Моделирование FINFET для интегрированного моделирования и проектирования схемы основано на стандарте BSIM-CMG [Индия] Йогеш Сингх Чаухан [Китай] 9787111659815
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация
Название книги: моделирование FINFET для интегрированного моделирования и дизайна?
Цена: 99 юаней
Автор: [Индия] Йогеш Сингх Чаухан [Китай]
Пресса: Machinery Industry Press
Дата публикации: 2020-09-01
ISBN: 9787111659815
Количество слов:
Номер страницы:
Версия:
Переплет: в мягкой обложке, идеальный переплет.
Открыто: 16
Товарный вес:
Оглавление
Переводчик<>Предисловие<>Глава FINFET—— от концепции устройства до<>Стандартная компактная модель 1<>1121 Century Mosfet<>Причина 1<>12 Тонкая теория мосфета тела 3<>13finfet и новый MOSFET Zoom<>Путь 3<>1 4 Ультра -типичный эффект тела Транзистор 4<>15finfet Compact Model—&MDASH; процесс FINFET<>Мост со встроенной цепи 5<>1.6 Стандартная компактная модель BSIM<>Упрощенная история 6<>17 модель основной модели и фактическая модель устройства 7<>18 FINFET, который соответствует отраслевым стандартам<>Компактная модель 9<>Ссылки 10<>Глава 2 на основе моделирования и радиочастотных приложений<>Компактная модель 11<>21 Обзор 11<>22 Важные индикаторы компактной модели 12<>23 Индекс схемы моделирования 12<>23 静 1 Статическая рабочая точка 12<>232 Геометрический размер Zoom 16<>233 переменная модель 17<>234.<>23 速 5 Скорость: Частота усиления единицы 24<>23 噪 6 шум 27<>237 Линейность и симметрия 28<>238 Симметрия 35<>24 Индикатор радиочастотной цепи 36<>241 два параметра порта 36<>24 速 2 скорости спроса 38<>243 НЕ -Статическая модель 46<>24 噪 4 шум 47<>245 Линейность 53<>25 Резюме 57<>Ссылки 57<>Глава 3 Finfet Core Model 59<>31 Основная модель FINFET 60<>32 Unified Finfet Compact Model 67<>Глава 3 Приложение Подробное электрическое импульс Surface Electric<>Модель 72<>3A 启 1 непрерывная функция запуска 73<>3A 正 2 Итерация четырех поправок: реализация и наследие<>Оценка 75<>Ссылка 80<>Глава 4 Tuer Current и Faction Devices<>Эффект 83<>41 Обзор 83<>42 Пороговое напряжение.<>43 субтророговой дегенерация наклона 89<>44 VTH коррекция в квантовой механике 90<>45 Деградация скорости миграции вертикального поля 91<>46 Discovery напряжение VDSAT92<>461 не -Этот пример (rdsmod =<>1 и 2) 92<>462 Пример (rdsmod = 0) 94<>47 Модель насыщения скорости 97<>48 Квантовый эффект 98<>481 модель эффективной ширины 99<>482 Эффективная толщина окисляющего слоя/эффективная<>Конденсатор 101<>483 Совокупный расчет заряда 101<>49 Модель горизонтальной неравномерной смешивания 102 102<>410 модель эффекта тела Finfet<>(Bulkmod = 1) 102<>411 модель выходного сопротивления 102<>411 1 Модуляция длины турора 103<>411 2 утечки, чтобы уменьшить потенциал и уменьшить 105<>412 Cannel Curange 106<>Ссылки 106<>ГЛАВА 5 Утечка ток 108<>51 Слабое отражающее ток 109<>52 сетка вызвала утечку источника и утечку сетки<>Утечка 110<>521BSIM-CMG CAVAL вызвала утечку слива<>Утечка/сетка вызвала исходную полюсной полюс формулы 112<>53 Туннель полярного окисления полярного полярного окисления через 113<>Галерея кислород в 531bsim-cmg<>Гилированный туннельный пирсинг формула 113<>532 в исчерпывающей области и отражающей зоне<>Туннельный пропуск галереи Туннель Ток 114<>533 Туннель галереи<>Носить ток 115<>534 Туннель галереи-диггера в отражателе<>Пирс ток 117<>53 栅 5 галерея-источник/полностью туннельный проход 118<>54 Collision Electrical 9 119<>Ссылки 120<>Глава 6 заряды, конденсаторы и не -квази -статический статический<>Эффект 121<>61 Терминальный заряд 121<>61 栅 1 заряд сетки 121<>61 漏 2 Обеспеченное заряд 123<>61 源 3 исходного полюса заряда 124<>62 Cross -Joint 124<>63 Модель 126 не -квази -статический эффект 126<>63 弛 1 Время релаксации Приблизительно модель 126<>63 沟 2 -индуцированная сетка Тунан<>Модель 128<>633 модель сегмента заряда 128<>Ссылки 132<>Глава 7 Паразитарное сопротивление и емкость 133<>71FINFET Структура и символ устройства<>Определение 134<>72FINFET связан с геометрическим размером<>Источник/директор модель строительства 137<>721 Контактное сопротивление 137<>72 扩 2 диффузионная сопротивление 139<>72 扩 3 Утилизация удлинения 142<>73 Проверка модели паразитического сопротивления 143<>731TCAD Настройки моделирования 144<>73 器 2 Оптимизация устройства 145<>73 源 3 Источник/Fulia Extract 146<>73 讨 4 Обсуждение 150<>74 Применение модели паразитического сопротивления рассмотрим 151<>741 Физические параметры 152<>742 Компонент сопротивления 