8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Моделирование FINFET для интегрированного моделирования и дизайна схемы & MDASH; & MDASH; стандарты BSIM-CMG (Индия) Yougi & Middot; Singhdot; Chu Hanying ждет Чэнь Йингин, Чжан Хонги, Jing Youbo Translation Электронная цепь Электронная цепь Электронная цепь Электронная цепь Электронная цепь

Цена: 1 467руб.    (¥69.41)
Артикул: 628535999028

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:新华线上图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥38.08805руб.
¥24.63521руб.
¥46.42981руб.
¥73.331 550руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Моделирование FINFET для интегрированного моделирования и конструкции схемы—&-На базе БСИМ-С

делать  (Индия) Югайши&Миддот; Сингх&миддот;Чу Хан и др. Перевод: Чэнь Чэнъин, Чжан Хунъи, Цзин Юбо
Конечно   цена:99
вне&Ensp; издание&Encp; Общество:Машиностроительная промышленность Пресса
Дата публикации:01 сентября 2020 г.
Страница &Nbsp; номер:504
Пакет   кадр:Оплата в мягкой обложке
ISBN:9787111659815
Редакционная рекомендация

В этой книге содержится подробное обсуждение модели BSIM FinFET (BSIM-CMG), соответствующей отраслевым стандартам.Структура транзистора Fin-FET, квантовый эффект, ток утечки, паразитные параметры, шум, эталонные испытания, процесс извлечения параметров модели и температурные характеристики анализируются соответственно. Наконец, подробно объясняются различные параметры BSIM-CMG.Устройства FinFET имеют очевидные преимущества перед традиционными планарными транзисторами.Прежде всего, каналы FinFet обычно слегка легированы или даже нелегированы, что позволяет избежать эффекта рассеяния дискретных легированных атомов. По сравнению с сильно легированными планарными устройствами подвижность носителей будет улучшена.Кроме того, по сравнению с традиционными планарными КМОП-устройствами FinFET лучше подавляются подпороговые токи и...

