Dangdang.com Углубленное понимание проектирования микроэлектронных схем - Принципы и применение электронных компонентов (5-е издание оригинальной книги) Подлинная книга General Industrial Technology Tsinghua University Press
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Содержание этой книги является всеобъемлющим, в том числе как электронные, связанные с основными концепциями, так и методами анализа, а также производительность, связанные с электронными компонентами. Интерес к обучению и просвещению читателей инноваций.Эта книга использует компьютер в качестве вспомогательных инструментов.Каждая глава содержит большое количество примеров дизайна, и каждой главе будут предоставлены специальные упражнения для дизайна, компьютерные упражнения и вопросы специй.
Первыйглава Введение в электронную
1.1 Краткая история развития электроники: от электронных ламп до гигантских интегральных схем
1.2 Классификация электронных сигналов
1.2.1 Цифровой сигнал
1.2.2 Аналоговый сигнал
1.2.3 АЦП и ЦАП——Мост между аналоговыми и цифровыми сигналами
1.3 Символ
1.4 способ решения проблемы
1.5 Ключевые понятия теории цепей
1.5.1 Разделительное давление и шунтирование
1.5.2 Теорема Тевенена и теорема Нортона.
1.6 спектр электронных сигналов
1.7 усилитель
1.7.1 идеальный операционный усилитель
1.7.2 Частотная реакция усилителя
1.8 Изменение значений параметров компонентов при проектировании схем
1.8.1 Математическая модель толерантности
1.8.2 Плохой анализ ситуации
1.8.3 Анализ Монте-Карло
1.8.4 Температурный коэффициент
1.9 Числовая точность
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
2-йглава Твердый электронный
2.1 твердые электронные материалы
2.2 модель ковалентной связи
2.3 Дрейфовый ток и подвижность в полупроводниках
2.3.1 Дрифтный ток
2.3.2 Скорость миграции
2.3.3 насыщение ставок
2.4 Собственное сопротивление кремния
2.5 примеси в полупроводниках
2.5.1 Донорные примеси в кремнии
2.5.2 Акцепторные примеси в кремнии
2.6 Концентрации электронов и дырок в легированных полупроводниках
2.6.1 материал n-типа
2.6.2 материал p-типа
2.7 Мобильность и удельное сопротивление легированных полупроводников.
2.8 Диффузионный ток
2.9 Общий ток
2.10 модель группы
2.10.1 Генерация электронно-дырочных пар в собственных полупроводниках
2.10.2 Энергетическая зонная модель легированных полупроводников.
2.10.3 Компенсационный полупроводник
2.11 Обзор производства интегральных схем
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
Третийглава Твердый диод и диодную схему
3.1 PN Knot Diode
3.1.1 электростатика pn-перехода
3.1.2 внутренний ток диода
3.2 IV Характеристики диодов
3.3 Диодное уравнение: математическая модель диодов
3.4 Характеристики диода при обратном, нулевом и прямом смещении
3.4.1 Противоположный
3.4.2 Нуль
3.4.3 Положительный
3.5 Температурный коэффициент диода
3.6 Диод с обратным смещением
3.6.1 Фактический ток насыщения диода
3.6.2 Обратный срыв
3.6.3 Диодная модель области пробоя
3.7 емкость pn-перехода
3.7.1 Противоположный
3.7.2 Положительный
3.8 Шоттские диоды
3.9 Модель SPICE и схема диода
3.10 Анализ диодной цепи
3.10.1 анализ линии нагрузки
3.10.2 Метод анализа математической модели диода
3.10.3 идеальная модель диода
3.10.4 модель постоянного падения напряжения
3.10.5 Сравнение и обсуждение моделей
3.11 многодиодная схема
3.12 Анализ диодной зоны пробоя
3.12.1 Анализ линии нагрузки
3.12.2 Кусочно-линейный анализ модели
3.12.3 Стабилизатор
3.12.4 Анализ схемы, включая стабилитроны
3.12.5 Регулирование линии и регулирование нагрузки
3.13 Схема выпрямителя наполовину
3.13.1 Полупериодный выпрямитель с нагрузочным резистором
3.13.2 Выпрямители фильтровали конденсатор
3.13.3 Полуволновой выпрямитель с RC-нагрузкой
3.13.4 Пульсации напряжения и период проводимости
3.13.5 Диодный ток
3.13.6 импульсный ток
3.13.7 Номинальное пиковое обратное напряжение
3.13.8 Диодное энергопотребление
3.13.9 Полупериодный выпрямитель с отрицательным выходным напряжением
3.14 Схема двухполупериодного выпрямителя
3.15 Полноволновой мостовой выпрямитель
3.16 Сравнение выпрямителей и компромиссный проект
3.17 Динамическое переключение диодов
3.18 Фотодиоды, солнечные элементы и светодиоды
3.18.1 Фотодиоды и детекторы света
3.18.2 Солнечная батарея
3.18.3 светоизлучающий диод
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
Расширенное чтение
упражнение
Четвертыйглава Полевая трубка
4.1 Характеристики МОП-конденсатора
4.1.1 зона накопления
4.1.2 Истощение
4.1.3 область инверсии
4.2 НМОП-транзистор
4.2.1 Качественное описание ВАХ NMOS-транзисторов.
