8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Подлинная графическая технология чипов Чип принцип

Цена: 684руб.    (¥32.35)
Артикул: 600219291602

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:清文图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 85 68.511 448руб.
¥33698руб.
¥41.66881руб.
¥ 79 49.41 044руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

 
Производство чипов
Большая цена продажи:
￥82.9
цена
￥118.00		Скидка
7,03 % скидка		сохранить
￥ 35,1
Обратный отсчет события:202небо23:51:


Параметры продукта

Название продукта:

Графическая технология чипов 

Название книги по маркетингу:

Откройте ключ мировых ворот чипа 

Автор:

Tian Minbo собрал 

Конечно#:

49.00 

ISBN:

978-7-122-33960-7 

Ключевые слова:

Чип; IC; интегрированная схема; #Core 

масса:

416 грамм 

Издательство:

Химическая промышленность пресса

формат:

32 

Фрагментация:

квартира 

Время публикации:

Июль 2019 

Издание:

1 

Номер страницы:

300 

Время печати:

1 


Введение

В ответ на многоуровневые потребности входах, кандидатов и разработчиков исследователей под предварительной предпочтением предоставления большого количества информации, «рисование чип -технологии» принимает форму графики и текста, которая всесторонне и кратко вводит принцип чипа Работа, интегрированные схемы, технологии производства, новый прогресс, новые приложения и перспективы развития чипов.Под каждой главой“ ясно ясно&Rdquo; как обсудить путь, с правильной картинки, изображения и текста, и дайте его&Ldquo; фокус этого раздела”.Стремиться к простому и простому -для -понятном, простое -для -понятно; четкие уровни, четкие идеи; богатый контент, основные моменты; новый выбор материалов, подчеркивая приложения.
Эта книга может быть использована для студентов, таких как микроэлектроника, материалы, физика, точные инструменты, а также технические и технические сотрудники в смежных областях.


Оглавление

Глава 1 Введение в интегрированную схему
1.1 Обзор 2
1.1.1 От отдельных компонентов до интегрированных цепей 2
1.1.2 От кремниевого круглого листа до чипа до упаковки 4
1.1.3 Функция триода—— его можно сравнить с водными дорогами со шлюзой 6
1.1.4 Принцип работы триода MOS (NMOS) 8
1.1.5.
1.2 полупроводниковый кремниевый материал—— Core и Foundation интегрированной схемы 12
1.2.1 Сравнение типа MOS и транзистора биполярного узла 12
1.2.2 Диаграмма схемы раздела CMOS Constructor (P -формированный кремниевый субстрат) 14
1.2.3 Триод блока флэш -памяти“ написать”“ стирание”“ читать&Rdquo; принцип работы 16
1.3 Классификация компонентов интегрированной цепи 18
1.3.1 Функция и тип IC 18
1.3.2 RAM и ROM20
1.3.3 Метод классификации полупроводниковых устройств 22
1.4 Производственный процесс полупроводниковых устройств 24
1.4.1 Предыдущие поделки и задние поделки 24
1.4.2 Введение в производственный процесс IC Chip 26
Забронировать на мысе чайный стол
Десять лучших вех в истории интегрированной схемы 28

