Световые вырезанные ремесла вблизи предела дифракционного предела Цвета внутренняя страница Версия с высоким уровнем интегрированного производства схем, серия процессов фоторезистской технологии, полная система контента полные данные
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Чтобы справиться с ситуацией, когда моя страна серьезно отстает от развитых стран в области интегрированных цепей, особенно литографических технологий и решить дилемму практически WQ, полагаясь на импорт оборудования для производства литографии, материалов и оптического программного обеспечения для коррекции эффекта близости. Будучи сотрудниками ZS R & D, который участвовал в исследованиях и разработке литографических процессов в течение почти 20 лет, автор возглавляет ответственность за оказание помощи совместным исследованиям и разработке и разработке литографического оборудования, цепочек индустрии материалов и программного обеспечения.Он собирает почти 20 -летний опыт обучения и опыт исследований и разработок в книгу для создания моста, соединяющего интегрированные исследования и разработки и производство, разработку и производство, производство, оборудование, материалы и программное обеспечение, а также научные и технологические исследования и обучение талантов в колледжах, университетах и исследовательских институтах.Эта книга принимает литографическую технологию в качестве основной линии, органически тесно связанной с теоретическим расчетом литографического оборудования, литографических материалов, литографической визуализации, различных идей моделирования и выводов в процессах литографии, требований технического развития для производства чипов и требований для различных параметров литографических процессов, что дает читателям целую картину.«Литографический процесс вблизи дифракции J Limit» может использоваться для справки исследователями из исследовательских институтов в области литографических технологий, учителей и студентов из колледжей и университетов, инженерного и технического персонала с интегрированных заводов и т. Д.
Содержание Глава D1 Введение в технологию литографии Глава D4 Фоторезист -фоторезист Структурный анализ Аберрационного анализа, метод таблицы заготовки структурного анализа).
Оглавление
Глава D1 Введение в литографию технологию
1.1 Краткая история интегрированной схемы
1.2 Краткая история развития интегрированной трассы в моей стране (1958—
1.3 Краткая история развития линз визуализации в моей стране и достижения цифровых камер ZX в моей стране
1.4 Краткая история развития легких резных машин и краткой истории развития оптических машин в моей стране
1.5 Краткая история развития фоторезиста в моей стране и прогресса ZX
1.6 Разработка другого оборудования, используемого в легкой резьбе и развитии нашей страны
1.7 Разработка моделирования вычислений оптического вырезанного процесса включает в себя разработку коррекции оптического смежного эффекта
1,8J УФ-литография и развитие самосборки
Заключение
Цитирование
Глава D2 Обзор литографической технологии
2.1 Общая техническая точка легочной резьбы
2.2 Процесс процесса оптической резьбы
2.2.1D Шаг первый: газовая кремниевая поверхность. Предварительная обработка
2.2.2d Шаг второй: фоторезист с спин-покрытием, анти-рефлексивный слой
2.2.3d Три шага: выпечка перед экспозицией
2.2.4d четыре шага: выравнивание и экспозиция
2.2.5d пять шагов: выпечка после воздействия
2.2.6d шесть шагов: разработка и промывка
2.2.7d Семь шагов: выпечка после разработки, выпечка для жесткого фильма
2.2.8d восемь шагов: измерение
2.3 Оборудование, используемое литографическим процессом
2.3.1 Оптическая машина
2.3.2 Глиппер 影 影 2 2 2
2.4 Материалы, используемые в фотоколических процессах: литографический клей, антирефлексивный слой, наполнительный материал
2.5 Набор методов создания литографического процесса, включая определение различной толщины мембраны, условия освещения, окна процесса и т. Д.
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D3 Оптические принципы визуализации и резолюция
3.1 Принцип оптической визуализации
3.2 Определение разрешения: суждение Руили, полная ширина полумерия
3.3 Теория визуализации частично связанного света: часть когерентности в условиях освещения
3.4 Структура и функция системы оптического освещения: метод освещения Kohler
3.5 Трансформация Оптической визуализации Фурье
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D4 Фоторезист
4.1.
