CMOS -моделирование интегрированная схема Wang Yongsheng Tsinghua University Press Tsinghua разработчика книжных книг моделирование библиотеки CMO Интегрированное дизайн схемы дизайна книги «Усовершенствование бакалавриата» и «Учебники для аспирантов
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
|
E2
Название: Интегрированная цепь моделирования CMOS
Цена: 89,00 юань
Автор: Ван Юншенг
ISBN: 9787302540229
Дата публикации: 2020.03.01
Пресса: издательство Tsinghua University Press
Эта книга объясняет соответствующие знания об анализе и проектировании интегрированной схемы CMOS: В основном он вводит фон интегрированной конструкции моделирования CMOS, физики устройств MOS и знаний, связанных с моделированием; Анализ источника тока, тока зеркала и эталонных источников, а также основные усилители, такие как конъюгатные полюсы, общие утечки, общие сетки, сетки Co -Source и т. Д. В то же время проанализируйте частоту, шум и другие характеристики схемы и далее обсудите усилитель расчета, структуру обратной связи и его стабильность и компенсацию частоты; Затем обсудите схему конденсатора и компаратор Switch, а затем введите основную структуру и рабочие принципы цифрового модуля и конвертеров модуля; Более поздние технологии проектирования обсуждения, связанная с интегрированной схемой моделирования CMOS.Эта книга может использоваться в качестве учебника по бакалавриату и выпускникам для электронной информации в колледжах и университетах. Она также может использоваться в качестве справочника для инженеров в связанных областях.
Оглавление
Глава 1
1.1 Схема моделирования и цифровой цепь
1.2 Уровень абстракции схемы
1.3 Моделирование интегрированной конструкции цепи
1.4 Символьные отметки
1.5 Сводка этой главы
Глава 2 Устройство и модель MOSFET
2.1 Введение
2.2Mosfet Структура устройства
2.2.1mosfet Device
2.2.2CMOS
2.3 Mosfet Device I/V функции
2.3.1 Рабочая зона
2.3.2 Выходные функции и характеристики передачи
2.3.3 Эффект модуляции стоматологической длины
2.3.4 Эффект тела
2.3.5 Подтероговое значение для эффекта оборота
2.4MOSFET модель устройства
2.4.1Mosfet Device Большой сигнальной модели
2.4.2mosfet Device малой сигнальной модели
2.4.3 Модель шума Mosfet
2.4.4mosfet Device Model
2,5 моделирования специй с цепью.
2.5.1 СПИСА ОСНОВНОЕ ОПИСАНИЕ
2.5.2 Основное моделирование в Inspice
2.6 Сводка этой главы
упражнение
Глава 3 Источник тока CMOS и текущее зеркало
3.1 Введение
3,2 Мосфета источник тока
3.2.1 Простой источник тока
3.2 .2
3,3 МОСОВОГО ЗЕРКОНА
3.3.1 Основное зеркало тока
3.3.2 Общее зеркало тока сетки источника
3.3.3 Большое зеркало Co -Sporce Grid
3.3.4 Текущее зеркало Уилсона
3.4 Краткое содержание этой главы
упражнение
Глава 4
4.1 Введение
4.2 Источник напряжения
4.2.1 Разное источник напряжения напряжения.
