Графическая технология чип -технологии Мастер лекция по технологии режущая серия преподавателей лекции по технологии режут серии серии Чип
Цена: 656руб. (¥31)
Артикул: 600233488281
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:墨涵图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥86.21 822руб.
¥ 188 133.82 828руб.
¥51.81 095руб.
¥ 39 23.4495руб.
| Основная информация, обратитесь к следующему введению | |
| Название книги: | Графическая технология чипов |
| Автор: | Тянь Минбо |
| Цены: | 49.00 |
| Номер ISBN: | 9787122339607 |
| Издательство: | Химическая промышленность пресса |
|   Редактировать рекомендацию | |
Инцидент с ZTE глубоко шокировал китайцев, позвольте нам понять, что чип вполне заслуживает&Ldquo; тяжелое оружие страны&Rdquo; и у нас все еще есть значительный разрыв с продвинутым уровнем мира.«Иллюстрация чип -технологии» приглашает хорошо известного профессора в Университете Цинхуа. Преподаватель Тянь Минбо, эксперт по упаковке чипов в моей стране, подробно написал его, чтобы ввести основные технологии и направления развития резания чипов, литографии и упаковки, которые имеют Значительная ценность для начинающих. |
| Введение в контент | |
В ответ на многоуровневые потребности входах, кандидатов и разработчиков исследователей под предварительной предпочтением предоставления большого количества информации, «рисование чип -технологии» принимает форму графики и текста, которая всесторонне и кратко вводит принцип чипа Работа, интегрированные схемы, технологии производства, новый прогресс, новые приложения и перспективы развития чипов.Под каждой главой“ ясно ясно&Rdquo; как обсудить путь, с правильной картинки, изображения и текста, и дайте его&Ldquo; фокус этого раздела”.Стремиться к простому и простому -для -понятном, простое -для -понятно; четкие уровни, четкие идеи; богатый контент, основные моменты; новый выбор материалов, подчеркивая приложения. |
| Каталог | |
| Глава 1  Введение в интегрированную схему 1.1  Обзор 2 1.1.1  от отдельных компонентов до интегрированной схемы 2 1.1.2  от кремниевого круглого чипа до чипа до упаковки 4 1.1.3  функция триода—— его можно сравнить с водными дорогами со шлюзой 6 1.1.4  N DITIC MOS (NMOS) Триод Принцип работы 8 1.1.5  Diend State Chateage Cuccepare на устройствах MOS 10 1.2  полупроводниковый кремниевый материал—— Core и Foundation интегрированной схемы 12 1.2.1  MOS -тип и транзистор биполярного узла 12 1.2.2  Диаграмма рисунка конструктора CMOS (тип типа P) 14 1.2.3&Nbsp; блок хранения флеш“ написать”“ стирание”“ читать&Rdquo; принцип работы 16 1.3  Классификация компонентов интегрированной цепи 18 1.3.1  функции и типы IC 18 1.3.2 ram и rom20 1.3.3  метод классификации полупроводниковых устройств 22 1.4  Процесс процесса процесса полупроводниковых устройств 24 1.4.1  передний процесс и задний корабль 24 1.4.2  IC -чип -процесс процесса введение 26 Забронировать на мысе чайный стол Десять лучших вех в истории интегрированной схемы 28 Глава 2 от диоксида кремнезема до пластины 2.1  полупроводниковый кремниевый материал 36 2.1.1  кремний в настоящее время является наиболее важным полупроводниковым материалом 36 2.1.2  кристаллические дефекты в монокристаллическом кремнеоне 38 2.1.3  PN0 в примесях в PN Knot 40 2.1.4  Классификация сопротивления изоляторам, полупроводникам и проводникам по сопротивлению 42 2.2  от кремния к кремнию в кремнии до 99,99999999%высокого кремния 44 2.2.1  Процесс 44 от Spar сырья до полупроводниковых компонентов 44 2.2.2  от восстановления кремнезема до