Численное моделирование компонентов микроэлектроники. Многослойные керамические конденсаторы Цзян Вулу и взаимосвязанные структуры Метод анализа масштаба и анализа разрушения в процессе миниатюры
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Название: Численное моделирование компонентов микроэлектроники
Цена: 63,00 юаня
Автор: Mei, Jiang Wugui, Li Ganglong, Liao Orally
Пресса: Machinery Industry Press
Дата публикации: 2019-12-01
ISBN: 9787111635147
Слова: 280000
Номер страницы: 194
Издание: 1
Переплет: мягкая обложка
Открыто: 16
«Численное моделирование компонентов микроэлектроники» в основном основано на многослойных керамических конденсатах и взаимосвязанных структурах в компонентах микроэлектроники в качестве объектов исследования.Книга в основном вводит метод масштабного эффекта и анализа сбоев многослойных керамических конденсаторов и взаимосвязанных структур в процессе химиказации, которые могут помочь и направлять исследования и разработчиков и учащихся компонентов микроэлектроники.
«Численное моделирование компонентов микроэлектроники» может использоваться в качестве эталонного показания для аспирантов, связанных с связанными специальностями, такими как механика, материалы, микроэлектроника, электронная упаковка.Он также может быть доступен для научных исследователей в соответствующих областях и техническом персонале, разработке соответствующих компонентов микроэлектроники для справки в их исследованиях и работе.
Каталог
Предисловие
Первая часть многослойного керамического конденсатора моделирования значений моделирования
Глава 1 Введение……………………………………………………………………………………2
1.1 Введение…………………………………………………………………………………………2
1.2 Значение исследования MLCC…………………………………………………………………………3
1.3 Основная структура и производственный процесс MLCC……………………………………………………………4
1.4 Разработка MLCC………………………………………………………………………………6
1.5 Основное содержание этой части……………………………………………………………………………9
Сформируемая металлическая моделирование главы 2 и теоретическая модель процесса спекания MLCC…………………………………10
2.1 модель конечных элементов………………………………………………………………………………10
2.2 Результаты численного моделирования и обсуждение……………………………………………………………………11
2.3 Двухмерная модель анализа и обсуждение……………………………………………………………………14
2.4 MLCC Три -мерная теоретическая модель………………………………………………………………………15
2.4.1 Описание модели……………………………………………………………………………15
2.4.2 Раствор среднего стресса каждого ребенка.……………………………………………………………17
2.3.3 Раствор остаточного напряжения диэлектрического керамического слоя и электродного слоя……………………………………………18
2.5 Результаты и дискуссии………………………………………………………………………………19
2.5.1 Сравнение различных методов……………………………………………………………………19
2.5.2. Влияние толщины однослойного диэлектрического слоя и общее количество слоев…………………………………………………20
2.5.3. Эффект толщины слоя покрытия…………………………………………………………………21
2.5.4 Влияние LCP и WCP…………………………………………………………………22
2.6 Сводка этой главы…………………………………………………………………………………22
Глава 3 Анализ остаточного напряжения в MLCC и его влияние на производительность диэлектрика……………………………244
3.1 Введение………………………………………………………………………………………244
3.2 Экспериментальный процесс…………………………………………………………………………………255
3.2.1 Образец и их основная производительность…………………………………………………………………255
3.2.2 Моделирование конечного элемента остаточного напряжения……………………………………………………………255
3.2.3 ИЗМЕРЕНИЕ РЕКОСТРАЦИИ ОСТАВЛЕНИЯ………………………………………………………………26
3.2.4 Измерение производительности диэлектрической производительности……………………………………………………………………27
3.3 Анализ теоретической теории пикселя пикселя……………………………………………………………………27
3.4 Анализ и обсуждение результатов…………………………………………………………………………29
3.1 Связь между остаточным стрессом и слоем среды MLCC…………………………………29
3.2 Влияние остаточного стресса на характеристики керамического смещения на основе BATIO3………………………………………31
3.4.3 Влияние остаточного напряжения и электрического поля DC BIAS на температуру CURIE……………………………………37
3.4.4 Влияние остаточного напряжения и смещения постоянного тока на частоту частоты диффузного……………………………………38
3.5 Сводка этой главы…………………………………………………………………………………41
Глава 4 Соединение тепловой мощности.……………………42
4.1 Трехмерная модель конечных элементов…………………………………………………………………………42
4.1.1 Геометрическая модель……………………………………………………………………………42
4.1.2 Шаги расчета……………………………………………………………………………43
4.2 Обсуждение результатов…………………………………………………………………………………45
4.2.1 Влияние числа диэлектрических………………………………………………………………45
4.2.2 Эффекты толщины единого слоя TD диэлектрического слоя……………………………………………………………46
4.3 Резюме этой главы…………………………………………………………………………………48
Рекомендации…………………………………………………………………………………………48
Вторая часть соединения электронной упаковки - недействительное моделирование
