Пленка транзистор (TFT) микроэлектронная наука
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
......Каталог
Глава 1. Основные принципы тонкопленочных транзисторов 1
1.1 Основные принципы полупроводников 1
1.1.1 Проводники, изоляторы и полупроводники 1
1.1.2 Электроны и отверстия в внутренних полупроводниковых материалах 5
1.1.3 Диаграмма энергетической полосы полупроводников 6
1.1.4 Распределение носителей в полупроводниках 11
1.2 Полупроводниковые материалы 14
1.2.1 Полупроводник монокристаллический материал 15
1.2.2 Полупроводниковые поликристаллические материалы 18
1.2.3 Аморфные полупроводниковые материалы 20
1,3 полупроводникового соединения 24
1.3.1 Потенциал контакта полупроводника 24
1.3.2 Полупроводниковый диод 27
1.4 Структура между металлическим инсультативно-символом (MIS) и тонкий пленок транзистор (TFT) 34
1.4.1 Обзор структуры MIS и трехконцевых устройств MIS 34
1.4.2 Структура тонких пленочных транзисторов 36
1.4.3 Рабочий режим тонкого пленочного транзистора 42
1.4.4.
1.4.5 Характеристики устройства тонких пленочных транзисторов (Target) 54
1.4.6 Модель специй тонких пленочных транзисторов 65
1.4.7 Двойные ворота Тинноплентный транзистор 75
1.4.8 Диодное соединение тонкопленочных транзисторов 77
Ссылки 79
Глава 2 Надежность тонких пленочных транзисторов 80
2.1 Обзор надежности тонких пленочных транзисторов 80
2.2. Надежность тонкопленочного транзистора из аморфного кремния (a-Si TFT) 82
2.2.1 Влияние слабых связей 83
2.2.2 Захват заряда в слое GI 84
2.2.3 Влияние состояния интерфейса 84
2.2.4 Эффект гистерезиса кривой характеристики переноса 85
2.2.5 Компенсация на уровне устройства 87
2.3 Надежность низкотемпературных тонких пленочных транзисторов полисиликона (LTPS TFTS) 89
2.4 Надежность IGZO TFT 92
2.4.1 Влияние смещения напряжения затвора на надежность IGZO TFT 92
2.4.2 Влияние освещения на надежность IGZO TFT 94
Ссылка 98
Глава 3 Основная логическая единица тонкой пленки транзисторной цепи 99
3.1 Вторник передачи 99
3.1.1 NMOS РАССЛЕДОВАНИЕ 99
3.1.2 PMOS Transmission Gate 102
3.1.3 CMOS РАССЛЕДОВАНИЕ 103
3.2 Инвертор 104
3.2.1 Резитивная нагрузка NMOS Inverter 105
3.2.2 E/E насыщенная нагрузка NMOS Инвертор 111
3.2.3 NMOS-инвертор E/E с ненасыщенной нагрузкой 116
3.2.4 Bootstrap Inverter 117
3.2.5 Инвертор CMOS 119
3.3 Функция амплификации инвертора 127
3.3.1 Обзор 127
3.3.2 Функция амплификации инвертора резистивной нагрузки (усилитель резитивной нагрузки общего источника) 127
3.3.3 Функция амплификации инвертора насыщенной нагрузки E/E (диодная нагрузка на нагрузку общего источника) 129
3.3.4 Функция амплификации инвертора CMOS (усилитель удара) 129
3.4 серии и параллельные характеристики TFT 130
3.4.1 Характеристики серии TFT 130
3.4.2 Параллельные характеристики TFT 132
3.5 Статическое логическое затвор ТФТ 133
3.5.1 Логический элемент И-НЕ 134
3.5.2 TFT и GATE 139
3.5.3 TFT-НЕ-воротник 143
3.5.4 TFT или GATE 149
Ссылка 153
ГЛАВА 4 ТУННАЯ ПЕРЕВОДНАЯ ТВСИОННАЯ Блок 154
4.1 RS Trigger 154
4.1.1 Базовый RS-триггер, состоящий из логического элемента И-НЕ 154
4.1.2 Базовый RS-триггер, состоящий из логического элемента ИЛИ-НЕ 160
4.2 Clock-контролируемый RS Trigger 164
4.2.1 Тактовый RS-триггер, состоящий из логического элемента И-НЕ 164
4.2.2 Тактовый триггер RS, состоящий из логического элемента ИЛИ, логического элемента И-НЕ, логического элемента ИЛИ и логического элемента И-НЕ 169.
