Дорога моделирования инновационных инноваций электроники с 105 утечками ошибок и 110 требований
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Из -за короткой истории и других причин традиционная аналоговая электроника имеет много недостатков.Автор выступает за науку и смелые инновации и провели более 20 лет исследований для этой цели.После долгосрочного теоретического анализа и практической проверки мы создаем соединение PN, используя фазовое равновесие внутреннего барьеры электрического поля и потенциал диффузии свободного электрона для определения электрического поля в соединении PN, установите критическую рабочую точку усилителя, чтобы вычислять вход и диапазон вывода, установите концепцию фазового сдвига сравнительной ссылки и создайте трехфазу метода смещения (3? Метод) выполняет анализ и дизайн обратной связи и т. Д.Эти инновации использовались на курсах электронного проектирования и аналоговых электронных технологий, достигая отличных результатов.
Оглавление
Ошибки и тренды исследований традиционных теорий в предыдущей статье
105 Ошибки и уязвимости в традиционной теории главы DY
1.1 Ошибки и уязвимости в теории и методах схем
1.1.1 Недостатки и ошибки в концепциях цепи и методах расчета (17 пунктов)
1.1.2 Неадекватные методы выражения - сражение символов и недостаточное понимание характеристик кривой (3 пункта)
1.2 Ошибки и уязвимости в теории PN -соединения в физике полупроводников
1.2.1 Потеря положительных ионов и нейтралитет материала искажается, а отверстия насильственно приносят с положительным электричеством (3 предмета)
1.2.2 Игнорирование диффузионного потенциала, вызывая множественные ошибки в расчете электрического поля в равновесном перекрестке PN (4 предмета)
1.3 Ошибки и лазейки в теории управления кристаллами
1.3.1 Ошибки и лазейки в теории управления кристаллическими диодами (11 пунктов)
1.3.2 Ошибки и уязвимости в теории управления кристаллом BJT и FET (9 пунктов)
1.4 Оболочки и ошибки в теории усиления
1.4.1 еще не решен (стр. 25)
1.4.2 Искусственные ошибки (10 пунктов)
1.5 Ошибки и уязвимости в теории обратной связи и колебаний
1.5.1 Ошибки и уязвимости в теории обратной связи (13 пунктов)
1.5.2 Ошибки и уязвимости в теории колебаний (10 пунктов)
1.6 Воздействие и причины дефектов в теории аналоговой электроники
Глава 2 Исследование и инновации в полном разгаре
2.1 Связанные новости от ученых
2.2 Обсуждение аналоговой электроники на веб -странице "Baidu Know"
2.3 Путь автора к инновациям - 1110 предметов, чтобы искать правду
Следующее исследование прогресс
Глава 3 Инновации в теории и методах схем
3.1 Метод анализа и расчета схемы
3,2RLC Амплитуда и частотная характеристика Симметричная симметричная в координатах логарифмической частоты
3.2.1 Кривая амплитуды и частоты схемы серии RLC является симметричной в координатах логарифмической частоты
3.2.2 Амплитуда и частотные характеристики параллельной схемы RLC симметричны в координатах логарифмической частоты
3.3RC-серия-параллельная схема резонансное импеданс, симметрия кривой и коэффициент качества
3.3.1 Резонансное импеданс дивизии и общий импеданс серий RC и параллельной схемы нерезистливы
3.3.2 Кривая амплитуды и характеристики частоты серии RC-параллельной схемы симметрична на оси логарифмической частоты
3.3.3RC серии-параллельная цепь Коэффициент качества z Максимальное значение составляет только 0,5
3.4 Расчет и применение наклона средней точки полулогарифмической фазовой частоты кривой графика птиц
3.5 Метод расчета самоиндукции и взаимной индукции
Глава 4 Реконструкция теории перекрестка PN в физике полупроводников
4.1pn -диод диод
4.1.1 Нарисуйте схематическую схему полупроводникового перекрестка и PN в соответствии с незаряженными отверстиями
4.1.2 Используйте потенциал диффузии свободного электрона для объяснения равновесия PN -соединения и фотогенерированной электродвижущей силы
4.1.3 Фактическое измерение потенциала диффузии свободного электрона (односторонняя проводимость соединения PN)
4.1.4 Фотоэлектрический эффект-Эффективные фотогенерированные пары электронов-отверстия и диффузионный диффузию свободного электрона
4.1.5 Диапазон значений допинга и высокая рабочая температура полупроводникового устройства z
4.1.6 Четыре способа выразить характеристики вольтамперометрии PN -соединения (диод)
4.2 Схема применения диода и ее метод анализа и расчета
4.2.1.
4.2.2 Метод анализа диодной цепи
Глава 5 Инновации в теории управления кристаллом BJT
5.1 Принцип кристаллического транзистора и математическая модель
5.1.1 Используйте механизм конкуренции для объяснения принципа работы транзистора BJT
5.1.2bjt Транзистор Три характеристики
5.1.3BJT Транзисторная математическая модель
5.2 Технические параметры и тестовые приложения транзисторов
5.2.1BJT Транзисторные технические параметры
5.2.2bjt Тест -тест идентификация
5.2.3bjt Транзисторная форма продукта и применение
Глава 6 Дополнительная теории лечения кристаллов FET
6.1 Трубка эффекта поля соединения
6.1.1 Принцип работы трубы с воздействием поля развязки
6.1.2JFET Характеристики передачи - новое напряжение затвора, нулевое сопротивление, ток дренажа
6.1.3 Выходные характеристики полета
6.1.4 МАТЕЛЕТ УПРАВЛЕНИЯ Эффекта Эффекта Джанкшн Математическая модель и технические параметры
6.2 Трубка с эффектом полупроводникового оксида металла.
