 

2.2.1CMOS Характеристики передачи напряжения

 

2.2.2CMOS анти -актетиватор -устойчивость к шуму

 

2.3CMOS Динамические характеристики антифазных устройств

 

2.3.1 Оценка задержки отображения

 

2.3.2 Время повышения и сокращением времени

 

2.3.3 Сокращение в соответствии с производительностью и другими пропорциями

 

2.3.4 Влияние эффекта насыщения скорости на задержку CMOS антифазного устройства

 

2.3.5 Задержка посетителей класса Lianhe

 

2.4CMOS энергопотребление и энергопотребление  Задержка

 

2.4.1 Статическое энергопотребление

 

2.4.2 Динамическое энергопотребление

 

2.4.3 Потребляемая мощность 迟 Задержки

 

2,5CMO или не -тур

 

2.5.1cmos или не -тур

 

2.5.2cmos и не -тур

 

2,6CMOS Complex Door Design

 

2.7 дизайн небольшого размера и производительность логической двери

 

2.8 Буфер ссылки на класс

 

2.8.1 Модель задержки буфера списка классов

 

2.8.2 Высший номер

 

2,9CMOS Дверь передачи

 

2.10 двойная схема

 

2.10.1 Двойной стабилизированный Marship

 

2.10.2RS Триггер

 

2.10.3 Используйте D замки дверцы передачи

 

2.10.4 В основном и рабский триггер

 

2.11cmos 效 эффект блокировки

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

упражнение

 

Глава 3 память MOS и ее схема

 

3.1 память случайного доступа

 

3.1.1ram Архитектура памяти

 

3.1.2256MB Чип памяти

 

3.2 Статическая память

 

3.2.1 Изоляция и доступ к блоку памяти (6T Блок)

 

3.2.2 Операция чтения

 

3.2.3 Записать данные на 6 元 T Unit

 

3.3 Динамическое хранение

 

3.3.11 元 T Unit

 

3.3.21 3 Хранение данных хранения данных

 

3.3.31 元 Чтение данных

 

3.3.44 元 T Unit

 

3.4 Датчик усилитель

 

3.4.16 元 T.

 

3.4.21 元 T.

 

3.4.3 Схема линии BigRarosis

 

3.4.4 Усилитель датчика датчика управления часами

 

3.5 Адрес декодер

 

3.5.1 или не -туфродера

 

3.5.2 и не -туфродеры

 

3.5.3 серии декодеров трансмиссионной трубки

 

3.6 Чтение памяти

 

3.7 Флэш -память

 

3.7.1 Технология плавающей сетки

 

3.7.2NOR Реализация цепи

 

3.7.3 и реализация цепи

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

упражнение

 

Глава 4 Схема двойной логики

 

4.1 Переключатель тока (пара излучающего полюсного соединения)

 

4.1.1 Математическая модель статических характеристик текущего переключения

 

4.1.2 для VI>Анализ переключателя тока VREF

 

4.1.3vI<Анализ текущего переключателя Vref

 

4.2 Запустить Extreme Coupling Logic Gate

 

4.2.1vi = дверь ECL VH

 

4.2.2vi = дверь ECL VL

 

4.2.3 Входной ток ввода дверей ECL

 

4.2.4ECL Резюме

 

4.3 Анализ устойчивости к шуме ECL

 

4.3.1vil, voh, vih и vol

 

4.3.2 Шумостойкость

 

4.4 Реализация источника тока

 

4.5ECL или 门 или не -тур

 

4.6 Стреляющий последователь полюса

 

4.7“Соединение полюса”и“Линия или”логика

 

4.7.1. Параллельное соединение вывода последователя стрельбы по шесте

 

4.7.2“Линия или”Логическая функция

 

4.8ECL энергопотребление 延 Характеристики задержки

 

4.8.1 Потребление энергии

 

4.8.2 Дверная задержка

 

4.8.3. Потребляемая мощность 迟 Задержка

 

4.9 ЛОГИКА ОБЛАСТИ

 

4.10 Текущая логика

 

4.10.1cml логическая дверь

 

4.10.2cml Logic Level

 

4.10.3Vee напряжение питания

 

4.10.4 Высокий уровень CML

 

4.10.5 Уменьшите энергопотребление CML

 

4.10.6 Исходная логика FET Coupling Fet Logic

 

4.11 Насыщенное биполярное антифазное устройство

 

4.11.1 Характеристики статического отражателя

 

4.11.2 Напряжение насыщения биполярной кристаллической трубки

 

4.11.3 Визуализация нагрузочных кабелей

 

4.11.4 Характеристики переключения насыщенного BJT

 

4.12 Кристаллическая трубка логика хрустальной трубки

 

4.12.1VI = VL TTL АНАЛФАЗА АНАЛИЗ

 

4.12.2vi = VH Анализ TTL антифазного анализа

 

4.12.3 Потребление энергии

 

4.12.4ttl Display Задержка и питание  Задержка накопления

 

4.12.5ttl's Hariestys yransage и устойчивость к шуму

 

4.12.6 Стандартные ограничения фанатов TTL

 

4.13TTL Логическая функция

 

4.13.1 Трубка входной транзисторной трубки с многоупомянутым полюсом

 

4.13.2ttl и не -тур

 

4.13.3 Входные зажимы диодов

 

4.14 Schottky Clamp Ttl

 

4.15ECL и сравнение задержки энергопотребления TTL

 

4.16BICMOS Логика

 

4.16.1bicmos Buffer

 

4.16.2binmos отражатель

 

4.16.3bicmos логическая дверь

 

краткое содержание

 

Ключевые слова

 

Рекомендации

 

Расширенное чтение

 

упражнение

 

Приложение стандартное значение дискретного компонента

 

A.1 Сопротивление

 

A.2 Емкость

 

A.3 Индуктор

 

Приложение B Solid -State Model и параметр моделирования специй

 

B.1PN узловой диод

 

B.2MOS Полевой эффект трубки

 

B.3 Tube Effect Effect Tube

 

B.4 Биполярная транзисторная трубка