8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

В -глубиневое понимание микроэлектронной конструкции схемы Электронная компонента Цифровой схемы

Цена: 1 317руб.    (¥62.3)
Артикул: 632586994768

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:秒赠图书专营店
Адрес:Цзянсу
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 73 54.51 152руб.
¥118.82 511руб.
¥79.81 687руб.
¥45.2956руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Основная информация

Название: В -depth понимание микроэлектроники дизайна——

Цена: 89,00 юань

Автор: [красота] Ричард&Middot;

Пресса: издательство Tsinghua University Press

Дата публикации: 2020-10-01

ISBN: 9787302555230

Количество слов:

Номер страницы:

Версия:

Переплет: в мягкой обложке, идеальный переплет.

Открыто: 16

Товарный вес:

Краткое содержание

В этой книге систематически обсуждаются основные знания и применение основных цепей электронных компонентов.Начиная с основных принципов электроники, основных концепций, таких как основные принципы давления и диверсии, теорема Дэвида Юга и усилитель, вводили основные концепции компонентов и анализ различий в компонентах и ​​обычно используемых в конструкции схемы, схемы, схема, схема, схема, схема, схема, схема, схема, схема, схема Монте -Карло, Монте -Карло Основные методы анализа, такие как анализ, подробно вводятся характеристики полупроводникового материала, диодную синхронизацию PN, модель диодной специи, схема выпрямителя, полевой трубки и характеристики биполярных транзисторов и анализа специй.Эта книга определяет очень четкий метод решения проблем с точки зрения проектного решения.Благодаря изучению этой книги читатели могут полностью понять концепции и знания электронных компонентов и их цепей и могут изучить соответствующие методы анализа схемы и разработки схемы.Эта книга может быть использована в качестве профессионального учебника или справочника в качестве студента или аспиранта в области электронной информации, электрических специальностей или в качестве справочника. Устройства, цифровые схемы и моделирование.

Похожего контента пока нет

Оглавление

ПервыйглаваВведение в электронную

1.1 Краткая история электронного развития: от вакуумной трубки до огромных интегрированных цепей

1.2 Классификация электронных сигналов

1.2.1 Цифровой сигнал

1.2.2 Аналоговый сигнал

1.2.3 A/D и D/A Converter—— мост подключающий моделирование и цифровые сигналы

1.3 Соглашение о символе

1.4 Как решить проблемы

1.5 Основная концепция теории схем

1.5.1.

1.5.2 Теорема Дэвида Юга и теорема Нортона

1.6 Спектр электронных сигналов

1.7 Усилитель

1.7.1 Идеальный усилитель операции

1.7.2 Частотная реакция усилителя

1.8 Изменения значения параметра компонента в конструкции схемы

1.8.1 Математическая модель толерантности

1.8.2 Худший анализ ситуации

1.8.3 Анализ Монте -Карло

1.8.4 температурный коэффициент

1.9 Численная точность

Резюме

Ключевые слова

Рекомендации

Расширенное чтение

упражнение

2 -йглаваТвердый электронный

2.1 Электронный материал с твердым состоянием

2.2 Модель ковалентного ключа

2.3 Дрифт -ток и скорость миграции в полупроводнике

2.3.1 Дрифт Ток

2.3.2 Скорость миграции

2.3.3 Насыщенность насыщенной скорости

2.4 Удельное сопротивление этого кремния

Примеси в 2,5 полупроводниках

2.5.1 Основные примеси кремния

2.5.2. Примеси субъекта в кремнии

2.6 Концентрация электроники и электроники в легированном полупроводнике

2.6.1 N -тип материал

2.6.2 P -типа материал

2.7 миграция и сопротивление легированного полупроводника

2.8 Диффузионный ток

2.9 Общий ток

2.10 CAN с моделью

2.10.1 Производство электронной пещеры в полупроводнике в этом полупроводнике

2.10.2 DAD -DED -Doped Semiconductor Capable Model

2.10.3 Компенсационный полупроводник

2.11 Обзор производства интегрированных схем

Резюме

Ключевые слова

Рекомендации

Расширенное чтение

упражнение

ТретийглаваТвердый диод и диодную схему

3.1 PN -узловой диод

3.1.1 PN Knot Электростатическая наука

3.1.2 Внутренний ток диода

3.2 I 性 v Особенности диода

3.3 Уравнение диода: математическая модель диода

3.4 Диодные характеристики обратного, нулевого смещения и положительного смещения