4.2.2 Источник справочного источника напряжения источника
4.2.3 BASTBA BASE BASE SOURCE SOURCE
4.3 Текущий эталонный источник
4.3.1 Простой базовый источник на основе текущих зеркал
4.3 .2
4.3.3ptat тока справочного источника
4.4 Резюме этой главы
упражнение
Глава 5 CMOS Одиночный слиткий
5.1 Введение
5.2 Метод базового анализа усилителя
5.2.1 Увеличение напряжения
5.2.2 Усилитель не -линейный
5.3 Экстремальный усилитель общего источника
5.3.1 Общий усилитель источника с нагрузкой на сопротивление
5.3.2 Общий усилитель источника, подключенный к нагрузке транзистора MOS
5.3.3 Общий усилитель источника с использованием нагрузки источника тока
5.3.4cmos push -plus усилитель
5.4 Усилитель полюса утечки
5.5 капральный полярный усилитель
5.6 Gongyuan, казино, ставит Dalfa
5.7 Краткое содержание этой главы
упражнение
Глава 6 Дифференциальный усилитель CMOS
6.1 Введение
6.2 Дифференциальный метод работы
6.3 ОСНОВНЫЕ МОС
6.3.1 Большой анализ сигналов
6.3.2 Анализ небольшого сигнала
6.4 Ответ CO -Mode
6.5 Дифференциальные пары активных нагрузок
6.5.1 Дифференциальные пары с использованием нагрузки источника тока
6.5.2 Дифференциальные пары нагрузок MOS, подключенные диодом
6.5.2 Дифференциальные пары с использованием зеркальной нагрузки тока MOS
6.6 Краткое содержание этой главы
упражнение
Глава 7 CMOS -усилитель частотная реакция
7.1 Введение
7.2 Частотная характеристика усилителя
7.2.1 Низкие характеристики.
7.2.2 Особенности Qualcomm
7.2.3 Тибетские характеристики
7.2.4
7.3 Теорема Michler
7.4 Метод анализа частотной характеристики
7.4.1 S Метод анализа доменов функций передачи функций——Высокая частота
7.4.2 Метод анализа доменов S домена для передачи функций——Низкая частота
7.4.3 Метод емкости Мичига
7.4.4 Метод нулевого значения
7.4.5 Метод короткого цикла
7.5 Частотная характеристика одного усилителя
7.5.1.
7.5.2 Полярное усилитель утечки
7.5.3 Капральный полярный усилитель
7.5 .4
7.6 Частотная характеристика дифференциального усилителя
7.6.1 Полный дифференциальный усилитель
7.6.2 Токовое зеркало в качестве дифференциального усилителя для нагрузки
7.7 Сводка этой главы
упражнение
Глава 8 Шум
8.1 Введение
8.2 Показ шума
8.3 Тип шума и модель шума
8.3.1 Тип шума
8.3.2 Модель шума интегрированной схемы устройства
8.4 Расчет шума в цепи
8.4.1 Связанные источники шума и не связанные с источниками шума
8.4.2 Эквивалентный входной шум
8.4.3 Эквивалентный источник ввода шума в транзисторе транзисторов MOS
8.4.4 Шумовая полоса пропускания
8.5 Шум в основном усилителе
8.5.1 Общий источник чрезвычайно усилитель
8.5.2 Общее усилитель утечки полюса
8.5.3 Капральный полярное усилитель
8.5 .4
8.6 Шум в дифференциальной лауреа
8.7 Резюме этой главы
упражнение
Глава 9 Отзыв
9.1 Введение
9.2 Идеальная обратная связь
9.3 Особенности схемы обратной связи
9.3.1 Уменьшение чувствительности усиления
9.3.2 Изменения входного и выходного импеданса
9.3.3 Изменение частотной характеристики
9.3.4 Повышенная линейность
9.4 Структура топологии обратной связи
9.5 Структура обратной связи
9.5.1 Кандидат 联 Параллельная обратная связь
9.5.2 Кандидат 串 Отзыв кандидата
9.5.3 Параллельная 反 反 обратная связь обратная связь
9.5.4 Параллельная 联 серия обратная связь
9.6 Влияние фактической структуры обратной связи и нагрузки
9.6.1 Фактическая серия Параллельная обратная связь
9.6.2 Фактическая кандидация Кандидат. Отзывы
9.6.3 Фактическая параллельная 3 обратная связь с обратной связью
9.6.4 Фактическая параллельная 4 -серия отзывов серии
9.7 Влияние обратной связи на шум
9.8 Анализ и конструкция схемы обратной связи
