[Печать по требованию] Полупроводник Taehez Source/обнаружение и применение/полупроводниковые науки и технологии серии Science Publishing Hous
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Книги базовая информация
Название: Полупроводник Tae Hezyuan, Detector and Application
ISBN: 9787030334022
Автор: Cao Juncheng
Пресса: Science Press
Название серии: серия полупроводниковых наук и техники
Цена версии POD: 168 Юань
Текстовый язык: китайский
Переплет: мягкая обложка
Формат: 16
Страница: 460
Слова: 560000
Оглавление
Предисловие
Глава 1 ТГц генерация волн, обнаружение и резюме применения
1.1 Введение
1,2 ТГц генерация волн
1,3 ТГц обнаружение волн
1,4 ТГц применение волны
1.5 Резюме
Рекомендации
Глава 2 Взаимодействие поля ТГц и с низким уровнем полупроводника и электронного транспорта с высоким полем
2.1 Взаимодействие между ТЭЗ и неоднородностью
2.1.1 Введение
2.1.2 Электронная транспортировка гетерогенных узлов под действием ТГц -поля
2.1.3 Многофотонное вспомогательное поглощение гетерогенных узлов под действием ТГц поле
2.1.4 ТГц -чувствительная гетерогенная полоса и столкновения.
2.1.5 Резюме
2.2. Поглощение света квантовой ловушки под действием ТГц поле
2.2.1 Введение
2.2.2 Под действием светового поля количество электрона в квантовой ловушке
2.2.3 Поглощение света насоса квантовой ловушки.
2.2.4 Связанный контроль перехода квантовой полосы ловушек
2.2.5 ТГц полевые действия действуют под действием квантовых полос ловушек и поглощают
2.2.6 ТГц действие поля под действием поглощения квантовой ловушки
2.2.7 Резюме
2.3. Поглощение света супер кристаллической сетки под действием ТГц -поля
2.3.1 Введение
2.3.2 Уравнение квазилатерального бозонного терминала и движения Тингзи
2.3.3. Поглощение света и поляризация супер кристалла под действием ТГц -поля
2.3.4 Резюме
2.4 Полупроводниковые электронные транспортировки высокого уровня
2.4.1 Введение
2.4.2 Dabo -Valley Semiconductor High Field Электронный транспорт
2.4.3 НЕ -Пангальная полупроводниковая электроника
2.4.4 Процесс столкновения между непараболическим полосовым полупроводником
2.4.5 Резюме
Рекомендации
Глава 3 Электронный ТГц генератор и моделирование устройства
3.1 ТГц -отрицательный действительный генератор с негативным качеством.
3.1.1 Введение
3.1.2 Отрицательное достоверное полупроводниковое транспортировку
3.1.3 Режим и частоту ТГц -тока.
3.1.4 Резюме
3.2 ТГц осциллятор на основе отрицательных проводников микро -дивизиона на основе точки внутреннего отражения
3.2.1 Введение
3.2.2 ТГц дизайн осциллятора на основе точки внутреннего отражения
3.2.3 Внутренняя точка отражения ТГц моделирование генератора
3.2.4 Резюме
3.3 Инъекция проникновения в туннель с течением времени ТГц осциллятор
3.3.1 Введение
3.3.2 Метод квантовой границы передачи
3.3.3 DC и небольшие функции транспортировки сигналов устройств
3.3.4 Резюме
3.4 Two -blim Resonance Tunnel через ТГц генератор
3.4.1 Введение
3.4.2 Модель сцепления с визой
3.4.3 Характеристики резонансного туннеля через структуру ⅰ-ⅴ Характеристики
3.4.4 ТГц -колебание резонансного туннеля через структуру
3.4.5 Быстрые характеристики переключения
3.4.6 Резюме
3.5 Моделирование динамики жидкости полупроводниковых устройств
3.5.1 Введение
3.5.2 Параболическая динамическая динамическая динамическая динамическая динамическая динамическая равновесие моделирование
3.5.3 Непараболическая может привести к моделированию полупроводникового устройства
3.5.4 Multi -Energy Valley непараболическая может быть смоделирована с помощью полупроводникового устройства
3.5.5 Резюме
Рекомендации
Глава 4 ТГц полупроводник негативное качество массы генератора не -линейная динамика
4.1 Введение
4,2 ТГц негативная эффективная динамика хаоса качества.
