Wu Qiang Интегрированная цепная цепь схемы Интегрированная цепь вблизи дифракционного предела ограничения дифракции, разработки и производственного материала для создания фоторесомазо.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| Название книги: |   |
| Издательство: | Издательство Университета Цинхуа |
| Дата публикации | 2020 |
| Номер ISBN: | 9787302537427 |
 |
| Чтобы справиться с ситуацией моей страны в области интегрированных цепей, особенно в области оптических резьб, он серьезно отстает в развитых странах. Импорт. Человек несет ответственность за помощь в разработке и разработке промышленных сетей, таких как оптическое оборудование, материалы и программное обеспечение, а также сборник исследований и разработок в течение почти 20 лет Заполните исследования и разработки и производство интегрированных схем чипсов моей страны, исследования и разработки оборудования, материалов и программного обеспечения, а также науки Мост для технических исследований и обучения талантов. Эта книга основана на процессе оптической резьбы и органично вычисляет теоретический расчет литографического оборудования, литографических материалов, литографических визуализации и различных идей моделирования в фоторезистском процессе Связь с выводом, требованиями технического развития для производства чипов и требованиями различных параметров процесса PhotoColi, предоставляя читателям общую картину сцена.«Оптические ремесла вблизи предела дифракции» можно использовать для справки для исследователей в научных исследовательских институтах в области оптических технологий, учителей и студентов колледжей и университетов, а также технического и технического персонала интегрированных окружных заводов. |
 |
Ву Цян, степень бакалавра в области физики в Университете Фудана в 1993 году и докторская степень в области физики в Йельском университете в 1999 году.После выпуска он работает в IBM.Он вернулся в Китай в 2004 году и последовательно занимал должность директора R & D оптической резьбы и директором отдела приложений оборудования для оптического оборудования. и Development (Shanghai) Co., Ltd. и Шанхай интегрированные исследования исследований и разработок.НИОКРИЧЕСКИЕ ИЛИ РАЗВИТИЯ КОМАНДУ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ 0,18, 0,13 ?? Динамическая случайная память (DRAM) Технология оптической резьбы, в результате чего команда Департамента применения оборудования успешно вводит в Китай 193 нм.По состоянию на май 2019 года было получено в общей сложности 114 патентов, из которых 26 были в патенте Соединенных Штатов, и команда опубликовала только 52 документа оптических технологий.Нация“02&Rdquo;“&Rdquo;С 2010 по 2019 год он занимал должность заместителя председателя CSTIC (Китайская Международная конференция по полупроводниковым технологиям). |
|
Интегральная индустрия является основой индустрии информационных технологий.Фотооседание является одной из основных технологий процесса интегрированной производственной промышленности. |
|
ГЛАВА 1 ТЕХНИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ 1.1 Краткая история интегрированной схемы 1.2 Краткая история развития интегрированной трассы в моей стране (1958— 1.3 Краткая история развития линз изображений и последних достижений цифровой камеры моей страны 1.4 Краткая история развития легких резных машин и краткой истории развития оптических машин в моей стране 1.5 Краткая история и последний прогресс в развитии легкого клея в моей стране 1.6 Разработка другого оборудования, используемого в легкой резьбе и развитии нашей страны 1.7 Разработка моделирования вычислений оптического вырезанного процесса включает в себя разработку коррекции оптического смежного эффекта 1.8 Разработка экстремальных ультрафиолетовых огней и направляющая самооценка. Заключение Цитирование Глава 2 Обзор световой резьбы 2.1 Общая техническая точка