Оглавление
●Переводчик
Предисловие
Глава FINFET—&- От концепции устройства до стандартной компактной модели 1
1.121 Century Mosfet
1.2 Теория тонкого МОП-транзистора 3
1.3FinFET и новый путь масштабирования MOSFET 3
1.4 Ультра -типичный эффект тела транзистор 4
1,5finfet Compact Model—— мост Finfet Process и Integrated Cure Design 5
1.6 Краткая история стандартных компактных моделей BSIM 6
1.7 Базовая модель и фактическая модель устройства 7
1.8 Стандартная компактная модель FinFET 9
Ссылки 10
Глава 2. Компактные модели, основанные на аналоговых и радиочастотных приложениях 11
2.1 Обзор 11
2.2 Важные показатели компактной модели 12
2.3 Индикаторы аналоговых цепей 12
2.3.1 Статическая рабочая точка 12
2.3.2 Геометрический размер Zoom 16
2.3.3 Переменная модель 17
2.3.4 Усиление напряжения этого знака 19
2.3.5 Скорость: частота единичного усиления 24
2.3.6 Шум 27
2.3.7 Линейность и симметрия 28
2.3.8 Симметрия 35
2.4 Индикаторы радиочастотных цепей 36
2.4.1 Двухпортовые параметры 36
2.4.2 Спрос скорости 38
2.4.3 не -квази -статическая модель 46
2.4.4 Шум 47
2.4.5 Линейность 53
2.5 Резюме 57
Ссылки 57
Глава 3 Finfet Core Model 59
3.1 Базовая модель двухзатворного FinFET 60
3.2 Unified Finfet Compact 67
Глава 3 Приложение Подробное поверхностное электрическое потенциал модель 72
3A.1 Непрерывная функция запуска 73
3A.2 Четыре итерации пересмотра: реализация и оценка 75
Ссылка 80
Глава 4 Tuer Current и фактический эффект устройства 83
4.1 Обзор 83
4.2 Пороговое рулон напряжения 83
4.3 Ухудшение подпорогового уклона 89
4.4 VTH коррекция в квантовой механике 90
4.5 Деградация скорости миграции вертикального поля 91
4.6 Напряжение насыщения дискоста VDSAT92
4.6.1 Внешний пример (RDSMOD=1 и 2) 92
4.6.2 Пример собственного значения (RDSMOD=0) 94
4.7 Модель насыщения скорости 97
4.8 Квантовые эффекты 98
4.8.1 Модель эффективной ширины 99
4.8.2 Эффективная толщина оксидного слоя/эффективная емкость 101
4.8.3 Расчет кумулятивного расчета 101
4.9 Горизонтальная не -универсальная модель смешивания 102
4.10 Модель эффекта тела FinFET (BULKMOD=1) 102
4.11
4.11.1 Модуляция длины траншеи 103
4.11.2 Возможное снижение барьера из-за утечки 105
4.12 Канал ток 106
Ссылки 106
ГЛАВА 5 Утечка ток 108
5.1 Слабый рефлюксный ток 109
5.2. Утечка истока, индуцированная затвором, и утечка стока, индуцированная затвором 110
5.2.1 Решетка в глемоне в утечке/решетке GLF вызывает исходную формулу утечки полюса 112
5.3 Туннель полярного полярного окисления сетки через 113
5.3.1 Галерея окислительного слоя Туннель Пирсинг Формула в Thebsim-CMG 113
5.3.2 Туннель-галерея через исчерпывающую область и отражающую область 114
5.3.3 Накопленное ток проникновения в туннель-тела 115
5.3.4 Галерея в туннеле с отражателем-из-за тока 117
5.3.5 Галерея-источник/полностью туннельный проход Ток 118
5.4. Ударная ионизация 119
Ссылки 120
Глава 6 заряды, конденсаторы и не -квази -статические эффекты 121
6.1 Терминальный сбор 121
6.1.1 Плата за вход 121
6.1.2 Сливной заряд 123
6.1.3 Заряд источника 124
6.2 Перекрестная пропускная способность 124
6.3 Модель 126 не -квази -статический эффект 126
6.3.1 Расслабление времени приблизительно модели 126
6.3.2 Модель сопротивления сетки Dorder 128
6.3.3 Модель сегмента зарядки 128
Ссылки 132
Глава 7 Паразитарное сопротивление и емкость 133
7.1FINFET Структура устройства и определение символов 134
7.2 Моделирование сопротивления источника/стока в зависимости от геометрии в FinFET 137
7.2.1 Контактное сопротивление 137
7.2.2 Диффузионное сопротивление 139
7.2.3 Утилизация удлинения 142
7.3 Проверка модели паразитарного сопротивления 143
7.3.1 Настройки моделирования TCAD 144
7.3.2 Оптимизация устройства 145
7.3.3 Экстракт сопротивления источника/развлечения 146
7.3.4 Обсуждение 150
7.4 Применение модели паразитического сопротивления рассмотрим 151
7.4.1 Физические параметры 152
7.4.2 Компонент сопротивления 152
7.5 Модель сопротивления полюса сетки 153
7.6FINFET Паразитный конденсатор модель 153
7.6.1 Связь между компонентами паразитической емкости 153
7.6.2 Разработка двухмерных конденсаторов края 154
7.7 Моделирование конденсаторов Finfet Edge в 3D -структуре: CGEOMOD = 2160
7.8 Проверка модели паразитического конденсатора 161
7.9 Резюме 165
Ссылка 166
Глава 8 Шум 168
8.1 Обзор 168
8.2 Тепловой шум 168
8.3 Мерцающий шум 170
8.4 Другие компоненты шума 173
8.5 Резюме 174
Ссылки 174
Глава 9 Trim Tube I-V и C-V Model 175
9.1 Цекси -диод ток модели 176
9.1.1 Обратное смещение дополнительная утечка модель 179
9.2 Diode Charge/конденсатор Model 181
9.2.1 Анти -биас -модель 182
9.2.2 Модель популярности 183
Ссылки 186
Глава 0 Тест стандартов модели 187
10.1
10.2 тест. 188
10.2.1 Проверка физического поведения слабых областей анти -антип и сильных анти -типов 188
10.2.2 Тест на симметрию 191
10.2.3 Процентный тест емкости в компактных моделях 194
10.2.4
10.2.5 Тест модели теплового шума 196
Ссылки 196
Глава 1 BSIM-CMG Модель Извлечение 197
11.1 Фон извлечения параметров 197
11.2BSIM-CMG модели стратегия извлечения параметров 198
11.3 Резюме 206
Ссылки 206
Глава 2 Температура 208
12.1 Характеристики полупроводников 208
12.1.1. Проблема с поясом и разрывом 208
12.1.2NC, Vbi иΦ B -характеристики 209
12.1.3 Температурные характеристики концентрации потока нагрузки 209
12.2 Температурные характеристики порогового напряжения 209
12.2.1 Температурные характеристики сниженного потенциального барьера 210
12.2.2 Температурные характеристики эффекта тела 210
12.2.3 Подпороговое колебание 210
12.3 Характеристики температуры скорости миграции 210
12.4 Температурные характеристики насыщения скорости 211
12.4.1 Температурные характеристики не насыщенных эффектов 2111
12.5 Температурные характеристики тока утечки 212
12.5.1 Ток полюса сетки 212
12.5.2 Утечка, вызванная затвором/утечка источника 212
12.5.3 Ударная ионизация 212
12.6 Температурные характеристики паразитического сопротивления источника/воронки 212
12.7 Источник/прерывистые характеристики температуры Diiba 213
12.7.1 Модель Diter -тока 213
12.7.2 Конденсатор 215
12.7.3 Тервуарный проход вспомогательного туннеля Ток 215
12.8 Эффект самонагрева 217
12.9 Диапазон проверки 218
12.10 Модель проверки данных измерения 218
Ссылки 220
Приложение 221
Приложение Список параметров 221
A.1 Модельный контроллер 221
А.2 Параметры устройства 222
A.3 Параметр процесса 223
A.4 Базовый параметр модели 224
A.5 Геометрические паразиты 235
A.6 Температурная корреляция и параметры самостоятельного выживания 236
A.7 Переменная модель Параметр 238
Пунктирное содержание

краткое введение

Поскольку размер элементов процессов интегральных схем достигает узлов ниже 28 нм, традиционная планарная структура MOSFET больше не применима, а новая структура трехмерного транзистора (FinFET) постепенно стала важной гарантией продолжения действия закона Мура. Эта книга начинается с принципов и физических эффектов трехмерных структур и подробно обсуждает предпосылки, принципы, параметры и методы реализации компактной модели FinFET (BSIM-CMG); в нем также обсуждаются имитационные модели, используемые при проектировании аналоговых и радиочастотных интегральных схем.В этой книге избегается вывод сложных формул и проводится более прямой анализ механизмов, стремясь дать читателям возможность понять характеристики и использование BSIM-CMG на уровне процесса и устройства.Эту книгу можно использовать в качестве профессионального учебника и справочника для преподавателей старших курсов и аспирантов по специальностям микроэлектроника, твердотельная электроника, электронная информационная инженерия и т. д. Ее также можно использовать в качестве руководства по модели FinFET для инженеров, занимающихся моделированием интегральных схем.