металлического кремния 46 2.2.3  выборы и рост Polysilicon 48 2.3  от полисиликона до монокристаллической кремниевой палочки 50 2.3.1  улучшить производство Polysilicon 50 2.3.2  Czochralski (метод CZ) Потяните мольсталлический кремний 52 2.3.3  районный районный роли 2.3.4  Причины и меры устранения в средней ошибке метода прямой тяги 56 2.4  от монокристаллического кремния до пластины 58 2.4.1  размер пластины продолжает расширять 58 2.4.2  обработка логотипа ориентации первые 60 2.4.3  разрезайте кремниевые пробелы на куски кремниевого круглого листа 62 2.4.4  кремниевый круг имеет множество различных типов 64 2.5  Polishing Film, Fire Retreat, Extension Film, Soi Film 66 2.5.1  Polishing Film and Anealing Film 66 2.5.2  Внешнее расширение 68 2.5.3  SOI Film 70 Забронировать на мысе чайный стол &Ldquo; кремний - это сокровище, данное Богом”72 Глава 3  Процесс производства интегрированного производства цепи 3.1  интегрированная логика схемы LSI Структура 74 3.1.1  Структура двойного избирательного устройства 74 3.1.2  Кремниевая сетка MOS Структура 76 3.1.3  Кремниевая сетка CMOS Структура 78 3.1.4  Bicmos Device и SOI Device Structure 80 3.2&Процесс NBSP; LSI 82 3.2.1  Используйте оптические резьбы, чтобы сформировать экземпляр контактного отверстия и слоя проводки 82 3.2.2  воздействие, показывая 84 3.2.3  Оптическая гравюра проекта заменитель 86 3.2.4 “ отрицательный&rdquo“ положительный” Принцип восприятия клей с легким клей 88 3.2.5  процесс оптического резки 90 3.2.6   Очистка, окисление, окисление, изолирующая мембрана—— легкое кубинг 92 3.2.7 etquets изоляционной мембранной области—— Образование пленки окисления сетки 94 3.2.8  Сетчатый электрод многокристаллический рост кремния—— введите его в 96 3.2.9  огни и ионы бора в инъекции ваучера P—— OM Contact Погребен 98 3.2.10  металлическая мембрана рост на 1 -м слое—— электродные прокладки формация 100 3.2.11  бронзовая проводка Damascus Craft 102 3.2.12 как разработать нашу индустрия производства IC Chips 104 3.3  Классификация процессов и комбинация производства чипов IC 106 3.3.1  Основные ремесла в производстве чипов IC 106 3.3.2  IC CIP Mustance Compound Compress 108 3.3.3  модуляризация процесса 110 3.3.4  процесс субстрата и процесс проводки 112 Забронировать на мысе чайный стол Ведущий мировой интегрированной индустрии 114 Глава 4  осаждение тонкого пленки и графическая обработка 4.1  компоненты DRAM и различные тонкие пленки 120, используемые в компонентах LSI 4.1.1  компонентная структура и различная тонкая пленка 120 4.1.2  изменение структуры конденсатора в DRAM 122 4.1.3  3D -структура DRAM 4.1.4  Применение тонких пленок в интегрированных цепях 126 4.2  Тонкое пленка и пленка для производства IC (1)—— PVD Метод 128 4.2.1&Производство NBSP; VLSI применяет различные типы пленки 128 4.2.2  применение поликристаллического кремниевого столба в интегрированной цепи 130 4.2.3&Металл 132 обычно используется в процессе NBSP; 4.2.4 вакуумное паровое покрытие 134 4.2.5  Иоонное распыление и распылительное покрытие 136 4.3  Тонкое пленка и пленка для производства IC (2)—— метод CVD 138 4.3.1&Метод CVD NBSP; для метода CVD, изготовленного VLSI 138 4.3.2  Основное реакционное устройство 140 в ССЗ 4.3.3  Plasma CVD (PCVD) Процесс передачи, реакции и образования пленки 142 4.3.4  различные комнаты для обработки в процессе пластин 144 4.4  Тонкое пленка и пленка для производства IC (3)—— сравнение различных методов 146 4.4.1  Сравнение различных методов формирования пленки 146 4.4.2  Метод