легочной резьбы 2.2 Процесс процесса оптической резьбы 2.2.1 Шаг 1: Газовая кремниевая поверхность предварительной обработки 2.2.2 Шаг 2: вращающийся легкий клей, анти -рефлексивный слой 2.2.3 Шаг 3: Выпекание перед экспозицией 2.2.4 Шаг 4: Столкнуть цель и экспозицию 2.2.5 Шаг 5: Выпекание после экспозиции 2.2.6 Шаг 6: Дисплей и полоскание 2.2.7 Шаг 7: Выпекание после показа, выпечка 2.2.8 Шаг 8: Обзор 2.3 Оборудование, используемое литографическим процессом 2.3.1 Оптическая машина 2.3.2 Глиппер 影 影 2 2 2 2.4 Материалы, используемые в фотоколических процессах: литографический клей, антирефлексивный слой, наполнительный материал 2.5 Набор методов создания литографического процесса, включая определение различной толщины мембраны, условия освещения, окна процесса и т. Д. Мыслительные вопросы Цитирование Глава 3 Принципы и разрешение оптической визуализации 3.1 Принцип оптической визуализации 3.2 Определение разрешения: суждение Руили, полная ширина полумерия 3.3 Теория визуализации частично связанного света: часть когерентности в условиях освещения 3.4 Структура и функция системы оптического освещения: метод освещения Kohler 3.5 Трансформация Оптической визуализации Фурье Мыслительные вопросы Цитирование
4.1. 4.1.1 Оптический клей 4.1.2 Досемиляция 4.1.3 Производительный процесс литографического клея 4.1.4 Анти -рефлекторный слой 4.1.5 Прямой раствор и чистящий раствор 4.1.6 Агент погружения и агент по удалению 4.2 Отрицательный литографический клей (принцип фотосистской клейкой смолы, отрицательный тип фотореорезиции, химия сцепления) 4.2.1 Принцип 4.2.2 Отрицательный тип литографии 4.3 Не -химический усилитель положительный светлой—— 4.3.1 Не -химический усилитель положительный фотореорезитный клей—— 4.3.2 Основной компонент фотореорезовой системы типа фенольной смолы с тяжелой азотной фенольной смолой 4.4 Химические увеличенные положительные резьбы света—— 4.4.1 Спрос на более короткую длину волны Deep Ultraviolet Light Careving Glue 4.4.2 Принцип химического расширения 4.4.3. 4.4.4 193 нм литографический клей, в основном полимельный акрилат 4.4.5193nm -легкий свет. 4.4.6. Создайте отрицательный дисплей теневого света. 4.5 Extreme UV Light Carbing Glue 4.5.1 Клей на основе не -химического увеличения света на основе эффекта разбитой цепи 4.5.2 Политекохимическое химическое масштабирование в легком клей. 4.5.3. Создайте экстремальные химические велосипеды 4.5.4 Отрицательные органические малые молекулярные молекулы 4.5.5. Создание органического маленького молекуляризованного фотоессора 4.5.6 Новая литография на основе неорганических объектов 4.6 Разрешение фоторазового клея Грорость края линии Ограничение чувствительности чувствительности воздействия 4.7 Обзор радиационной химии и оптической химии 4.7.1 Эффект радиации 4.7.2. Комплекс возбужденного состояния 4.7.3 Перенос энергии 4.7.4 Спектральное увеличение 4.7.5 Оптическая химия и радиационная химия 4.7.6 Радиционный химический квантовый выход 4.7.7 чувствительность радиационного воздействия 4.7.8 Механизм взаимодействия между радиацией и фоторезистскими материалами 4.8 Описание Основные параметры физических характеристик оптического клея 4.8.1 DIR PARAMATER 4.8.2 Длина диффузии фотоислоки и коэффициент 4.8.3 Сравнение растворимости в светопоглощенном клеве, показывающем жидкость Мыслительные вопросы Цитирование Глава 5 анти -рефлектор 5.1 антирефлексивный слой и контроль отражательной способности 5.2 антирефлексивный тип слоя 5.2.1 Верхний антирефлексивный слой 5.2.2 нижний анти -рефлекторный слой 5.3 Сравнение органического и неорганического нижнего антирефлекционного слоя 5.4 нижняя часть нижнего антирефлексивного слоя Светлое 5.5 Кремниевый антирефлятный слой, содержащий кремний 5.6 Для нижнего сенсационного слоя чрезвычайно ультрафиолетового света Мыслительные вопросы Цитирование Глава 6 6.1 Введение 6.2 Принципы развития объектива визуализации 6.2.1. 