4.2.3 Тактовый RS-триггер, состоящий из вентиля КМОП-И-169
4.2.4 Контролируемые часы rs Flip-Flop, состоящий из затвора передачи и инвертора 170
4.3 RS, вызванные краем 173
4.3.1 Генерация краевых импульсов 173
4.3.2 Принцип запуска RS, запускаемый Edge Trigger 178
4.4 RS Master-Slave Trigger 179
4,5 D Триггер 180
4.5.1 Basic D Trigger 181
4.5.2.
4.6 JK Trigger 185
4.7 Зарегистрировать и смену регистр 186
4.7.1 Статическая TFT Curry 186
4.7.2 Динамическая схема TFT 189
4.7.3 Динамический регистр сдвига 207
Ссылки 212
Глава 5 Дизайн макета тонкой пленки транзисторной цепи 213
5.1 Основные концепции дизайна макета 213
5.1.1 Процесс проектирования 213
5.1.2 Размер устройства 214
5.1.3 Иерархия 215
5.2 Дизайн макета и литографический процесс 216
5.2.1 Передача графики 216
5.2.2 Формирование TFT 219
5.2.3 Знаки выравнивания для процесса производства TFT 222
5.3 Правила проектирования макета 224
5.4 Дизайн макета дискретных компонентов 226
5.4.1 Mayout 226
5.4.2 Дизайн резистора 227
5.4.3 Конструкция конденсатора 227
5.4.4 Дизайн индуктора 228
Рекомендации 229
Глава 6 Применение тонкой пленки транзисторной схемы 231
6.1 Схема привода затвора для дисплея и ЖК -антенной панели 231
6.2.
6.3 Пиксельная цепь панели дисплея AMOLED 238
6.3.1 Основные принципы AMOLED PIXEL CURE 238
6.3.2 Компенсация AMOLED Pixel Circuit 239
Ссылки 250
......Эта книга начинается с материалов тонкопленочных транзисторов (TFT), а большая часть содержания представляет собой обобщение и обобщение практического опыта автора. Вся книга представляет собой полную теоретическую и практическую систему микроэлектроники тонкопленочных транзисторов.В этой книге рассматриваются основные принципы и методы проектирования материалов, устройств, схем и компоновок, связанных с микроэлектроникой тонкопленочных транзисторов.Всего в книге 6 глав: в главе 1 объясняются основные принципы работы тонкопленочных транзисторов, включая принципы полупроводников и теорию энергетических зон, полупроводниковые материалы, а также структуру и принципы обычных полупроводниковых устройств, включая TFT; Глава 2 объясняет основную теорию надежности тонкопленочных транзисторов; В главе 3 объясняются основные логические блоки схем на тонкопленочных транзисторах, подробно описываются функции этих логических блоков и анализ принципов логических блоков, особенно различий и решений этих схемных блоков при реализации с использованием TFT; Глава 4 основана на логических модулях, описанных в главе 3, и в ней дополнительно объясняется, как эти схемные блоки реализованы с использованием TFT, а также где проблемы и решения; Глава 5 объединяет процесс фотолитографии TFT для объяснения основных концепций, основных идей и методов проектирования макетов TFT; Глава 6 представляет собой пример применения схемы TFT, в основном объясняя применение трех распространенных TFT и принципы их работы.
......Лэй Донг, уроженец Внутренней Монголии, окончил факультет материалов Чжэцзянского университета со степенью магистра. Генеральный директор компании Beijing Daogu Vision Technology Co., Ltd.Он уже давно занимается исследованиями и разработками полупроводниковых коммуникационных технологий, технологий отображения и соответствующего программного обеспечения EDA.Лю Вэньцзюнь, уроженец провинции Цзянсу, имеет докторскую степень на факультете микроэлектроники Фуданьского университета и является молодым исследователем.Он уже давно занимается исследованием новых оксидно-полупроводниковых приборов, процессов и функциональных схем.