образования термического оксида 148 4.4.3  образование термической оксидной пленки 150 4.4.4  тип и метод производства для VLSI 152 4.4.5  метод CVD для VLSI 154 4.5  улучшение и устранение проводки дефектов—— проводка CU замените Al -проводку 156 4.5.1 враги, которые влияют на срок службы электронных компонентов—— электрическая миграция 156 4.5.2  Образование формирования дефектов отключения и схемы, а также мер по профилактике и ремонту 158 4.5.3  CU проводка разум для Al -проводки 160 4.5.4  Используйте метод гальванизации, чтобы сделать проводку Cu 162 4.5.5  преимущества и недостатки алюминия для IC Chip 164 4.6  Источники света. Источники света продолжают прогрессировать до короткой длины волны 166 4.6.1 как обработать его в графику 166 от тонкой пленки 166 4.6.2  несколько часто используемых методов воздействия света 168 4.6.3  огни огней на окружающей технологии 170 4.6.4  изменение длины волны воздействия и соответствующей технической гарантии 172 4.6.5  Разработка и перспектива системы оптических резьб 174 4.7  Технология оптической экспозиции 176 4.7.1  Классификация и изменение устройства графического экспозиции 176 4.7.2  Метод экспозиции света 178 4.7.3  почти выставлен и узкий проекционный экспозиция 180 4.7.4  различные меры компенсации по положению в воздействии 182 4.8  Electronic Expusion и технология воздействия ионного пакета 184 4.8.1  Технология экспозиции электронного луча 184 4.8.2  технология недавней экспозиции (LEEPL) с низкимэлектронным лучей (LEEPL) 186 4.8.3  Технология экспозиции NBSP; Проекционная проекция по восстановлению x -Ray 188 4.8.4  Технология экспозиции NBSP; 4.9 сухое метод травления вместо влажного травления 192 4.9.1  применение технологии пленки в производстве VLSI 192 4.9.2  Сравнение сухого травления и влажного травления 194 4.9.3  Типы и травление сухого травления 196 4.9.4  Феномен реакции сухого травления (мода RIE) 198 4.9.5  Устройство травления плазмы с высокой плотностью 200 Забронировать на мысе чайный стол Десять лучших предприятий мировой индустрии чипов 202 Глава 5  примеси легируют—— тепловая диффузия и инъекция ионов 5.1  процесс тепловой обработки в интегрированном производстве схемы 208 5.1.1&Горячий процесс (горячий процесс) 208 в NBSP; Процесс IC Chip Process 5.1.2  Технология формирования термической оксидной пленки 210 5.1.3  самый важный инспекционный фильм 212 5.2  процесс тепловой диффузии для примесей допинга 214 5.2.1  цель примесей в производстве производства LSI 214 5.2.2  Сравнение примесей, метод допированного ионов и метод тепловой диффузии 216 5.2.3  решает распределение концентрации тепловых диффузионных примесей 218 5.2.4  цель термообработки—— продвижение, плоское, электрическая активность 220 5.2.5  Поведение примесей в кремнии 222 5.3  ТЕХНОЛОГИЯ ТЕХНОЛОГИЯ ДАПИНА—&Mdash; принцип инъекции ионов 224 5.3.1  Принцип инъекции ионной инъекции 224 5.3.2  Иоонное устройство впрыска 226 5.3.3  инъекция ионов с низкой энергией и отжиг высокой скорости 228 5.3.4  распределение концентрации ионной инъекции 230 5.4  ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ НАПРЯЖЕНИЯ (2)—— применение инъекции ионов 232 5.4.1  Стандартный сайт инъекции Triode MOS 232 5.4.2  Основная верхняя структура и градиент инвертора Структура 234 5.4.3  Одно верхняя формация 236 5.4.4  двойная формация 238 5.4.5  Применение инъекции ионов в CMOS 240 5.4.6  Иоонная инъекция для мелкого вязания 242 Забронировать на мысе чайный стол “ Основная технология - это тяжелое оружие страны”244 Глава 