Подлинный модуль IGBT: технология, драйвер и приложение (китайская версия; оригинальная книга 2)
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| Название продукта: | Модуль IGBT — технологический драйвер и приложение (китайская версия оригинальной книги, 2-е издание) | формат: | 4 |
| Автор: | (DE) Андреас·Фальк//Майкл·Хао Канпу | Переводчик: Хан Цзинган | Количество страниц: | |
| Цены: | 88 | Время публикации: | 2016-06-01 |
| Номер ISBN: | 9787111535669 | Время печати: | 2016-06-01 |
| Издательство: | Машиностроение | Издание: | 1 |
| Типы продукта: | книги | Время печати: | 1 |
С появлением и постоянным развитием силовых полупроводниковых МОП-приборов индустрия силовой электроники получила возможность достичь высокой плотности мощности и высокой эффективности системы.Развитие силовых полупроводников, технологий упаковки и прикладных технологий также повысило надежность системы и снизило ее стоимость.В диапазоне мощностей от десятков ватт до десятков мегаватт IGBT является ключевой технологией и ключевым устройством.Эта книга Андреаса·Фальк, Майкл·«Модуль IGBT» Хао Канпу——Основная цель книги «Технологические драйверы и приложения (китайская версия оригинальной книги, 2-е издание)» — дать читателям возможность легко понять основные характеристики IGBT и понять технологию их применения.Эта книга поможет студентам понять современные основные силовые полупроводниковые устройства и их применение, а также может помочь инженерам, занимающимся исследованиями и разработками силовых электронных преобразователей, всесторонне и ясно изучить выбор, расчет и проектирование модулей IGBT.
Переводчик
последовательность
Предисловие
Глава ** Силовые полупроводники
1.1 Введение
1.1.1 Собственная концентрация носителей
1.1.2 Допинг
1.1.3. Движение носителей в полупроводниках.
1.1.4 Генерация и рекомбинация носителей
1.1.5 ПН-переход
1.1.6 Обратная разбивка
1.1.7 Производственный процесс
1.2 диод
1.2.1 Диод быстрого восстановления
1.2.2 Диод источника питания (выпрямителя)
1.2.3 Диод Шоттки
1.2.4 Стабилитрон и лавинный диод
1.3 Кристаллическая трубка
1.4 Биполярные транзисторы и полевые транзисторы
1.4.1 Биполярный транзистор (BJT)
1.4.2 Полевой транзистор (FET)
1,5 * Биполярный транзистор с краевым затвором (IGBT)
1.5.1 Проходной (PT) IGBT
1.5.2 Непробиваемый (NPT) IGBT
1.5.3 БТИЗ с возбуждением (FS)
1.5.4 Траншейный БТИЗ
1.5.5 Биполярный транзистор с траншейным затвором несущей памяти (CSTBTTM)
1.5.6 Транзистор затвора улучшения инжекции (IEGT)
1.5.7 Полевая заделка траншейных ворот (Trench-FSIGBT)
1.5.8 БТИЗ обратной проводимости (RCIGBT)
1.5.9 Дополнительные функции интеграции IGBT
1.6 Перспективы
1.7 Производитель
Ссылки в этой главе
Глава 2. Структура устройства IGBT.
2.1 Введение
2.2 Материалы модулей IGBT
2.2.1 Пластиковая рамка
2.2.2 Подложка
2.2.3 Подложка
2.2.4 Формовочные материалы, эпоксидная смола и силикон
2.3 Процесс электрического соединения
2.3.1 Технология внутреннего электрического подключения
2.3.2 Технология внешнего электрического подключения
2.4 Концепция дизайна
2.4.1 Стандартный модуль IGBT
2.4.2 Прессовая посадка IGBT
2.4.3 Интеллектуальный силовой модуль (IPM)
2.4.4 Литой модуль IGBT
2.4.5 Дискретный БТИЗ
2.4.6 Комплект
2.5 Внутреннее параллельное соединение полупроводников
2.6 Низкопрофильный дизайн
2.7 Топология схемы модуля IGBT
2.8 Координация границ IGBT*
2.8.1 Воздушные зазоры и пути утечки
2.8.2 *Крайнее напряжение
2.8.3 Частичный разряд
2.9 Обзор производителя
Ссылки в этой главе
Глава 3 Электрические характеристики
3.1 Введение
3.2 Прямые характеристики диода
3.3 Коммутационные характеристики диодов
3.3.1 Включение диода
3.3.2 Выключение диода
3.4 Прямые характеристики IGBT
3.5 Коммутационные характеристики IGBT
3.5.1 Характеристики активации IGBT
3.5.2 Характеристики выключения IGBT
3.5.3 Заряд ворот и эффект Миллера
3.5.4 Сравнительный анализ характеристик запирания NPTIGBT и траншейных IGBT
……
Глава 4. Термические принципы
Глава 5 Руководство по данным модуля
Глава 6 Драйвер IGBT
Глава 7. Характеристики переключения в практических приложениях
Глава 8 Параллельное и последовательное соединение модулей IGBT
Глава 9. Радиочастотные колебания.
**Глава 0. Руководство по механической установке.
**Глава 1. Основные схемы и примеры применения.
**Глава 2. Измерение сигналов и контрольно-измерительные приборы.
**Глава 3. Проектирование инвертора.
**Глава 4. Качество и надежность.
Приложение Сокращения терминов
......
Андреас Волке окончил Университет прикладных наук Сост по специальности «Электроэнергетические технологии» и после окончания учебы стал инженером-разработчиком аппаратного и программного обеспечения. В 1997 году он работал в компании Siemens инженером по развертыванию и отладке.Присоединился к компании Infineon в 2003 году и отвечает за разработку приложений IGBT-модулей и драйверов для промышленных, автомобильных и потребительских приложений в Азиатско-Тихоокеанском регионе.В 2012 году он стал руководителем отдела проектирования высоковольтных приложений PowerInIegrations, который в основном отвечает за разработку драйверов по индивидуальному заказу клиентов и комплексную техническую поддержку.Майкл Хорнкамп окончил Университет прикладных наук Соста по специальности «Электроэнергетические технологии» и работал в Китае инженером-проектировщиком.Позже он присоединился к компании Stromag Elektronik в Германии в качестве инженера-разработчика сервоприводов.Присоединился к Infineon в 2000 году и отвечал за управление командой инженеров по приложениям для IGBq, модулей и драйверов, а затем стал менеджером по техническому маркетингу бизнес-подразделения модулей IGBT средней мощности.Присоединился к КТ в 2009 году.—Concept Corporation, ныне Power Integrations.В настоящее время он является главным директором по маркетингу подразделения высоковольтной продукции компании Power Integrations.