3.4.1

3.4.2 нулевое смещение

3.4.3 Положительный частичный

3.5 Температурный коэффициент диода

3.6 Диоды обращаются вспять

3.6.1 Насыщенный ток фактического диода

3.6.2 Обратный разрыв

3.6.3 Диодная модель области проникновения

3,7 PN -узел емкость

3.7.1 Отвращение

3.7.2 Положительный частичный

3.8 Диод Шоттки

3.9 модель специй и макет диода

3.10 Анализ диодной схемы

3.10.1 Метод анализа линии загрузки

3.10.2 Метод анализа модели математики диода

3.10.3 Идеальная модель диода

3.10.4 Модель постоянного падения давления

3.10.5 Сравнение и обсуждение модели

3.11 много -полярная труба цепь

3.12 Анализ диодов в зоне заземленного

3.12.1 Анализ линии загрузки

3.12.2 Анализ сегментарной линейной модели

3.12.3 стабилизатор

3.12.4 Анализ схемы, содержащий сопротивление QINA

3.12.5 Линейная скорость регулировки и скорость нагрузки

3.13 Half -Wave выпрямитель

3.13.1 Полу -волновый выпрямитель с сопротивлением нагрузки

3.13.2 Выпрямители фильтруют емкость

3.13.3 Half -Wave выпрямитель с нагрузкой RC

3.13.4.

3.13.5 Диодный ток

3.13.6 Langyong Current

3.13.7 Обратное обратное напряжение с рейтингом пика

3.13.8 Диоды энергопотребления

3.13.9 Выходной выпрямитель отрицательного напряжения

3.14 Полная схема выпрямителя волн

3.15 Все -волновое мост -тип исправление

3.16 Сравнение выпрямления и складывания дизайна

3.17 Поведение динамического переключателя диода

3.18 Оптический диод, солнечная батарея и излучающий диод

3.18.1 Оптический диод и оптический детектор

3.18.2 Солнечная батарея

3.18.3 Эвербрайт диод

Резюме

Ключевые слова

Рекомендации

Расширенное чтение

упражнение

ЧетвертыйглаваПолевая трубка

4.1 Характеристики емкости MOS

4.1.1 Зона накопления

4.1.2 Источенная область

4.1.3 Отражающая зона

4.2 NMOS Transistor Tube

4.2.1 Качественное описание характеристик I -V кристаллической трубки NMOS

4.2.2 Характеристики линейной зоны кристаллической трубки NMOS

4.2.3 сопротивление привода

4.2.4 Cross -Guidance

4.2.5 Насыщение характеристик I 性 V

4.2.6 Математические модели зоны насыщенной (ущипок)

4.2.7 Насыщенное крестовое обеспечение

4.2.8 Модуляция стоматологической длины

4.2.9 Характеристики передачи и исчерпывающий MOSFET

4.2.10 Эффект тела или чувствительность к основанию

4.3 Транзисторная трубка PMOS

4.4 Модель схемы МОСФЕТА

4,5 МОС транзисторной емкость

4.5.1 емкость линейной зоны кристаллической трубки NMOS

4.5.2 Конденсатор насыщенной области

4.5.3 Capacchaser

4.6 Моделирование МОСФЕТА в специях

4.7 Доля транзисторов MOS - масштабирование

4.7.1 Дискост ток

4.7.2 емкость сетки сетки

4.7.3 Ток и плотность мощности

4.7.4. Потребляемая мощность 迟 задержка

4.7.5 Частота разрезания

4.7.6 Ограниченные ограничения на электрическую ферму

4.7.7, включая унифицированную модель транзистора MOS с высокими ограничениями поля

4.7.8 Подпороговой диск

4.8 Правила производственного процесса и проектирования макета транзисторов MOS

4.8.1 Минимальные размеры характеристик и абзацы

4.8.2.