4.2.1 ТГц колебание при смещении постоянного тока
4.2.2 Преобразование между циклом и хаосом
4.3 ТГц отрицательный эффективный качественный режим поля генератора
4.4 Карта тека Пенкале в соответствии с действием ТГц -поля
4,5 ТГц поля действий с диаграммой ветвей спектра мощности тока
4.6 Резюме
Рекомендации
Глава 5 ТГц полевой активности
5.1 Микрокристаторное генератор среднего электрического поля и отрицательная проводимость микроэлемента
5.1.1 Введение
5.1.2 Домен электрического поля и отрицательная проводимость микро -дивизиона
5.1.3 Влияние микропроводности и концентрации допинга
5.1.4 Резюме
5.2 ТГц Полевое действие времени и пространства тока в микро -полосовой супер -кристаллической сетке и хаосе
5.2.1 Введение
5.2.2 Категория электрического поля и самооценка тока колебания
5.2.3 Синхронные колебания и подавление тока
5.2.4. Динамика хаоса микроавтобуса
5.2.5 Сводка
5.3 ТГц поле и магнитное поле.
5.3.1 Введение
5.3.2 Электронная транспортировка супер кристаллической микроклавы
5.3.3 Эволюция средней скорости электрона в микроатлетичке супер кристаллической решетки
5.3.4 Характеристики динамики хаоса
5.3.5 Резюме
5.4 ТГц полевой действие динамики хаоса в супер кристалле квантовой точки
5.4.1 Введение
5.4.2 Электронная транспортировка квантовой точки.
5.4.3 Скороэлектрические отношения и частота релаксации
5.4.4 Динамика хаоса квантовой точки супер кристалла под действием ТГц поля
5.4.5 Зависимость области хаоса и параметров управления
5.4.6 Резюме
Рекомендации
Глава 6 Графена ТГц свойства оптоэлектроники
6.1 Введение
6.2 Resonance Tunnel через графенную мульти -квантовую ловушку
6.2.1 Метод матрицы передачи системы графена
6.2.2 Графеновая мульти-
6.3 Graphene Pn jie в третьем заказ не -линейной оптической проводимости ТГц -полосы
6.3.1 Теоретическая модель
6.3.2 Третий -заказ не -линейный ТГц оптический гид
6.4 Пятый заказ нелинейный оптический проводник графена в полосе частоты ТГц
6.4.1 Теоретическая модель
6.4.2 Пятый -заказ нелинейный ТГц оптическая проводимость
6.5 Сильное ТГц оптическое руководство двойного графена нано
6.6 Резюме
Рекомендации
Глава 7 ТГц полупроводник квантовой класс лазер
7.1 Введение
7.2 ТГц QCL Research прогресс
7.3 ТГц принцип и дизайн QCL
7.3.1 ТГц базовые принципы QCL
7.3.2 ТГц дизайн исходной области QCL
7.3.3 ТГц QCL Waveguide Design
7.3.4 ТГц QCL Power Enhancement Design
7.4 Метод моделирования QCL THZ
7.4.1 Метод квантовой динамики
7.4.2 Метод Монте -Карло
7.4.3 Метод метода уравнения
7.5 Четыре Потосо -Резонансного звучания THZ QCL
7.5.1 Hot Sound эффект
7.5.2. Отмена и усиление числа частиц
7.5.3 ⅰ-ⅴ Особенности
7.5.4 Характеристики температуры
7.6 Три Tori Reonance Sound THZ QCL
7.6.1 Multi -Bethode Effect
7.6.2 Оптимизация параметров
7.6.3 Влияние звуковой ловушки
7.7. Один верхний инъекционный резонанс THZ QCL
7.7.1 Зависимости от электрического поля
7.7.2 температурные зависимости