4.1.1 Оптический клей
4.1.2 Досемиляция
4.1.3 Производительный процесс литографического клея
4.1.4 Анти -рефлекторный слой
4.1.5 Прямой раствор и чистящий раствор
4.1.6 Агент погружения и агент по удалению
4.2 Отрицательный литографический клей (принцип фотосистской клейкой смолы, отрицательный тип фотореорезиции, химия сцепления)
4.2.1 Принцип
4.2.2 Отрицательный тип литографии
4.3 Не -химический усилитель положительный светлой——
4.3.1 Не -химический усилитель положительный фотореорезитный клей——
Литография
4.3.2 Основной компонент фотореорезовой системы типа фенольной смолы с тяжелой азотной фенольной смолой
4.4 Химические увеличенные положительные резьбы света——
4.4.1 Спрос на более короткую длину волны Deep Ultraviolet Light Careving Glue
4.4.2 Принцип химического расширения
4.4.3.
4.4.4 193 нм литографический клей, в основном полимельный акрилат
4.4.5193nm -легкий свет.
4.4.6. Создайте отрицательный дисплей теневого света.
4.5J УФ Фоторерезист
4.5.1 Клей на основе не -химического увеличения света на основе эффекта разбитой цепи
4.5.2 Политекохимическое химическое масштабирование в легком клей.
4.5.3 Положительный j UV -химический амплификационный фоторезист
4.5.4 Отрицательные органические малые молекулярные молекулы
4.5.5. Создание органического маленького молекуляризованного фотоессора
4.5.6 Новая литография на основе неорганических объектов
4.6 Разрешение фоторезиста line края шероховатости exposure чувствительность j предел
4.7 Обзор радиационной химии и оптической химии
4.7.1 Эффект радиации
4.7.2. Комплекс возбужденного состояния
4.7.3 Перенос энергии
4.7.4 Спектральное увеличение
4.7.5 Оптическая химия и радиационная химия
4.7.6 Радиционный химический квантовый выход
4.7.7 чувствительность радиационного воздействия
4.7.8 Механизм взаимодействия между радиацией и фоторезистскими материалами
4.8 Описание Основные параметры физических характеристик оптического клея
4.8.1 DIR PARAMATER
4.8.2 Длина диффузии фотоислоки и коэффициент
4.8.3 Сравнение растворимости в светопоглощенном клеве, показывающем жидкость
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D5 анти-рефлексивный слой
5.1 антирефлексивный слой и контроль отражательной способности
5.2 антирефлексивный тип слоя
5.2.11; Cy = Cy Part Anti-Refliective Layer
5.2.2 нижний анти -рефлекторный слой
5.3 Сравнение органического и неорганического нижнего антирефлекционного слоя
5.4 нижняя часть нижнего антирефлексивного слоя Светлое
5.5 Кремниевый антирефлятный слой, содержащий кремний
5.6 Слоя сенсибилизации нижней части для литографии j
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D6 Литографическая машина
6.1 Введение
6.2 Принципы развития объектива визуализации
6.2.1.