4.9 смещение трубки эффекта поля NMOS

4.9.1 Зачем вам предвзятость

4.9.2 Четыре смещения сопротивления

4.9.3 Постоянная сетка 3 смещение напряжения источника

4.9.4 Анализ точек Q

4.9.5 Анализ эффектов тела

4.9.6 Используйте унифицированную модель для анализа

4.10 PMOS Полевые эффекты транзистора транзистора

4.11 Трубка с эффектом поля узла

4.11.1 JFET под частичным давлением

4.11.2 канал JFET под предвзятостью источника утечки

4.11.3 N Туннель Jeft's IV функция

4.11.4 P Держа JFET

4.11.5 Символ схемы и сводку модели JFET

4.11.6 емкость JFET

4.12 Модель специй JFET

4.13 JFET и исчерпывающий смещение MOSFET

Резюме

Ключевые слова

Рекомендации

упражнение

5-е местоглаваБиполярный транзистор

5.1 Физическая структура биполярного транзистора

5.2 Модель передачи транзистора NPN

5.2.1 Положительные характеристики

5.2.2 Обратные функции

5.2.3 Уравнение модели передачи корпорации в любых условиях смещения

5.3 ПНП -транзисторная трубка

5.4 Схема эквивалентности модели передачи

5.5 IV Особенности биполярных транзисторов

5.5.1 Выходные характеристики

5.5.2 Характеристики передачи

5.6 Рабочая зона биполярных транзисторов

5.7 Упрощенная модель передачи

5.7.1 Упрощенная модель в области крайнего срока

5.7.2 Упростите модель в области положительного источника

5.7.3 Диод в биполярной интегрированной цепи

5.7.4 Упрощенная модель в области обратного источника

5.7.5 Модель зоны насыщения

5.8 нереальные особенности биполярных транзисторов

5.8.1 Напряжение пирсинга узлов

5.8.2 Небольшое количество передачи носителя в базовой области

5.8.3 Время передачи базовой площади

5.8.4 Диффузионная емкость

5.8.5 Зависимость частоты общего усиления производства электроэнергии

5.8.6 Раннее эффект и раннее напряжение

5.8.7 Моделирование раннего эффекта

5.8.8

5.9 Cross -Guidance

5.10 Bipolar Crafts и Spice Model

5.10.1 Количественное описание

5.10.2 Уравнение модели специй

5.10.3 Биполярная кристаллическая трубка с высоким уровнем

5.11 Фактическая схема смещения BJT

5.11.1 Четыре смещения сопротивления

5.11.2 Цели проектирования четырехстойкой схемы смещения

5.11.3 Анализ IDEMU четырех схемы смещения

5.12. Допустимость цепи смещения

5.12.1. Анализ худшей ситуации

5.12.2 Анализ Монте -Карло

Резюме

Ключевые слова

Рекомендации

упражнение

ПриложениеСтандартное значение дискретного компонента

A.1 Сопротивление

A.2 Емкость

A.3 Индуктор

Приложение БМодель с твердым устройством и специяПараметр моделирования

B.1 PN -узловой диод

B.2 МОС Полевой эффект трубки

B.3 Tube Effect Effect Tube

B.4 Биполярная транзисторная трубка

Приложение СДва обзора портов

C.1 G Параметр

C.2 Гибридный параметр или параметр H

C.3 Руководящие параметры и параметры Y

C.4 Параметр импеданса или параметр Z

Выбор редактора

Содержание этой книги является всеобъемлющим, в том числе как электронные, связанные с основными концепциями, так и методами анализа, а также производительность, связанные с электронными компонентами. Интерес к обучению и просвещению читателей инноваций.Эта книга использует компьютер в качестве вспомогательных инструментов.Каждая глава содержит большое количество примеров дизайна, и каждой главе будут предоставлены специальные упражнения для дизайна, компьютерные упражнения и вопросы специй.