Глава 2 от кремнезема до пластин
2.1 Полупроводниковый кремниевый материал 36
2.1.1 Кремний в настоящее время является*важным полупроводниковым материалом 36
2.1.2 Кристаллические дефекты в монокристаллическом кремнеоне 38
2.1.3 Уровень энергии примесей в PN Knot 40
2.1.4 Классификация сопротивления изоляции, полупроводнику и проводника по сопротивлению 42
2.2 От кремния к кремнию в кремнии до 99,99999999%от силикона с высоким содержанием 44
2.2.1 Процесс от Spar сырья до полупроводниковых компонентов 44
2.2.2 РЕССОРЕНИЕ от кремнезема до металлического кремния 46
2.2.3 Выборы и рост Polysilicon 48
2.3 От полисиликона до монокристаллической кремниевой палочки 50
2.3.1 Улучшение производства Polysilicon 50
2.3.2 Czochralski (метод CZ) Потяните одно кристаллический кремний 52
2.3.3 Площадь движения движения движения 54
2.3.4 Причины и меры устранения в методе прямого вытяжения 56
2.4 От монокристаллического кремния до пластины 58
2.4.1 Размер пластины продолжает расширять 58
2.4.2 Обработка логотипа направления первые 60
2.4.3 Разрежьте кремниевые пробелы на куски кремниевого круглого листа 62
2.4.4 Кремниевый круглый лист имеет различные типы 64
2.5 Польская пленка, Огненное отступление, внешнее расширение, SOI Film 66
2.5.1 Полировка и отжиг фильм 66
2.5.2 Внешнее расширение 68
2.5.3 Soi Film 70
Забронировать на мысе чайный стол
&Ldquo; кремний - это сокровище, данное Богом”72

Глава 3 Процесс производства интегрированных цепи
3.1 Интегрированная логика схемы LSI Структура 74
3.1.1 Структура устройства биполярного узла 74
3.1.2 Структура кремния сетки MOS Device 76
3.1.3 Структура устройства CMOS кремния CMOS 78
3.1.4 Структура устройства BICMOS и устройства SOI 80
3.2 Процесс производства LSI 82
3.2.1 Примеры контактных отверстий и слоев проводки со шкалами света 82
3.2.2 Экспозиция, показывающая 84
3.2.3 Разработка оптического гравированного проекта 86
3.2.4“ отрицательный&rdquo“ положительный” Принцип восприятия клей с легким клей 88
3.2.5 Процесс оптической резки 90
3.2.6 Очистка, окисление, окисление, изолирующая мембрана—— легкое кубинг 92
3.2.7 Etquets of Изоляционной мембранной области—— Образование пленки окисления сетки 94
3.2.8 Рост полисиликона решетки решетки решетки—— введите его в 96
3.2.9 инъекционные световые резьбы и ионы бора в витруме—— OM Contact Погребен 98
3.2.10 Рост металлических мембран 1 -й слой—— электродные прокладки формация 100
3.2.11 Дамаскулярные поделки медной проводки 102
3.2.12 Как разработать нашу индустрию производства чипов IC 104
3.3 Классификация и комбинация процесса производства чипов IC 106
3.3.1 Основной процесс в производстве чипов IC 106 106
3.3.2 Композитная технология в производстве чипов IC 108
3.3.3 Модуль процесса 110
3.3.4 Процесс субстрата и процесс проводки 112
Забронировать на мысе чайный стол
Ведущий мировой интегрированной индустрии 114