Глава 5 Введение в технологию электронных упаковок…………………………………………………………………54
5.1 Чип -надежность взаимодействия корпуса упаковки……………………………………………………60
5.2 Электронная упаковка Интегрированная точка сварки. Проблема сбой и надежности.…………………………………………63
5.3 Исследование надежности структуры соединения кремния……………………………………………………………71
Глава 6 Структура взаимодействия водного плана взаимодействия с водным планом трехмерное моделирование конечных элементов………………………………75
6.1 Трехмерная модель конечных элементов сварной конструкции сварной конструкции………………………………………………………75
6.2 Анализ чувствительности параметров модели сварного соединения………………………………………………………76
6.3 Влияние размера влияния сварочных суставов на надежность структуры сварки сустава………………………………………82
6.4 Влияние металлического слоя (UBM) в рамках выпуклой точки на надежность интерактивной структуры припоя……………………………86
6.5 Сводка этой главы…………………………………………………………………………………89
Глава 7 Электрическая сварная сварная сварная связь подключение трехмерного моделирования конечных элементов……………………………………91
7.1 Введение………………………………………………………………………………………91
7.2 Создание трехмерной модели конечных элементов……………………………………………………92
7.3 Моделирование нагрузки поставщика и механической нагрузки сварной единицы сварного блока…………………………………………93
7.4 Влияние размера влияния сварочных суставов на надежность структуры сварки сустава………………………………………98
Влияние 7,5 металлического слоя (UBM) на надежность структуры сварочного соединения……………………………………102
7.6 Сводка этой главы…………………………………………………………………………………103
Глава 8 Анализ двухмерных конечных элементов влияния IMC и раздела, стоящих перед надежностью сварки суставов………………………104
8.1 Введение………………………………………………………………………………………104
8.2 Влияние геометрического внешнего вида границы раздела на хрупкое разрушение меметальных соединений………………………………………107
8.3 Влияние геометрического появления интерфейса на повреждение повреждения слоя интерфейса IMC/ Snagcu……………………………………110
8.4 Влияние трещин интерфейса на надежность припоя суставов…………………………………………………………115
8.5 Сводка этой главы…………………………………………………………………………………118
Глава 9 Анализ влажного термического стресса формулы структуры полюса кремниевого полюса………………………………………100
9.1 Введение………………………………………………………………………………………100
9.2 Модель конечных элементов………………………………………………………………………………100
9.3 Модель влажного напряжения………………………………………………………………………………121
9.4 Модель теплового напряжения………………………………………………………………………………123
9.5 Результаты и дискуссии………………………………………………………………………………123
9.6 Сводка этой главы…………………………………………………………………………………127
Глава 10 на основе анализа теплового напряжения взаимосвязанной структуры теории теории пластичности на основе лестницы……………………128
10.1 низкий уровень должен быть преобразован градиентный пластиковый теория введение…………………………………………………………128
10.2 Учитывая низкоуровневую градиентную пластическую теорию термической связи тепловой связи этой структуры…………………………………129
10.3 Расчет теоретического значения TSV…………………………………………………………………131
10.4 Результаты расчета теории пластической теории CMSG………………………………………………………………133
10.5 Сводка этой главы………………………………………………………………………………144
Глава 11 Дизайн теста и оптимизация структуры TSV…………………………………………………145
11.1 Тестовый дизайн………………………………………………………………………………145
11.2 Оптимизация междисциплинарного дизайна………………………………………………………………………146
11.3 Многочисленные технологии оптимизации Введение……………………………………………………………………147
11.4 Основные этапы дизайна тестового проектирования и оптимизации структуры………………………………………………148
11.5 Процесс проектирования тестирования…………………………………………………………………………149
11.6 Оптимизированный анализ проектирования и результатов…………………………………………………………………152
11.7 Резюме этой главы………………………………………………………………………………155
Глава 12 Тепловая численная эмптология паттерного слоя крысы………………………………………………156
12.1 Основные принципы расчета тепловых напряжений микроэлемент………………………………………………………156
12.2 Полные параметры размера структуры устройства………………………………………………………………160
12.3 Принципы расчета эквивалентности и формируемой более ранней микро -зоны…………………………………………………161
12.4 Расчет состояния теплового напряжения процесса возмещения………………………………………………………166
12.5 Оптическое Мур Монтерическое тестирование Проверка расчетной модели………………………………………………170
12.6 Резюме этой главы………………………………………………………………………………173
Глава 13 Экспериментальные исследования по вторжению взаимосвязанной структуры………………………………………………174
13.1 Cu/ TA/ Low K материал/ Струкция SI.………………………………………………174
13.2 Экспериментальный процесс………………………………………………………………………………175
1.3.3 Анализ поведенческого анализа взаимосвязанной структуры интерфейсов micr……………………………………………………177
13.4 Резюме этой главы………………………………………………………………………………184
Рекомендации…………………………………………………………………………………………184