6.2.23 Фильм 3 Наборы визуализации и аберрации Кирка Кирка
6.2.34 Фильм 3 Группы визуализации и аберрации Тянзай
6.2.46 Пленка 4 -Set Double Gaussian Lens Imaging и Анализ аберрации
6.3 Типы и представления симуляции
6.3.1 Разница в шариках, кометы, рассеянные, поле, искажение, разница в осевых цветах, горизонтальная разность цвета
6.3.2 Принцип оценки навыков: 6 фрагментов из 4 наборов анализа исполнителей линз
6.4 Qi Ming Dot и Zero Difference Divice
6.5 Введение в объектив больших численных пор
6.5.1 Zeiss 0,93NA, 193 нм глубокомултравиолетовой проекции изображения изображения и анализа аберрации, структурный анализ
6.5.2 Zeiss 1,35NA, 193 нм, погружение в водную воду, не складывающее анти -дип ультрафиолетового проекционного изображения изображение и анализ аберрации,
Структурный анализ
6.5.3 Zeiss 0,33NA, 6 штук и 6 групп из 13,5 нм ультрафиолетового общего отражающего проекции объективных объективов и
Анализ упрощения, структурный анализ
6.5.4 Перспективы более крупной численной апертуры j UV -проекция объективной объективы
6.5.5 Краткая история развития и развитие ZX развитие объектива литографической проекции в моей стране
6.6 Введение на мобильную платформу световой вырезанной машины
6.6.1 Функция, структура и основные компоненты систем мобильных платформ, мобильных платформ
6.6.2 Калибровка трехмерного пространственного местоположения мобильной платформы
6.6.3 Введение в систему измерения и управления системой измерения и управления решеткой с двумя измерительными измерителями ASMAI
6.6.4 Достижения ZX моей страны в разработке мобильной платформы двойной заготовки литографической машины
6.6.5 Цель и тон кремниевой пластины в литографической машине (метод двойной мастерской Astai, серия Nikon
Метод заготовки)
6.6.6 Metale из стойки моделирования
6.6.7 Высокая компенсация выравнивания для платформы кремниевой пластины
6.6.8 Установите температурную компенсацию кремниевой таблицы кремниевой таблицы погруженной литографической машины и локального напряжения, вызванного адсорбцией кремниевой пластины
Отклонение компенсации
6.6.9 Компенсация коэффициента искажений K18 нагретого моделью
6.6.10 Способ фокального расстояния и рассеянной компенсации нагретой линзы
6.6.11 Метод расчета производственных мощностей Введение Метод Введение Метод Введение
6.6.12 Некоторые датчики в оптическом карвиге
Датчик, помехи и т. Д.)
6.7 Структура системы освещения и функция оптической резьбы
6.7.1 Система освещения для фиксированной апертуры, системы освещения с переменным освещением (масштаб Acemai может быть увеличенным
Дополнительное конусное зеркало)
6.7.2 Не -судоходство, однородность и стабильность освещения света
6.7.3 Система поляризованного освещения
6.7.4 Пользовательская система освещения (Flexray of Astma)
6.8 Использование и обслуживание световой вырезанной машины
6.8.1 Обычные элементы проверки оптической гравированной машины (калибровка фокусного расстояния, калибровка установки, калибровка системы освещения,
Балки)
6.8.2 Сопоставление множества резьбы с несколькими световыми резьбами (стандарты)
6.8.3 Сопоставление освещения нескольких резьб для света
6.8.4 Сопоставление фокусного расстояния нескольких резьбных резьб
6.8.5 Функция базового обслуживания световой резьбы Astri Light
6.9 Функция удлинения световой вырезанной машины
6.9.1 Компенсация за единообразие воздействия
6.9.2 Компенсация за распределение гравюры
6.9.3 Измерение выравнивания JQ на основе датчика давления воздуха литографической машины ASMA
6.9.4 Специальная обработка края кремниевой сетки
6.9.5 Специальная обработка края кремниевой пленки
6.10193NM Характеристики резьбы погружения света
6.10.1 водонепроницаемые наклейки
6.10.2 Погружение без головы (капюшон)
Некоторые особенности 6.1113.5nmj Ультрафиолетовой литографической машины
6.11.1 Источник лазерного возбуждения плазменного света