9.8.1 Отношения обратной связи
9.8.2 Анализ усилителя обратной связи
9.8.3 Дизайн усилителя обратной связи
краткое содержание главы
упражнение
Глава 10 CMOS Оперативный усилитель
10.1 Введение
10.2 Параметры производительности вычислительного усилителя
10.2.1 Прибыль
10.2.2 Частотные характеристики
10.2.3 Входное сопротивление и выходное сопротивление
10.2.4 Введите напряжение расстройства
10.2.5 Общий диапазон ввода модели
10.2.6 Общий коэффициент подавления модели
10.2.7 Коэффициент подавления мощности
10.3 Оперативный усилитель одного CMOS
10.3.1 Основной вычислительный усилитель одноуровня
10.3.2 Установите усилитель транспорта сетки CO -Source
10.3.3 Складное транспортное усилитель складки
10.4 Два операционного усилителя CMOS
10.4.1 Базовый усилитель вторичного расчета
10.4.2 Используйте второй вычислительный усилитель общего источника
10,5CMOS Оперативный усилитель
10.5.1 Классификация структуры схемы выходного класса
10.5.2 Утечка утечка полярной выходной стадии
10.5.3ab push -pull выходной ступень
10.6 Полный дифференциальный усилитель вычислений и обратная связь с общим режимом
10.6.1 Характеристики полного дифференциального усилителя
10.6.2 Общая обратная связь модели
10.7 Коэффициент конверсии
краткое содержание главы
упражнение
Глава 11 Стабильность и Компенсация частоты
11.1 Введение
11.2 Анализ стабильности
11.2.1 Проблема стабильности
11.2.2.
11.2.3 Руководство по устойчивости кольцевой дороги и стабильности Нарврты
11.2.4 Усиление усиления и фазовой маржи
11.2.5 Эффект фазового края
11.2.6 Анализ стабильности Бернуса
11.3 Технология компенсации
11.3.1 Увеличьте основную точку полюса
11.3.2. Измените основную точку полюса
11.3.3 Компенсация Миллера и полярное раскол
краткое содержание главы
упражнение
Сравнение главы 12
12.1 Введение
12.2 Характеристики компаратора
12.3 Корабельный и оперативный усилитель
12.4 Порог компаратора
12.5 Структура сравнения
12.5.1 Используйте компаратор OP AMP
12.5.2 Выходной компаратор Push -pull
12.5.3 Comporator на основе структуры на основе блокировки
12.5.4 Уровень Couplet Comparator
12.5.5 Сравнение дискретного времени
12.6 Сравнительные
12.6.1 Антифазный стагнационный компаратор
12.6.2 Той же фазовый компаратор стагнации.
12.6.3 Стандартные компараторы с эталонным напряжением
12.6.4 Влияние отставания на выходное напряжение
12.7 Дисляция устранения
12.7.1 Устранение выходного расстройства
12.7.2 Устранение входного дисбаланса
12.7.3 Устранение вспомогательных усилителей усилителей
12.8 Резюме этой главы
упражнение
ГЛАВА 13 КОНДЕГОГА
13.1 Введение
13.2 Основная емкость переключения
13.3 Структура топологии конструкции коммутатора.
13.4 Основная единица
13.4.1 Вычислительный усилитель
13.4.2 емкость
13.4.3 Переключатель
13.4.4 Нет часов перекрытия
13,5 конденсатор переключателя размещает большие
13.6 Точки конденсации коммутатора
13,7 z -диаграмма сигнала домена схема конденсатора переключателя
13.8 Фильтр конденсатора переключения
13.9 Резюме этой главы
упражнение
Глава 14 ЦАП
14.1 Введение
14.2 Цифровой модуль (DAC)
14.2.1 Основные особенности DAC
14.2.2 Типичная структура ЦАП
14.3 Модельный конвертер (ADC)
14.3.1 Основные функции
14.3.2ADC Типичная структура
14.4 Резюме этой главы
упражнение
Глава 15 Конструкция макета интегрированной цепи,
15.1 Введение
15,2 Мос Кристаллическая трубка
15.3 Симметрия
15.4 Источник непрописного устройства
15.4.1 Сопротивление
15.4.2 емкость
15.4.3 Индуктор
15.5 соединение
15.6 Шум и помехи
15.7 Сводка этой главы
Справочный ответ и анализ упражнений
Рекомендации