6&Может ли nbsp; может ли закон Мура продолжать вступать в силу 6.1  Многослойная проводка вступила в четвертое поколение 246 6.1.1 много -личная проводка—— требования к адаптации к микросхемам и высокой интеграции 246 6.1.2  Multi -Layered Glayered Glayered и 2 -е поколение технология—— слой за слой и стеклянным потоком 248 6.1.3  технология многослойной проводки 3 -го поколения—— представьте CMP250 6.1.4  Многослойная технология проводки 4 -го поколения—— введение Damascus Craft 252 6.2  Медная проводка сингл Martin Gegunt 6.2.1  CU Damascus Plining постепенно заменяет al -проводку 254 6.2.2  Craftsmanship Damascus - это китайский Cloisonne Blue Metal Process 256 6.2.3 от Al Willing Wilp до Cu Double Dama Ge Gede wind 258 6.2.4  CU Двойная малазийская структура проводки и возможные проблемы 260 6.3&Может ли NBSP; может ли закон Мура продолжать вступать в силу?262 6.3.1  Две тенденции полупроводниковых устройств к огромной и микроэтажной разработке 262 6.3.2&Интеграция чипов NBSP; Продолжается продвигаться по законодательству Мура 264 6.3.3&Ldquo; закон Мура не является законом физики”,“ но описывает закон индустриализации” 266 6.3.4 “ поднимите ноги, прыгайте вверх, чтобы выбрать яблоко”268 6.4  импорт новых материалов——&Ldquo; технология производства производства материалов”270 6.4.1  Многослойный слой проводки, пленка конденсации DRAM, проводка CU 270 6.4.2  Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (1) 272 6.4.3  Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (2) 274 6.4.4  Составное полупроводниковое полупроводниковое омоложение 276 6.5 как достичь высокой производительности устройства?278 6.5.1  требования к высокой производительности устройства для всей машины становятся выше и выше 278 6.5.2  Высокая производительность устройств зависит от новых ремесел и новых материалов 280 6.5.3  Начните с процесса субстрата и процесса проводки одновременно 282 6.6  от 100 нм до 7 нм—— поддерживает инновации материалов и технологий в качестве поддержки 284 6.6.1  Чистая кремниевая трубка MOS и Polysilicon/High-K-база Tube 284 6.6.2  Металлическая сетка/высокая K-bati Tube Tube и FIN Field Effect Transistor (FINFET) 286 286 6.6.3 90nm—&Mdash; Stock Silicon 288 6.6.4 45nm—— изоляционный слой с высоким K и металлические затворы 290 6.6.5 22nm—— FIN FEELCH EFFECT TRANSISTOR 292 6.6.6 7nm—— EUV Light Carvings и Sige-Channel294 Забронировать на мысе чайный стол Собрание самой сильной силы для борьбы с основными технологическими исследованиями и битвами с разработкой 296 Ссылка 297 Автор профиль 298 |
| Об авторе | |
| Tian Minbo, Университет Цинхуа, Школа материалов, профессор, докторский супервайзер, в течение длительного времени занимается предварительным исследованием учебных материалов и достигал первоначальных достижений в области электронных материалов, упаковочных технологий, магнитных материалов и порошковые материалы.Темы, которые предполагались, являются: (1) основные проекты Национального научного фонда национального уровня семьи.“ базовое исследование упаковки с высокой плотностью” (2) Международное проект сотрудничества&Ldquo; Zero Contraction Specing LTCC Research” (3)&Ldquo; пятнадцать&Rdquo; Pre -Research Project военной промышленности“ Новый тип уровня LCCC-3D MCM Technology Research” (4)“863&rdquo&Ldquo; исследования и разработка материалов серебристого раскладывания полимера” (5)“985” проект на лице&Ldquo; с низкой температурой Co -Burning Ceramic Multi -Layer Substrate и исследования упаковки с высокой плотностью и т. Д. |