6.11.2 Система освещения, индивидуальная система освещения
6.11.3 Модели полного отражения и проекционные зеркала
6.11.4 Проективное зеркало дизайн диафрагмы высокого значения: x -направление и y направление гермонарной скорости разные
Материальное зеркало
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D7, разработающая клей
7.1 Основные компоненты железнодорожной машины (клейкая машина, горячая пластина, камера дисплея) и функция
7.1.1 Подсистема труб
7.1.2 Система тепловой платы
7.1.3 отображать систему OBTO
7.2 Тип контейнера (Nowpak и стеклянная бутылка), конвейерная труба и конвейерный насос
7.3 Оборудование для промывки после разработки (оборудование для снятия дефекта XJ, содержащее азот сопла), содержащее азот)
7.4 Различные фильтры, используемые в оборудовании легкой резьбы
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D8 Оборудование для литографии для литографического процесса
8.1 Сканирование ширины линии
8.2 Программа измерения электронного микроскопа ширины линии и метод измерения
8.3 Расчет и регулировка широкого сканирования электронного микроскопа с широким сканированием
8.4
8.5 Установите программу измерения и метод измерения микроскопа
8.6 Метод ошибки и устранения введения оборудования для микроскопа и его метода устранения
8.7 Принципы обнаружения гравировки на основе дифракции
8.8 Дизайн установленного знака красоты
8.9 Принцип широкого измерения оптических линий
8.10 Принцип оборудования для инспекции погибших
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D9 Photomask
9.1 Типы световой модели
9.2 Производство легких масок
9.2.1 Обработка данных модели с покрытием
9.2.2 Экспозиция модели с покрытием травление
9.2.3 Обнаружение ширины модели, гравировки и дефекта
9.2.4 Ремонт модели модели
9.3 Проблемы в производственном процессе легкой маски
9.3.1. Сторонний метод воздействия и компенсации воздействия электронного пакета модели
9.3.2 Другие проблемы воздействия электронного луча (атомизация, легкий клей, тепло и т. Д.)
9.4 Справочные требования к легкой однородности линии световой маски в разных технических узлах
9.4.1 Требования к ширине и однородности модели каждого технического узла
9.4.2 Измеренная графическая тип ширины линии
9.5 Другая информация о производственном и обнаруженном оборудовании световых масок
9.5.1 Электронный пучок различные методы сканирования и его преимущества и недостатки введение
9.5.2 Электронное оружие, используемое электронным выдержением луча
9.5.3 Введение в многоэлектронные лучи и прогресс ZX
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D10 Литографические параметры и окно процесса
10.1. Экспозиция адекватности энергии, обратное изображение световое световое
10.2 Глубина фокуса
10.3 Коэффициент ошибки модели
10.4.
10.5 Оптический клей внешний вид
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D11 Моделирование литографической технологии
11.1 Алгоритм рефлексивного моделирования
11.2 Алгоритм сравнения алгоритма
11.2.1 Алгоритм моделирования системы Афины и алгоритм моделирования системы Nikon FIA
11.2.2 Сравнение двух алгоритмов и экспериментов
11.3 Параметры моделирования изображения пространства световой резьбы.
11.4 ОДИН -Алгоритм моделирования аббатства
11,5 Двухмерный алгоритм моделирования Аббера
11.6 Алгоритм пространственного изображения на основе перекрестного перекрестного перехода
11.7 Рассмотрим вектор
11.8 Вычисление поляризации
11.9 Расчет
11.10 Джонс Матрица
11.11 Алгоритм домена времени конечный элемент
11.11.1 Коррекция функции маски, вызванной трехмерным рассеянием формы
11.11.2 Maxwell Formula Group
11.11.3 YYEE CLEARS
11.11.4 Maxwell Formula Group Discrete
11.11.5 Второе -граничное условие поглощения заказа
11.11.6wq
11.11.7 Металлическая диэлектрическая постоянная, чтобы избежать дивергенции
11.11.8 Эффект трехмерного рассеяния модели крышки: одна -одномерные линии/канавки