6.2.23 Фильм 3 Наборы визуализации и аберрации Кирка Кирка 6.2.34 Фильм 3 Группы визуализации и аберрации Тянзай 6.2.46 Пленка 4 -Set Double Gaussian Lens Imaging и Анализ аберрации 6.3 Типы и представления симуляции 6.3.1 Разница в шариках, кометы, рассеянные, поле, искажение, разница в осевых цветах, горизонтальная разность цвета 6.3.2 Принцип оценки навыков: 6 фрагментов из 4 наборов анализа исполнителей линз 6.4 Qi Ming Dot и Zero Difference Divice 6.5 Введение в объектив больших численных пор 6.5.1 Zeiss 0,93NA, 193 нм глубокомултравиолетовой проекции изображения изображения и анализа аберрации, структурный анализ 6.5.2 Zeiss 1,35NA, 193 нм, погружение в водную воду, не складывающее анти -дип ультрафиолетового проекционного изображения изображение и анализ аберрации, 6.5.3 Zeiss 0,33NA, 6 штук и 6 групп по 13,5 нм чрезвычайно ультрафиолетовые проекты полного размышления и визуализации 6.5.4 больше численного диаметра пор полярное ультрафиолетовое зеркало 6.5.5 Краткое развитие и последнее развитие зеркала легкого проектора в моей стране 6.6 Введение на мобильную платформу световой вырезанной машины 6.6.1 Функция, структура и основные компоненты систем мобильных платформ, мобильных платформ 6.6.2 Калибровка трехмерного пространственного местоположения мобильной платформы 6.6.3 Введение в систему измерения и управления системой измерения и управления решеткой с двумя измерительными измерителями ASMAI 6.6.4 Последние достижения, разработанные моей страной на мобильной платформе легкой резьбы 6.6.5 Цель и тон кремниевой пластины в литографической машине (метод двойной мастерской Astai, серия Nikon 6.6.6 Metale из стойки моделирования 6.6.7 Высокая компенсация выравнивания для платформы кремниевой пластины 6.6.8 Установите температурную компенсацию кремниевой таблицы кремниевой таблицы погруженной литографической машины и локального напряжения, вызванного адсорбцией кремниевой пластины 6.6.9 Компенсация коэффициента искажений K18 нагретого моделью 6.6.10 Способ фокального расстояния и рассеянной компенсации нагретой линзы 6.6.11 Метод расчета производственных мощностей Введение Метод Введение Метод Введение 6.6.12 Некоторые датчики в оптическом карвиге 6.7 Структура системы освещения и функция оптической резьбы 6.7.1 Система освещения для фиксированной апертуры, системы освещения с переменным освещением (масштаб Acemai может быть увеличенным 6.7.2 Не -судоходство, однородность и стабильность освещения света 6.7.3 Система поляризованного освещения 6.7.4 Пользовательская система освещения (Flexray of Astma) 6.8 Использование и обслуживание световой вырезанной машины 6.8.1 Обычные элементы проверки оптической гравированной машины (калибровка фокусного расстояния, калибровка установки, калибровка системы освещения, 6.8.2 Сопоставление множества резьбы с несколькими световыми резьбами (стандарты) 6.8.3 Сопоставление освещения нескольких резьб для света 6.8.4 Сопоставление фокусного расстояния нескольких резьбных резьб 6.8.5 Функция базового обслуживания световой резьбы Astri Light 6.9 Функция удлинения световой вырезанной машины 6.9.1 Компенсация за единообразие воздействия 6.9.2 Компенсация за распределение гравюры 6.9.3 Оптическая резьба Astri на основе точного выравнивания датчиков давления воздуха 6.9.4 Специальная обработка края кремниевой сетки 6.9.5 Специальная обработка края кремниевой пленки 6.10193NM Характеристики резьбы погружения света 6.10.1 водонепроницаемые наклейки 6.10.2 Погружение без головы (капюшон) 6.1113.5 нм. Характеристики чрезвычайно ультрафиолетового выреза 6.11.1 Источник лазерного возбуждения плазменного света 6.11.2 Система освещения, индивидуальная система освещения 6.11.3 Модели полного отражения и проекционные зеркала 6.11.4 Проективное зеркало дизайн диафрагмы высокого значения: x -направление и y направление гермонарной скорости разные Мыслительные вопросы Цитирование Глава 7 Пекарня Glores Glores 7.1 Основные компоненты железнодорожной машины (клейкая машина, горячая пластина, камера дисплея) и функция 7.1.1 Подсистема труб 7.1.2 Система тепловой платы 7.1.3 отображать систему OBTO 7.2 Тип контейнера (Nowpak и стеклянная бутылка), конвейерная труба и конвейерный насос 7.3 Устройство промывки после разработки (усовершенствованные дефекты, содержащие азотные форсунки, удаляют оборудование для промывки АДР) 7.4 Различные фильтры, используемые в оборудовании легкой резьбы Мыслительные вопросы Цитирование Глава 8 Оборудование измерения для световой резьбы 8.1 Сканирование ширины линии 8.2 Программа измерения электронного микроскопа ширины линии и метод измерения 8.3 Расчет и регулировка широкого сканирования электронного микроскопа с широким сканированием 8.4 8.5 Установите программу измерения и метод измерения микроскопа 8.6 Метод ошибки и устранения введения оборудования для микроскопа и его метода устранения 8.7 Принципы обнаружения гравировки на основе дифракции 8.8 Дизайн установленного знака красоты 8.9 Принцип широкого измерения оптических линий 8.10 Принцип оборудования для инспекции погибших Мыслительные вопросы Цитирование Глава 9 9.1 Типы световой модели 9.2 Производство легких масок 9.2.1 Обработка данных модели с покрытием 9.2.2 Экспозиция модели с покрытием травление 9.2.3 Обнаружение ширины модели, гравировки и дефекта 9.2.4 Ремонт модели модели 9.3 Проблемы в производственном процессе легкой маски 9.3.1. Сторонний метод воздействия и компенсации воздействия электронного пакета модели 9.3.2 Другие проблемы воздействия электронного луча (атомизация, легкий клей, тепло и т. Д.) 9.4 Справочные требования к легкой однородности линии световой маски в разных технических узлах 9.4.1 Требования к ширине и однородности модели каждого технического узла 9.4.2 Измеренная графическая тип ширины линии 9.5 Другая информация о производственном и обнаруженном оборудовании световых масок 9.5.1 Электронный пучок различные методы сканирования и его преимущества и недостатки введение 9.5.2 Электронное оружие, используемое электронным выдержением луча 9.5.3. Введение и последний прогресс мультиэлектронного луча Мыслительные вопросы Цитирование ГЛАВА 10 ПАРАМЕТРЫ СОЗДАНИЯ СРЕДА И РАЗДЕЛ 10.1. Экспозиция адекватности энергии, обратное изображение световое световое 10.2 Глубина фокуса 10.3 Коэффициент ошибки модели 10.4. 10.5 Оптический клей внешний вид Мыслительные вопросы Цитирование Глава 11 Моделирование легких ремесел 11.1 Алгоритм рефлексивного моделирования 11.2 Алгоритм сравнения алгоритма 11.2.1 Алгоритм моделирования системы Афины и алгоритм моделирования системы Nikon FIA 11.2.2 Сравнение двух алгоритмов и экспериментов 11.3 Параметры моделирования изображения пространства световой резьбы. 11.4 ОДИН -Алгоритм моделирования аббатства 11,5 Двухмерный алгоритм моделирования Аббера 11.6 Алгоритм пространственного изображения на основе перекрестного перекрестного перехода 11.7 Рассмотрим вектор 11.8 Вычисление поляризации 11.9 Расчет 11.10 Джонс Матрица 11.11 Алгоритм домена времени конечный элемент 11.11.1 Коррекция функции маски, вызванной трехмерным рассеянием формы 11.11.2 Maxwell Formula Group 11.11.3 YYEE CLEARS 11.11.4 Maxwell Formula Group Discrete 11.11.5 Второе -граничное условие поглощения заказа 11.11.6 Полностью соответствующие граничные условия слоя 11.11.7 Металлическая диэлектрическая постоянная, чтобы избежать дивергенции 11.11.8 Эффект трехмерного рассеяния модели крышки: одна -одномерные линии/канавки 11.11.9 Эффект трехмерного рассеяния модели крышки: двухмерная линейная концом/отверстие 11.12 Алгоритм строгой волны связывания 11.13 Источник света 模 Оптимизация соединения маски 11.13.1 Влияние различных условий освещения зрачка на