152<>75 Модель сопротивления полюса 153<>76FINFET Паразитарный конденсатор модель 153<>76 寄 1 компонент паразитной емкости<>Контакт 153<>762 Переваривание двухмерных краев -конденсаторов 154<>77 Finfet Edge емкость в трехмерной структуре<>Моделирование: CGEOMOD = 2160<>78 Проверка модели паразитического конденсатора 161<>79 Резюме 165<>Ссылка 166<>Глава 8 Шум 168<>81 Обзор 168<>82 тепловой шум 168<>83 Flash Noise 170<>84 Другие компоненты шума 173<>85 Резюме 174<>Ссылки 174<>Глава 9 Диоды I-V и C-V<>Модель 175<>91 Модель джиекси -диода 176<>911 Модель обратного преимущества 179<>92 Зарядка диода/конденсатор модель 181<>921 Обратная модель 182<>922 Модель популярности 183<>Ссылки 186<>ГЛАВА 0 БИСМАРКИ ДЛЯ КОМПАНТА<>Тест 187<>101 Принципы выпускника ближе 187<>102 тест. 188<>1021 Физика слабых областей анти -типа и сильных анти -антиповых областей<>Поведенческая проверка 188<>1022 тест на симметрию 191<>1023 Взаимосвязь конденсаторов в компактных моделях<>Тест 194<>1024<>1025 Тест модели теплового шума 196<>Ссылки 196<>Глава 1 Параметры модели BSIM-CMG<>Выдержка 197<>111 Фон извлечения параметров 197<>112BSIM-CMG Извлечение параметров модели<>Стратегия 198<>113 Резюме 206<>Ссылки 206<>Глава 2 Температура 208<>121 полупроводниковые характеристики 208<>12 11 полоса содержит 208<>1212nc, VBI и VBI и&PHI; B температура<>Особенности 209<>1213 температура концентрации потока нагрузки<>Особенности 209<>122 Температурные характеристики порогового напряжения 209 209<>122 漏 1 Температура снижения потенциального барьера<>Особенности 210<>1222 Характеристики температуры эффекта тела 210<>122 亚 3 подтероговая ширина свинга 210<>123 Свойства температуры миграции 210<>124 Характеристики температуры насыщения скорости 211<>1241 Температура не насыщенного эффекта<>Особенности 211<>125 Температурные характеристики тока утечки 212<>125 栅 1 ток полюса сетки 212<>125 栅 2 Ситтробация/Утечка источника 212<>125 碰 3 Электрическая ионизация столкновения 212<>126.<>Особенности 212<>127 Источник/Прекрасная трубка Diopya 213<>1271 Модель постоянного тока 213<>1272 емкость 215<>1273 Вспомогательный проход вспомогательного туннеля.<>128.<>129 Диапазон проверки 218<>1210 Проверка модели модели 218<>Ссылки 220<>Приложение 221<>Приложение Список параметров 221<>A1 Модельный контроллер 221<>ANEVER PARATERS 222<>A3 Параметр процесса 223<>A4 Базовый параметр 224<>A5 Геометрические паразиты 235<>А.6 температурная корреляция и параметры самостоятельного выживания 236<>A -7 переменная параметр 238
Краткое содержание
С характеристиками процесса интегрированной схемы, входящих в узлы ниже 28 нм, традиционная структура плоского MOSFET больше не применима, а новая трехмерная структура кристаллической трубки (FINFET) постепенно становится важной гарантией закона Мура.Эта книга начинается с принципов и физических последствий трехмерной структуры и обсуждает фон, принципы, параметры и методы реализации, генерируемые компактной моделью Finfet (BSIM-CMG);Эта книга позволяет избежать сложных производных формул и проводила более прямой анализ механизма и стремится позволить читателям понять характеристики и использование BSIM-CMG с уровня технологий и устройства.<>Эта книга может использоваться в качестве профессионального учебника и справочника для старших студентов в микроэлектронике, твердотельной электронике, электронном информационном проектировании и т. Д. В качестве руководства для модели Finfet для инженеров для моделирования интегрированных цепей.
об авторе
Выбор редактора
В этой книге обсуждается модель BSimeFinfet (BSIME-CMG), которая соответствует промышленным стандартам.Структура транзистора FIN-FET, квантовый эффект, ток утечки, паразитные параметры, шум, тесты на контроле, процесс извлечения параметров модели и характеристики температуры были проанализированы отдельно.Устройства Finfet имеют очевидные преимущества по сравнению с традиционными плоскими транзисторами.Прежде всего, канал FINFET, как правило, легкомысленно легирован или даже не легирован, что позволяет избежать рассеяния дискретных легированных атомов.Кроме того, по сравнению с традиционными планарными CMOS, устройства FINFET имеют преимущества в подавлении подпорогового тока и тока утечки ворот.Очевидно, Finfet лучше, чем PDSOI.Более того, поскольку Finfet аналогичен технологии CMOS с точки зрения процесса, технически его проще внедрить.Таким образом, он использовался многими крупными компаниями в производстве малых ICS.