11.11.9 Эффект трехмерного рассеяния модели крышки: двухмерная линейная концом/отверстие
11.12 Алгоритм строгой волны связывания
11.13 Источник света 模 Оптимизация соединения маски
11.13.1 Влияние различных условий освещения зрачка на моделирование модели
11.13.2 Источник света перекрестной графики Пример оптимизации соединения при покрытии формы
11.14 Модель демонстрации световой демонстрации клей
11.14.1 Пороговая модель общих фотохимических химических реакций жевательной резинки химических реакций
11.14.2 Улучшенная модель интегрированного параметра
11.14.3 Список эквивалентной диффузионной длины фоторезистской адгезивной кислоты на разных технических узлах
11.14.4 модели функции негативного теневого света -engragrav
11.14.5 Физическая модель теневого света клей
11.15 Алгоритм моделирования гравировки подсветки
11.15.1 Идея резьбы подсветки
11.15.2 Основной алгоритм резьбы подсветки
11.15.3 Основные проблемы, с которыми сталкиваются резьба подсветки
11.16 Другие алгоритмы моделирования
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D12 Коррекция эффекта оптической близости
12.1 Оптический смежный эффект
12.1.1 Модуляция и трансферная функция
12.1.2 Запрещенный цикл
12.1.3 Анализ иконы оптических смежных эффектов (одна -линия/канавка)
12.1.4. Влияние освещения из угла оси и диффузионной длины фотографий на соседний эффект
12.1.5 Оптические соседние эффекты онлайн -конца -END End, Line -end Структура горизонтальной линии
12.2 Дальнейшее обсуждение оптических соседних эффектов: плотная графика и изолированная графика
12.3 Результаты расчета теории и моделирования связанной длины
12.4 Методы простых оптических соседних эффектов на основе правил
12.5 Модель оптическая соседняя соседняя коррекция эффекта Статуя пространства Статуя пространства Упрощение расчета
12.5.1 Кобб коэффициента скрещивания передачи TCC
12.5.2 Странное значение Ямазои разложения коэффициента скрещивания передачи TCC TCC
12.5.3 Коэффициент передачи, содержащий векторную информацию
12.5.4. Многосторонняя графика для покрытия шаблонов на основе разложения края
12.5.5 Региональный метод разложения (метод DDM) расчета трехмерного эффекта (метод DDM)
12.6 Оптическое соседнее соседняя коррекция эффекта на основе модели: моделирование
12.6.1 Математическое выражение и важные параметры модели
12.6.2 Графический тип, используемый при моделировании
12.6.3 Аналогично моделированию OPC передней линии логической схемы передней части кондитерской схемы 20 нм
12.6.4 Характеристики моделирования OPC, аналогичные средним и задним отверстиям 20 -нм логической цепи
12.6.5 Характеристики моделирования OPC, аналогичные слою задней канавки 20 -нм логической цепи
12.7 Оптическая соседняя поправка на основе модели: программа коррекции
12.8 Добавлена вспомогательная графика в оптических соседних эффектах
12.8.1.
12.8.2. Добавление на основе модели
12.9 Оптическая соседняя поправка на основе модели: анализ слабых точек и удаление
12.9.1 Анализ и решение слабостей: Пример 1 (поиск и восстановление проблем ширины линии)
12.9.2 Анализ и решение слабостей: Пример 2 (поиск и восстановление проблем ширины линии)
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D13 Погружение литографии
13.1 Фон вырезанного процесса погружения света
13.2 Характеристики проекционных зеркал, используемые в резьбе погружения света
13.3 Увеличение разрешения погружного фотохимического процесса
13.4 Окно процесса процесса погружения фотохимического процесса
13.5.
13.5.1 Двойная таблица
13.5.2 Кремниевая пленка платформа измерения и управления платой платы плоскости.
13.5.3 Система выравнивания источника ультрафиолетового света
13.5.4 Pixel Custom Lighting System (гибкая система освещения)
13.6 Оптический клей для фотохимического процесса погружения
13.6.1z начальный 1; Cy = часть водонепроницаемого покрытия
13.6.2 Self -разделенная литография жевательная резинка
13.6.3.