моделирование модели 11.13.2 Источник света перекрестной графики Пример оптимизации соединения при покрытии формы 11.14 Модель демонстрации световой демонстрации клей 11.14.1 Пороговая модель общих фотохимических химических реакций жевательной резинки химических реакций 11.14.2 Улучшенная модель интегрированного параметра 11.14.3 Список эквивалентной диффузионной длины фоторезистской адгезивной кислоты на разных технических узлах 11.14.4 модели функции негативного теневого света -engragrav 11.14.5 Физическая модель теневого света клей 11.15 Алгоритм моделирования гравировки подсветки 11.15.1 Идея резьбы подсветки 11.15.2 Основной алгоритм резьбы подсветки 11.15.3 Основные проблемы, с которыми сталкиваются резьба подсветки 11.16 Другие алгоритмы моделирования Мыслительные вопросы Цитирование Глава 12 Коррекция оптических расширенных эффектов 12.1 Оптический смежный эффект 12.1.1 Модуляция и трансферная функция 12.1.2 Запрещенный цикл 12.1.3 Анализ иконы оптических смежных эффектов (одна -линия/канавка) 12.1.4. Влияние освещения из угла оси и диффузионной длины фотографий на соседний эффект 12.1.5 Оптические соседние эффекты онлайн -конца -END End, Line -end Структура горизонтальной линии 12.2 Дальнейшее обсуждение оптических соседних эффектов: плотная графика и изолированная графика 12.3 Результаты расчета теории и моделирования связанной длины 12.4 Методы простых оптических соседних эффектов на основе правил 12.5 Модель оптическая соседняя соседняя коррекция эффекта Статуя пространства Статуя пространства Упрощение расчета 12.5.1 Кобб коэффициента скрещивания передачи TCC 12.5.2 Странное значение Ямазои разложения коэффициента скрещивания передачи TCC TCC 12.5.3 Коэффициент передачи, содержащий векторную информацию 12.5.4. Многосторонняя графика для покрытия шаблонов на основе разложения края 12.5.5 Региональный метод разложения (метод DDM) расчета трехмерного эффекта (метод DDM) 12.6 Оптическое соседнее соседняя коррекция эффекта на основе модели: моделирование 12.6.1 Математическое выражение и важные параметры модели 12.6.2 Графический тип, используемый при моделировании 12.6.3 Аналогично моделированию OPC передней линии логической схемы передней части кондитерской схемы 20 нм 12.6.4 Характеристики моделирования OPC, аналогичные средним и задним отверстиям 20 -нм логической цепи 12.6.5 Характеристики моделирования OPC, аналогичные слою задней канавки 20 -нм логической цепи 12.7 Оптическая соседняя поправка на основе модели: программа коррекции 12.8 Добавлена вспомогательная графика в оптических соседних эффектах 12.8.1. 12.8.2. Добавление на основе модели 12.9 Оптическая соседняя поправка на основе модели: анализ слабых точек и удаление 12.9.1 Анализ и решение слабостей: Пример 1 (поиск и восстановление проблем ширины линии) 12.9.2 Анализ и решение слабостей: Пример 2 (поиск и восстановление проблем ширины линии) Мыслительные вопросы Цитирование Глава 13 13.1 Фон вырезанного процесса погружения света 13.2 Характеристики проекционных зеркал, используемые в резьбе погружения света 13.3 Увеличение разрешения погружного фотохимического процесса 13.4 Окно процесса процесса погружения фотохимического процесса 13.5. 13.5.1 Двойная таблица 13.5.2 Кремниевая пленка платформа измерения и управления платой платы плоскости. 13.5.3 Система выравнивания источника ультрафиолетового света 13.5.4 Pixel Custom Lighting System (гибкая система освещения) 13.6 Оптический клей для фотохимического процесса погружения 13.6.1 Начальное верхнее водяное покрытие 13.6.2 Self -разделенная литография жевательная резинка 13.6.3. 