Глава 4 Осаждение пленки и графическая обработка
4.1 Различная пленка 120, используемая в компонентах DRAM и компонентах LSI 120
4.1.1 Структура компонентов и различная пленка 120
4.1.2 Изменение структуры емкости в DRAM 122
4.1.3 3D -структура хранения в DRAM 124
4.1.4 Применение материалов пленки в интегрированных цепях 126
4.2 Осаждение фильмов и пленки для производства IC (1)—— PVD Метод 128
4.2.1 Производство VLSI применяется для разных типов пленки 128
4.2.2 Применение поликристаллических кремниевых сальников в интегрированных схемах 130
4.2.3 Металл 132 обычно используется в процессе IC
4.2.4 Вакуумный паряки 134
4.2.5.
4.3 Отложение фильма и пленки для производства IC (2)—— метод CVD 138
4.3.1 Метод CVD для VLSI сделал 138
4.3.2 Основное реакционное устройство в CVD 140
4.3.3 Процесс передачи, реакции и формирования пленки в процессе плазменного CVD (PCVD) 142
4.3.4 Различные комнаты для обработки в процессе пластин 144
4.4 Пленковые и пленки для производства IC (3)—— сравнение различных методов 146
4.4.1 Сравнение различных методов формирования пленки 146
4.4.2 Метод формирования термической оксидной пленки 148
4.4.3 Процесс образования термо оксидной пленки 150
4.4.4 Тип фильма и метод производства для VLSI 152
4.4.5 Метод CVD для VLSI 154
4.5 Улучшение и устранение проводных дефектов—— проводка CU замените Al -проводку 156
4.5.1 Враги, влияющие на жизнь электронных компонентов—— электрическая миграция 156
4.5.2 Причины формирования дефектов отключения и схемы, а также мер по профилактике и ремонту 158
4.5.3 CU Разум для Altrules для проводки 160
4.5.4 CU -проводка 162 с помощью метода гальванизации 162
4.5.5 Оптима для преимуществ и недостатков чипов IC 164
4.6 Источник света экспозиции продолжает двигаться к короткой длине волны 166
4.6.1 Как обрабатывать графику 166 от тонкой пленки 166
4.6.2 Несколько часто используемых методов воздействия света 168
4.6.3 Требования к окружающим технологиям для легкой резьбы 170
4.6.4 Изменение длины волны воздействия и связанной с ним технической гарантии 172
4.6.5 Разработка и перспектива системы оптической резки 174
4.7 Технология оптической экспозиции 176
4.7.1 Классификация и изменение графического экспозиционного устройства 176
4.7.2 Метод воздействия света 178
4.7.3 Недавняя экспозиция и узкая проекционная экспозиция 180
4.7.4 Меры компенсации по доставке в экспозиции 182
4.8 Электронная экспозиция луча и технология воздействия ионного пакета 184
4.8.1 Технология экспозиции электронных ставок 184
4.8.2 Технология недавней экспозиции (LEEPL) с низким энергетическим лучом 186
4.8.3 Технология экспозиции по восстановлению мягкого x -Ray (EUV) 188
4.8.4 Технология воздействия ионного пакета 190
4.9 Метод сушки Затмение Заменить влажное травление 192
4.9.1 Применение технологии травления в производстве VLSI 192
4.9.2 Сравнение сухого травления и влажного травления 194
4.9.3 Типы и характеристики травления сухого травления 196
4.9.4 Это явление произошло в реакции в реакции сухого метода (Rie Mode) 198
4.9.5 Устройство плазменного травления с высокой плотностью 200
Забронировать на мысе чайный стол
Десять лучших предприятий мировой индустрии чипов 202

Глава 5 Примеси Дайвер—— тепловая диффузия и инъекция ионов
5.1 Процесс тепловой обработки в производстве интегрированных цепи 208
5.1.1 Горячий процесс (горячий процесс) 208 в процессе IC Chip
5.1.2 Технология формирования термической оксидной пленки 210
5.1.3 Важная мембрана инспекции решетки решетки 212
5.2 Процесс тепловой диффузии для примесей допинга 214
5.2.1 Цель примесей в производстве LSI 214
5.2.
5.2.3 Решить распределение концентрации тепловых диффузионных примесей 218
5.2.4 Цель термической обработки—— продвижение, плоское, электрическая активность 220
5.2.5 Поведение примесей в кремнии 222
5.3 Точные примеси допинговых технологий (1)—&Mdash; принцип инъекции ионов 224
5.3.1 Принцип ионной инъекции 224
5.3.2 Устройство ионного впрыска 226
5.3.3 Инъекция ионов с низкой энергией и отжиг высокой скорости 228
5.3.4 Распределение концентрации ионной инъекции 230
5.4 Точные примеси допинг технологии (2)—— применение инъекции ионов 232
5.4.1 Стандартный участок инъекции Triode MOS 232
5.4.2 Основная структура ловушек и структура ловушки с инвертированной градиентом 234
5.4.3 Одно верхняя формация 236
5.4.4 Двойная формация 238
5.4.5 Применение инъекции ионов в CMOS 240
5.4.6 Ионная инъекция для мелкого вязания 242
Забронировать на мысе чайный стол
“ Основная технология - это тяжелое оружие страны”244