13.7 Оптическая мембранная структура погружения фотохимического процесса
13.8 Дефекты, уникальные для погружного фотохимического процесса
13.9
13.10 Технология вспомогательного процесса погружного света -оборота
13.10.1 Использование нескольких технологий визуализации
13.10.2 Негативная теневая технология
13.11 Установление
13.11.1 Общий процесс, разработанный литографическим процессом
13.11.2 Исследование и подтверждение правил целевого проектирования
13.11.3 На основе правил проектирования, выбора начальных источников света и типа скрытия шаблона с помощью симуляции
13.11.4 Выбор световых материалов
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D14 Дефекты в литографии процесса
14.1 Дефект процесса роторного покрытия
14.1.1 Связанные дефекты процесса обработки поверхностной гидрофобной обработки.
14.1.2. Дефект вращения сгенерированного света.
14.1.3 Дефекты, связанные с процессом промывки
14.2 Дефекты процесса отображения
14.2.1 Влияние материальных характеристик на дефект внешнего вида
14.2.2 Влияние характеристик аппаратного характеристик модуля разработки на дефект тени
14.2.3 Связь между характеристиками и дефектами процесса очистки
14.3 Другие типы дефектов (передний слой и окружающая среда и т. Д.)
14.3.1 Химическое увеличение света и клея&Ldquo; отравление” явление
14.3.2 не -химический увеличенный световой клей&Ldquo; отравление” явление
14.4 Нежить световой роскошной дефект процесса
14.4.1 Диаграмма патентной структуры погружной литографической машины
14.4.2.
14.4.3 Удалите метод погружения без дефектов над светом
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D15 Контроль ширины линии и улучшение процесса литографии
15.1 Определение ширины оптической линии
15.2 Метод расчета ширины оптической линии
15.2.1.
15.2.2 Единообразие ширины в поле экспозиции
15.3 Метод улучшения ширины оптической линии
15.3.1 партия 之 увеличивается между партиями партий
15.3.2 Улучшение внутренней единообразии ширины внутренней линии
15.3.3 Улучшение формы ширины кремниевой таблетки
15.3.4 Улучшение ширины и однородности внутренней линии поля воздействия
15.3.5 Улучшение широкой однородности локальной сети
15.4 Ширина ширины линии и метод улучшения введение
15.4.1. Улучшить контраст изображения пространства
15.4.2. Увеличение полноты фотохимических реакций фоторезии
15.4.3 Выбор скрытого шаблона смещения точки привязки
15.4.4 Полнота выпечки после воздействия
15.4.5 Выберите фотохимический клей с сильной анти -чаевой способностью
Мыслительные вопросы
Цитирование
ГЛАВА D16 КОНТРОЛЕР И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ЛИТОГРА
16.1 Принципы и параметры управления гравировкой
16.2 Проектирование и размещение гравюрных знаков
16.2.1 Типы гравюры (история, сейчас)
16.2.2 Установите метод размещения отметки гравировки (канал резки, внутри чипа)
16.3 Факторы, влияющие на точность набора
16.3.1 дрейф оборудования
16.3.2 Проектирование и размещение гравюрных знаков
16.3.3 Влияние субстрата
16.3.4 Влияние остатка химического механизма плоских абразивных измельчающих материалов
16.3.5 Процесс процесса захвата и тепла может быть деформирован знаками лапши
16.3.6 Влияние ошибки размещения ландшафта на настройку макета формы
16.3.7 Ошибка ширины версии линии верхнего и нижнего слоя сжимается резьбой
16.3.8, покрывая шаблон, который может вызвать отклонение отложений нагрева
16.3.9 Компенсация за отклонение на высоком уровне.——
16.3.10 Установите пример разложения источника ошибки
16.4 Набор отношений гравировки/выравнивания дерева
16.4.1 Источник и метод улучшения косвенной ошибки
16.4.2.
Непрерывный фильм
16.4.3 Установить обратную связь и обратную связь
16.4.4 Гибридный набор измерений и обратной связи
Мыслительные вопросы
Цитирование
ГЛАВА D17 РЕД ЛИНИИ ГОРЕНАНА/ШРОМА
17.1 Грорость края линии/шероховатость ширины линии введение
17.2 МЕТОД АНАЛИЗА ДАННЫХ ГОРОДНОЙ РЕКИ/ширины линии.