4.2.2 Характеристики линейной области NMOS-транзисторов
4.2.3 Сопротивление высоты тона
4.2.4 Крест -Гиданс
4.2.5 Насыщение ВАХ
4.2.6 Математическая модель зоны насыщения (отсечения)
4.2.7 Насыщенная крутизна
4.2.8 модуляция длины канала
4.2.9 Передаточные характеристики и режим обеднения MOSFET
4.2.10 Эффект тела или чувствительность к субстрату
4.3 ПМОП-транзистор
4.4 Модель схемы МОП-транзистора
4.5 МОП-транзисторный конденсатор
4.5.1 Емкость линейной области NMOS-транзистора
4.5.2 емкость области насыщения
4.5.3 Емкость области отсечки
4.6 Моделирование MOSFET в SPICE
4.7 Масштабирование МОП-транзисторов
4.7.1 Дренажный ток
4.7.2 Емкость затвора
4.7.3 Плотность тока и мощности
4.7.4 продукт задержки энергопотребления
4.7.5 Частота отсечения
4.7.6 Большое ограничение электрического поля
4.7.7 Унифицированная модель МОП-транзистора, включая ограничения сильного поля
4.7.8 подпороговая проводимость
4.8 Технологический процесс изготовления и правила компоновки МОП-транзисторов.
4.8.1 Небольшой размер элемента и допуск на выравнивание
4.8.2 Схема МОП-транзистора
4.9 Смещение полевого NMOS-транзистора
4.9.1 Зачем нужен офсет
4.9.2 Смещение четырех резисторов
4.9.3 Постоянное смещение напряжения затвор-исток
4.9.4 Графический анализ точки Q
4.9.5 Анализ эффектов включения
4.9.6 Анализируйте с помощью единой модели
4.10 Смещение полевых транзисторов PMOS
4.11 Джиксианская полевая трубка
4.11.1 JFET под смещением
4.11.2 Канал JFET под смещением сток-исток
4.11.3 ВАХ n-канального JEFT
4.11.4 p-канальный JFET
4.11.5 Краткое описание условных обозначений и моделей JFET
4.11.6 JFET конденсатор
4.12 SPICE-модель JFET
4.13 Смещение JFET и МОП-транзисторы в режиме истощения
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
5-е местоглава Биполярный транзистор
5.1 Физическая структура биполярного транзистора
5.2 Модель передачи npn-транзистора
5.2.1 положительные характеристики
5.2.2 обратные функции
5.2.3 Уравнение модели передачи транзистора в условиях произвольного смещения
5.3 PNP Crystal Tube
5.4 Эквивалентная схема модели транзисторной передачи
5.5 IV характеристики биполярных транзисторов
5.5.1 Выходные характеристики
5.5.2 Характеристики передачи
5.6 Рабочая зона биполярного транзистора
5.7 Упрощение модели трансмиссии
5.7.1 Упрощенная модель области отсечения
5.7.2 Упрощение модели прямой активной области
5.7.3 Диоды в биполярных интегральных схемах
5.7.4 Упрощенная модель обратной активной области
5.7.5 модель насыщенной зоны
5.8 Неидеальные характеристики биполярных транзисторов
5.8.1 напряжение пробоя перехода
5.8.2 Транспорт второстепенных перевозчиков в базовом регионе
5.8.3 Базовое время передачи
5.8.4 Диффузионная емкость
5.8.5 Зависимость коэффициента усиления прямотока от частоты
5.8.6 Ранний эффект и раннее напряжение
5.8.7 Моделирование раннего эффекта
5.8.8 Причины раннего эффекта
5.9 Крест -Гиданс
5.10 Биполярный процесс и модель SPICE
5.10.1 количественное описание
5.10.2 Уравнения модели SPICE
5.10.3 Высокопроизводительный биполярный транзистор
5.11 Практическая схема смещения для BJT
5.11.1 Смещение четырех резисторов
5.11.2 Цели проектирования схемы смещения с четырьмя резисторами
5.11.3 Итерационный анализ схемы смещения с четырьмя резисторами
5.12 Допуск цепи смещения
5.12.1 анализ плохого случая
5.12.2 Анализ Монте-Карло
Резюме
Ключевые слова
Рекомендации
упражнение
ПриложениеСтандартное значение дискретного компонента
A.1 сопротивление
A.2 емкость
A.3 индуктивность
Приложение БМодель с твердым устройством и специяПараметр моделирования
B.1 PN Knot Diode
B.2 Полевая трубка MOS
B.3 Джиксианская полевая трубка
B.4 Биполярный транзистор
Приложение СДва обзора портов
C.1 gпараметр
C.2 гибридные параметры или параметры h
C.3 Параметр адмиттанса и параметр y
C.4 Параметр импеданса или параметр z
......В этой книге систематически обсуждаются основные знания и применение основных цепей электронных компонентов.Начиная с основных принципов электроники, основных концепций, таких как основные принципы давления и диверсии, теорема Дэвида Юга и усилитель, вводили основные концепции компонентов и анализ различий в компонентах и обычно используемых в конструкции схемы, схемы, схема, схема, схема, схема, схема, схема, схема, схема, схема Монте -Карло, Монте -Карло Основные методы анализа, такие как анализ, подробно вводятся характеристики полупроводникового материала, диодную синхронизацию PN, модель диодной специи, схема выпрямителя, полевой трубки и характеристики биполярных транзисторов и анализа специй.Эта книга определяет очень четкий метод решения проблем с точки зрения проектного решения.Благодаря изучению этой книги читатели могут полностью понять концепции и знания электронных компонентов и их цепей и могут изучить соответствующие методы анализа схемы и разработки схемы.Эта книга может быть использована в качестве профессионального учебника или справочника в качестве студента или аспиранта в области электронной информации, электрических специальностей или в качестве справочника. Устройства, цифровые схемы и моделирование.
[MEI] Ричард·C. Jaeger: PhD в области электротехники в Университете Флориды, США, старший профессор кафедры электрической и компьютерной инженерии в Университете Оберна. Сплошные схемы, устройства и электроника.
[美] Tellaves·Трэвис Н. Блалок: профессор электрической и компьютерной инженерии, Университет Вирджинии, США.