13.7 Оптическая мембранная структура погружения фотохимического процесса 13.8 Дефекты, уникальные для погружного фотохимического процесса 13.9 13.10 Технология вспомогательного процесса погружного света -оборота 13.10.1 Использование нескольких технологий визуализации 13.10.2 Негативная теневая технология 13.11 Установление 13.11.1 Общий процесс, разработанный литографическим процессом 13.11.2 Исследование и подтверждение правил целевого проектирования 13.11.3 На основе правил проектирования, выбора начальных источников света и типа скрытия шаблона с помощью симуляции 13.11.4 Выбор световых материалов Мыслительные вопросы Цитирование Глава 14 Дефекты резного мастерства 14.1 Дефект процесса роторного покрытия 14.1.1 Связанные дефекты процесса обработки поверхностной гидрофобной обработки. 14.1.2. Дефект вращения сгенерированного света. 14.1.3 Дефекты, связанные с процессом промывки 14.2 Дефекты процесса отображения 14.2.1 Влияние материальных характеристик на дефект внешнего вида 14.2.2 Влияние характеристик аппаратного характеристик модуля разработки на дефект тени 14.2.3 Связь между характеристиками и дефектами процесса очистки 14.3 Другие типы дефектов (передний слой и окружающая среда и т. Д.) 14.3.1 Химическое увеличение света и клея&Ldquo; отравление” явление 14.3.2 не -химический увеличенный световой клей&Ldquo; отравление” явление 14.4 Нежить световой роскошной дефект процесса 14.4.1 Самая ранняя запатентованная структура схема погружений в свет. 14.4.2. 14.4.3 Удалите метод погружения без дефектов над светом Мыслительные вопросы Цитирование Глава 15 Контроль ширины и улучшение процесса гравировки света 15.1 Определение ширины оптической линии 15.2 Метод расчета ширины оптической линии 15.2.1. 15.2.2 Единообразие ширины в поле экспозиции 15.3 Метод улучшения ширины оптической линии 15.3.1 партия 之 увеличивается между партиями партий 15.3.2 Улучшение внутренней единообразии ширины внутренней линии 15.3.3 Улучшение формы ширины кремниевой таблетки 15.3.4 Улучшение ширины и однородности внутренней линии поля воздействия 15.3.5 Улучшение широкой однородности локальной сети 15.4 Ширина ширины линии и метод улучшения введение 15.4.1. Улучшить контраст изображения пространства 15.4.2. Увеличение полноты фотохимических реакций фоторезии 15.4.3 Выбор скрытого шаблона смещения точки привязки 15.4.4 Полнота выпечки после воздействия 15.4.5 Выберите фотохимический клей с сильной анти -чаевой способностью Мыслительные вопросы Цитирование Глава 16 Устройство управления и улучшение технологии выращивания световой гравировки 16.1 Принципы и параметры управления гравировкой 16.2 Проектирование и размещение гравюрных знаков 16.2.1 Типы гравюры (история, сейчас) 16.2.2 Установите метод размещения отметки гравировки (канал резки, внутри чипа) 16.3 Факторы, влияющие на точность набора 16.3.1 дрейф оборудования 16.3.2 Проектирование и размещение гравюрных знаков 16.3.3 Влияние субстрата 16.3.4 Влияние остатка химического механизма плоских абразивных измельчающих материалов 16.3.5 Процесс процесса захвата и тепла может быть деформирован знаками лапши 16.3.6 Влияние ошибки размещения ландшафта на настройку макета формы 16.3.7 Ошибка ширины версии линии верхнего и нижнего слоя сжимается резьбой 16.3.8, покрывая шаблон, который может вызвать отклонение отложений нагрева 16.3.9 Компенсация за отклонение на высоком уровне.—— 16.3.10 Установите пример разложения источника ошибки 16.4 Набор отношений гравировки/выравнивания дерева 16.4.1 Источник и метод улучшения косвенной ошибки 16.4.2. 16.4.3 Установить обратную связь и обратную связь 16.4.4 Гибридный набор измерений и обратной связи Мыслительные вопросы Цитирование Глава 17 Шероховатость/шероховатость ширины края линии 17.1 Грорость края линии/шероховатость ширины линии введение 17.2 МЕТОД АНАЛИЗА ДАННЫХ ГОРОДНОЙ РЕКИ/ширины линии. 