6.2.1 Принцип работы и характерные параметры полупроводникового поля оксида металла
6.2.2 Комплексное сравнение между различными полетами и их с помощью BJT
Глава 7 Инновации и реконструкция теории амплификации транзистора BJT
7.1 Основная схема усилителя общего радиации
7.1.1 Научно нарисуйте эквивалентные схемы усилителей AC и DC
7.1.2 Три конфигурации являются универсальной формулой для расчета трех увеличений.
7.1.3 Анализ нелинейного искажения усилителя BJT
7.1.4BJT Усиление
7.1.5 Количественный расчет коннотации и расширения рабочей точки и ее стабильности
7.1.6.
7.2.
7.3 Анализ и расчет частотных характеристик усилителей
7.3.1 Классическая экспрессия частотных характеристик - диаграмма Beddd и его происхождение
7.3.2 Частотная характеристика функции базовой схемы усилителя со-редио
7.3.3 Анализ параметров полос и конструкция конденсатора связывания (оригинальное происхождение 10 мкф)
7.3.4.
7.4 Схема усилителя сочетания эмиттера
7.4.1 Хотя изменения небольшие, они убивают двух птиц одним камнем
7.4.2 Научно нарисовать эквивалентные схемы AC и DC
7.4.3 Проектирование рабочих точек в соответствии с требованиями выходного диапазона z
7.4.4 Три основных параметра переменного тока и частотные характеристики
7.5 Общий усилитель коллекции (вывод излучателя)
7.6 Общий усилитель (точный последователь)
7.7 Тестирование технических параметров схемы усилителя
7.8 Графический расчет рабочей точки и выходного диапазона схемы усилителя
Глава 8 Дополнение теории схемы усиления транзистора FET
8.1 Схема усиления общего источника.
8.2 Схема усиления источника.
Глава 9 Дополнительная к многоэтапной теории амплификации и усиления мощности
9.1 Сводка технических параметров схемы усилителя магнитной связи
9.2 Анализ и расчет технических параметров многоступенчатой схемы усилителя
9.2.1 Усиление напряжения и характеристики частоты
9.2.2 Входной/выходной резистор и рабочая точка
9.3 Анализ и расчет усилителей мощности усилителей класса B
Глава DY0 Дополнительная к дифференциальной амплификации и теории интегрированной схемы амплификации
10.1 Анализ и расчет CMRR в двойном выходе с длинными хвостами.
10.2 Дифференциальный усилитель нулевой цепь регуляции
10.3 Быстрое идентифицирует символы, введенные терминалы и инвертирующие терминалы усиления напряжения
10.4 быстро определите скорость вывода интегрированных операционных усилителей
Глава DY1 Инновации и реконструкция теории обратной связи
11.1 Концепция обратной связи, классификация, конфигурация и расчет
11.1.1 Концепция обратной связи, классификация и конфигурация
11.1.2 Расчет обратной связи (формула Лю Чжигуо)
11.2 Метод трехфазного смещения для суждения полярности обратной связи (метод 3φ)
11.2.1 Трифазные сдвиги петли обратной связи
11.2.2 Метод дискриминации полярности обратной связи
11.3 Анализ и расчет коэффициента обратной связи с обратной связью
11.4 Условный анализ цепи INA с использованием последователя напряжения
11.5 Применение принципа положительного и отрицательного принципа смещения с двойной обратной связью
11.5.1 Анализ и расчет схемы пропорциональной вычитания с двумя каналами
11.5.2 Анализ и расчет текущего насоса хаоланде
11.6 Вторая функция схемы расчета исчисления-±90°Движение
Глава DY2 Реконструкция теории колебаний
12.1 Математическая модель схемы колебания
12.1.1 Модель схемы колебания, состоящая из одноположительной обратной связи
12.1.2 Схема колебаний, состоящая из положительной и отрицательной отмены двойной обратной связи
12.2 Схема колебания дискретного компонента
12.3 Интегрированная цепь колебаний моста Вин
12.4RC Фазовый сдвиг интегрированный цепь синусоидальных колебаний
12.4.1. Интегрированный фазовый сдвиг с двумя и трех сечением.
12.4.2. Интегрированное сдвиг гистерезиса RC с двумя сечения и трех сечений RC-гистерезиса.
Глава DY3 Экспериментальная теория, оборудование и методы инновации
13.1 Экспериментальная теория инновации - эксперименты от пассивных до активных
13.2 Инновации в экспериментальном оборудовании - пусть эксперименты вошли в тысячи домохозяйств
13.3 Инновации в экспериментальных методах - облегчение и лучшие результаты экспериментов
13.33.
13.3.2 Эксперимент по колебанию
Рекомендации
Юань Цзенгмин - студент колледжа в классе технологического университета Хэбэй в 1977 году и аспирант в классе 1982 года.В 1993 году он был назначен старшим инженером в Китайской национальной группе с тяжелыми трудами, в 1999 году он был переведен на доцент профессора в Департаменте военного контроля Главного логистического департамента Армии освобождения Народной Армии, а в 2001 году он был назначен профессором ПолемС 1982 года он председательствовал или участвовал в более чем десяти научных исследованиях или инженерных проектах, таких как гибкая обработка UD80 и механизм последующего наблюдения за инкубатором железа, опубликовал более 40 исследовательских работ и преподавал более 20 Электронные курсы (10 000 000).
Опубликовано с 2006 года по настоящему «принципам и основаниям применения одного чип-микрокомпьютера»
Три типа книг, такие как «аналоговые электронные технологии» и «электронные технологии», используются для преподавания курса в более чем 20 колледжах и более чем в дюжине студентов по всей стране.