17.3 Факторы, влияющие на шероховатость края линии/ширина линии
17.4 Метод улучшения шероховатости края линии/Ширина линии
17.5 Резюме
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D18 Несколько графических технологий
18.1 Фон
18.2 Метод световой экспертизы, метод световой аварийной эстрабильности
18.3 Сплит метод графики——
18.3.1 Треугольник противоречие
18.3.2 Диапазон приложений
18.4 Самоуд
18.4.1 Преимущества и недостатки
18.4.2 Диапазон приложений
18.5 набор стратегий и принципов
18.6 Расчет и распределение формы ширины линии
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D19 Следующее поколение литографических технологий
19.1 Краткая история развития технологии ультрафиолетовой литографии
Сходство и различия между ультрафиолетовой литографией 19,2J и погружением 193 нм литографии
19.2.1 Сходства и различия в оборудовании для легочной резьбы
19.2.2 Сходства и различия в световой резьбе
19.2.3 Сходства и простота модели
19.2.4 Моделирование резного суда света
19.2.5 простота оптических соседних эффектов
19.3J Ультрафиолетовая технология прогресс
19.3.1 Прогресс источника света
19.3.2 Статус -кво литографического клея
19.3.3 Прогресс защитного фильма модели с покрытием
19.3.4 Поставка оловов и прогресс системы циркуляции
19.4 -Guide Self -сборка DSA Техническое введение
19.4.1 Принципы введение
19.4.2 Тип: расширение типа физического ограничения, расширение типа химической поверхности
19.4.3 Источник и улучшение дефектов
19.4.4 Введение в процесс графического проектирования
19,5 нано -дальновидные технологии введение
19.6 Введение в технологию Electronic Beam Direct Writing
Мыслительные вопросы
Цитирование
Глава D20 перспективы по разработке литографических технологий
20.1 Некоторые перспективы для дальнейшего развития технологии легкой резьбы.
20.2 Разработка оптической резьбы будет способствовать развитию связанных технологий в моей стране
Приложение Типичная графика тестирования оптических ремесел
Приложение B Процесс обработки крана для вырезания
Профессиональный словарный индекс
Отображать всю информациюИнтегральная индустрия является основой индустрии информационных технологий.Фотооседание является одной из основных технологий процесса интегрированной производственной промышленности.
«Технология литографии вблизи дифракции j Limit» принимает литографию в качестве основной линии, тесно связав теоретический расчет литографического оборудования, литографических материалов, литографии, различных идей моделирования и выводов в процессах литографии, технических требований к производству чипов и требованиям для различных параметров литографических процессов, чтобы показать читателям целую картину.
Эта книга представляет собой литографическую технологию, работающую с глубиной и шириной, охватывающей несколько дисциплин, полную архитектуру, всеобъемлющий контент, подробные данные, строгое обсуждение и сильную читаемость.Публикация этой книги поможет читателям иметь всеобъемлющее и углубленное понимание литографических технологий, способствовать обмену и сотрудничеству в различных областях литографических технологий, а также способствует обучению талантам, технологическому прогрессу и промышленному развитию.
Доктор Ву Цянь и другие авторы - эксперты по литографии ZS, которые выросли с развитием полупроводниковой промышленности. Они не только имеют глубокие академические фонды, но и имеют богатый промышленный опыт.Команда, которую они возглавляли, уже много лет работала на переднем крае многих компаний за пределами GN и освоила производственный процесс LX в отрасли. Их опыт работы с практическими проблемами и D-технонической перспективой отрасли вдохновляет и поможет читателям.Эта книга сочетает в себе теорию с практикой, продолжает носить с передовым компанией GJ Technology и заполняет пробелы в соответствующих книгах за пределами GN.