17.3 Факторы, влияющие на шероховатость края линии/ширина линии 17.4 Метод улучшения шероховатости края линии/Ширина линии 17.5 Резюме Мыслительные вопросы Цитирование ГЛАВА 18 Многографная технология 18.1 Фон 18.2 Метод световой экспертизы, метод световой аварийной эстрабильности 18.3 Сплит метод графики—— 18.3.1 Треугольник противоречие 18.3.2 Диапазон приложений 18.4 Самоуд 18.4.1 Преимущества и недостатки 18.4.2 Диапазон приложений 18.5 набор стратегий и принципов 18.6 Расчет и распределение формы ширины линии Мыслительные вопросы Цитирование Глава 19 Следующее поколение технологии фотоксуара 19.1 Краткая история развития технологии полярного ультрафиолетового света. 19.2 Разница между полярным ультрафиолетовым светом и 193 -нм погружением света 19.2.1 Сходства и различия в оборудовании для легочной резьбы 19.2.2 Сходства и различия в световой резьбе 19.2.3 Сходства и простота модели 19.2.4 Моделирование резного суда света 19.2.5 простота оптических соседних эффектов 19.3 Прогресс необычайной УФ -технологии 19.3.1 Прогресс источника света 19.3.2 Статус -кво литографического клея 19.3.3 Прогресс защитного фильма модели с покрытием 19.3.4 Поставка оловов и прогресс системы циркуляции 19.4 -Guide Self -сборка DSA Техническое введение 19.4.1 Принципы введение 19.4.2 Тип: расширение типа физического ограничения, расширение типа химической поверхности 19.4.3 Источник и улучшение дефектов 19.4.4 Введение в процесс графического проектирования 19,5 нано -дальновидные технологии введение 19.6 Введение в технологию Electronic Beam Direct Writing Мыслительные вопросы Цитирование Глава 20 Light Carring Technology Outlook 20.1 Некоторые перспективы для дальнейшего развития технологии легкой резьбы. 20.2 Разработка оптической резьбы будет способствовать развитию связанных технологий в моей стране
Приложение B Процесс обработки крана для вырезания Профессиональный словарный индекс |
 |
Полупроводниковая интегрированная технология схемы стала важной частью развития информационных технологий моей страны.Хотя импульс развития интегрированной индустрии в моей стране в последние годы очень быстрый, ему все равно не хватает ключевых технологий. Особенно ключевое оборудование, такое как оптические машины, оптическое оборудование для обнаружения, клеевые душевые душевые, сканирующие электронные микроскопы и установка измерения микроскопов, оборудование для обнаружения дефектов, тип погружения с высоким уровнем 193 нм. Оптический клей, антирефлятный слой, решение для разработки с высоким содержанием и т. Д.;Поскольку иностранные поставщики экспортируют в мою страну Ограничения и различные элементы управления, фоторезистским инженерам моей страны трудно сравнить принципы проектирования и структуры оборудования и материалов из работы. И резюме.В то же время, производители исследований и разработок в области программного обеспечения моей страны не испытывали большого спроса на современную фотобласную технологию. Следует надеяться, что благодаря этой книге исследование и разработка фотоколинг в производстве промышленных чипов, а также исследования и разработки внутреннего оптического оборудования, материалов, программного обеспечения для вычислительных средств и науки колледжей и научных исследовательских институтов Мост технических исследований, чтобы привлечь нефрит, способствовать взаимопониманию и тесному сотрудничеству различных внутренних подразделений и в то же время способствовать выращиванию научных и технологических талантов перекрестия, чтобы быть как можно скорее Моя страна может быть как можно скорее С точки зрения общей технологии легкой резьбы, мы догнали развитые страны, избавились от ситуации, когда ключевые технологии долгое время полагаются на импорт и разрешают высокое развитие.&Ldquo; шея карт&Огромный риск RDQUO; Устойчиво и здорово развивает силу. , Проводной сканирующий электронный микроскоп, измерение гравировки микроскопа, оборудование для обнаружения дефектов, другое измерительное оборудование и новейшая чрезвычайно ультрафиолетовая экспозиция.В то же время, для легких резьб, таких как литографический клей, А в -глубиневом анализе антиреллеторного слоя.