Глава 6 может ли закон Мура продолжать быть эффективным
6.1 Многослойная проводка вошла в четвертое поколение 246
6.1.1 многослойная проводка—— требования к адаптации к микросхемам и высокой интеграции 246
6.1.2 Первая и вторая технология многослойной проводки.—— слой за слой и стеклянным потоком 248
6.1.3 Многослойная технология проводки 3 -го поколения—— представьте CMP250
6.1.4 4 -го поколения многослойной технологии проводки—— введение Damascus Craft 252
6.2 Одиночный магический и Дамаск Craft 254
6.2.1 CU Проводка Дамаска постепенно заменяет проводку 254
6.2.2 Гранд -Тайский голубой металл. Процесс изданий Дамаска № 6 256
6.2.3 От Al -проводка+W столбца до Cu Double Damascus wind 258
6.2.4 CU Двойная малазийская структура проводки и возможные проблемы 260
6.3 Может ли закон Мура продолжать вступать в силу?262
6.3.1 Две тенденции полупроводниковых устройств к огромной и лучшей разработке 262
6.3.2 Интеграция чипов продолжает продвигаться по законодательству Мура 264
6.3.3&Ldquo; закон Мура не является законом физики”,“ но описывает закон индустриализации” 266
6.3.4“ поднимите ноги, прыгайте вверх, чтобы выбрать яблоко”268
6.4 Импорт новых материалов——&Ldquo; технология производства производства материалов”270
6.4.1 Multi -Layer Wiring Laminar, DRAM Capacitor Film, CU -проводка 270
6.4.2 Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (1) 272
6.4.3 Система кремниевого материала по -прежнему имеет потенциал (2) 274
6.4.4 Hydronics Semiconductor омолаживает 276
6.5 Как достичь высокой производительности устройства?278
6.5.1 Высокие требования к высокой производительности всей машины становятся выше и выше 278
6.5.2 Высокая производительность устройства зависит от нового процесса и нового материала 280
6.5.3 Начните с процесса субстрата и процесса проводки одновременно 282
6.6 от 100 нм до 7 нм—— поддерживает инновации материалов и технологий в качестве поддержки 284
6.6.1 Чистое кремниевое на основе трубки MOS и Polysilicon/High-K-базовая трубка 284
6.6.2 Металлическая решетка/высокок-кидовая трубка MOS и Эффект поля FIN Транзистор (FINFET) 286 286
6.6.3 90nm—&Mdash; Stock Silicon 288
6.6.4 45nm—— изоляционный слой с высоким K и металлические затворы 290
6.6.5 22nm—— FIN FEELCH EFFECT TRANSISTOR 292
6.6.6 7nm—— EUV Light Carvings и Sige-Channel294
Забронировать на мысе чайный стол
Сбор*Сильная сила борьбы с основными технологическими исследованиями и разработками.

Ссылка 297

Автор профиль 298


об авторе

Tian Minbo, Университет Цинхуа, Школа материалов, профессор, докторский супервайзер, в течение длительного времени занимается предварительным исследованием учебных материалов и достигал первоначальных достижений в области электронных материалов, упаковочных технологий, магнитных материалов и порошковые материалы.Темы, которые предполагались, являются: (1) основные проекты Национального научного фонда национального уровня семьи.“ базовое исследование упаковки с высокой плотностью” (2) Международное проект сотрудничества&Ldquo; Zero Contraction Specing LTCC Research” (3)&Ldquo; пятнадцать&Rdquo; Pre -Research Project военной промышленности“ Новый тип уровня LCCC-3D MCM Technology Research” (4)“863&rdquo&Ldquo; исследования и разработка материалов серебристого раскладывания полимера” (5)“985” проект на лице“ низкая температура#L L L Ll Многослойный субстрат и исследования упаковки с высокой плотностью и т. Д.