7,8 ТГц подготовка и измерение QCL
7.8.1 ТГц рост и представление материала QCL
7.8.2 Двойной металлический волновод THZ QCL
7.8.3 Полу -изоляционная плазма
7.8.4 Спектральное измерение
7.8.5 Измерение мощности
7.8.6
7.9 Резюме
Рекомендации
Глава 8 ТГц полупроводниковая квантовая ловушка обнаружение
8.1 Введение
8.2 ТГц принцип обнаружения QWP
8,3 ТГц моделирование устройства QWP
8.3.1 Обзор метода моделирования
8.3.2 Область источника может принести расчет
8,4 ТГц QWP Dark Cucce
8.4.1 Модель темного тока
8.4.2 Сравнение теории и экспериментов темного тока
8,5 ТГц спектр оптического тока QWP
8.5.1 Механизм генерации оптического тока
8.5.2 Коэффициент поглощения света
8.5.3 Сравнение спектра оптического тока теории и экспериментов
8.6 ТГц многофункциональный эффект QWP
8.6.1 Энергия с эффектами мульти -тела
8.6.2 Рассмотрим спектр оптического тока эффекта мульти -тела
8,7 ТГц -сцепление QWP
8.7.1 Основное рассмотрение связывания решетки
8.7.2 Теория дифракции гравий
8.7.3 Дизайн и оптимизация металлической решетки
8,8 ТГц подготовка и измерение QWP
8.8.1 ТГц подготовка QWP
8.8.2 ТГц измерение QWP
8.8.3 ТГц характеристика QWP THZ Spectrum запуска QCL
8,9 ТГц КВП мелодии магнитного поля
8.9.1 Модель дисперсии и поглощения цветов тонкого магнитного полупроводника
8.9.2. Поглощение пиков под магнитным полем THZ QWP
8.10 Новый ТГц -детектор ловушки на основе колебаний магнитного сопротивления
8.10.1 Магнитное сопротивление колебания субтитрального подзадачи -в -см. ТГц поля
8.10.2 Новый проект детектора квантовой ловушки ТГц
8.11 Резюме
Рекомендации
Глава 9 передача ТГц -волны
9.1 Введение
9.2 Передача ТГц -волны в атмосфере
9.3 передача ТГц -волн в разных средах
9.4 Передача ТГц -волны в металлических шелковых волнах
9.5 Резюме
Рекомендации
Глава 10 ТГц общение
10.1 Введение
10.2 Фотон -кристаллические отражатели в ТГц -локальной сети
10.2.1 ТГц -волновая отражательная способность кристаллов фотонов
10.2.2 ТГц волновой отражатель
10.3 Модуляция ТГц -волн
10.3.1 Прямая модуляция THZ QCL
10.3.2 Модуляция ТГц -волн кристаллов фотонов
10.4 Демонстрация беспроводной связи на основе ТГц QCL и THZ QWP
10.4.1 Системный состав
10.4.2 Устройство охлаждения
10.4.3 Текстовая передача
10.4.4 Передача изображений
10.4.5 Аудио -передача
10.5 Сводка
Рекомендации
Глава 11 ТГц визуализация
11.1 Введение
11.2 ТГц классификация и характеристики визуализации
11.3.
11.3.1 THZ THZ THENCOMENTY TECHNOLCH LOCK LOCK
11.3.2 THZ QCL в качестве технологии микширования для этого источника
11.3.3 ТГц технология обнаружения массива QWP
11.4 Экземпляр визуализации на основе ТГц QCL и THZ QWP
11.4.1 Обзор прогресса исследований визуализации на основе ТГц QCL
11.4.2.
11.4.3 Пассивная визуализация на основе ТГц QWP
11.4.4 Входное сканирование на основе ТГц QWP
11.4.5 Изображение компьютера на основе THZ QCL и THZ QWP
11.5 Резюме
Рекомендации
На данный момент нет каталога