Кроме того, подробный вывод и анализ легкого программного обеспечения для моделирования и оптических алгоритмов программного обеспечения для коррекции соседних эффектов.Суммируйте международную оптическую технологию в прошлом В то же время по мере разработки НИОКР и разработки технологий, в нем также предложили эффективные стандарты улучшения для разработки и оценки процесса технологии фотокализма, включая анализ и лучший диапазон различных параметров окна процесса Настройки также предлагают уникальные методы проектирования и оценки процесса.Читатели этой книги предполагают, что учителя и учащиеся из соответствующих специальностей, таких как микроэлектроника, интегрированные схемы и другие колледжи и университеты, а также научные исследования Инженерный и технический персонал оптической резьбы и производства учреждения и интегрированного округа, а также персонал R & D внутреннего оптического оборудования, материалов и программного обеспечения. Сущность 193NM погруженный световой клей и полярное ультрафиолетовое световое клея сделали подробный анализ и обсуждение. Принципы и функции, а также дополнительные функции измерения и управления, а также различные приложения для производства оптических машин и их влияние на фоторезиста.Он также включает в себя структуру и анализ производительности зеркала погружения 193 нм. Введение в проекционное зеркало и источник света чрезвычайно ультрафиолетовой литографической машины, принцип и структурный анализ погружной головки, используемой в 193 -нм погружении, а также ежедневное обслуживание и сопоставление литографической машины.Верно Связь между объективом камеры и световой резной линзой, а также теоретическими методами таблиц аберрации и устранения. Глава 7 Структура и функция клея 第 第 (железнодорожная машина).В частности, уникальная для резьбы по погружению в 193 нм и важных расходных материалах фоторезистского процесса, таких как Принцип и требования к производительности фильтра введены подробно. Электронная визуализация, используемая электронным микроскопом, сделала специальное введение. ждать.Анализ и обсуждение принципов и структуры усовершенствованных машин для экспозиции электронного луча переменной -принципы и структуры мультиэлектронного букета прямо -транс -мартинга -электронного луча и различные соединения электронных пучков Метод компенсации процесса открытого оборудования. Источник источника источника объединяется с оптимизацией, воздействием воздействия на свет, обгровненного клея, и метода резкостей с подсветкой и анализирует алгоритм основного моделирования процесса. Вывод формулы формулы, введение вектора и введение трехмерного рассеяния версии плесени и т. Д. Также показывает, что моделирование, коррекция и слабость оптических соседних эффектов также объясняются. Закон. Цитата и схема измерения пакетов. Помощь в процессе травления. Метод управления. Индия и мультиэлектронная технология прямой записи луча. Написанный Ху Хуайоном и Ву Цян; Компания Qiang; К моменту Changchun guoke Precision Optics Co., Ltd. Профессор Ян Хуайцзян команды Sui Yongxin и другие учителя оказали важную помощь в описании проекционного зеркала и системы освещения.Это помогает улучшить книгу Профессиональный уровень книги состоит в том, чтобы выразить мое искреннее спасибо учителю здесь.В то же время эта книга получила сильную поддержку от редактора Wenyi и его команды издательства Университета Цинхуа во время производственного процесса. Без их тяжелой работы не будет успешной публикации этой книги.Здесь я хотел бы выразить искреннюю благодарность товарищам издательства!В процессе публикации этой книги она также была интегрирована в мою страну Многие друзья и товарищи в окружной индустрии имеют сильную поддержку, и автор этой книги также благодаря им! |
Официальный флагманский магазин Университета Цинхуа