8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00

Моделирование CMOS Интегрированное проектирование схемы 2 -е издание (Midea) Bichade & Middot;

Цена: 1 954руб.    (¥92.46)
Артикул: 595117229284

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:数字图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥3467 287руб.
¥24.1510руб.
¥59.21 251руб.
¥169.73 586руб.
Популярный продукт|Popular products
23.90Купить сейчас
цена
24.40
Скидка
9.8
сохранить
0.5
18.80Купить сейчас
цена
26.20
Скидка
7.2
сохранить
7.4
36.50Купить сейчас
цена
46.20
Скидка
7.9
сохранить
9.7
373.50Купить сейчас
цена
373.50
Скидка
10
сохранить
0
66.70Купить сейчас
цена
83.30
Скидка
8.0
сохранить
16.6
57.80Купить сейчас
цена
57.80
Скидка
10
сохранить
0
31.20Купить сейчас
цена
31.20
Скидка
10
сохранить
0
47.20Купить сейчас
цена
47.20
Скидка
10
сохранить
0
60.00Купить сейчас
цена
78.00
Скидка
7.7
сохранить
18

Моделирование CMOS Интегрированная конструкция схемы № 2 издание 2

делать  К:(США) Би Чейд·Бехзад Разави (Бехзад Разави) переводится Чэнь Гикин
Конечно  цена:138
из Версия общество:Xi'an University of Electronic Science and Technology Press
Дата публикации:01 декабря 2018 г.
Страница  число:724
Пакет  рамка:Оплата в мягкой обложке
ISBN:9787569309928
Оглавление
Предисловие переводчика второго издания
Предисловие
Предисловие ко второму изданию
Предыдущая поговорка
IV
Спасибо
об авторе
Глава моделирования конструкции схемы введение
1.1 Важность аналоговой схемы
1.1.1 Обнаружение и обработка сигналов
1.1.2 Конструкция моделирования в передаче цифровых сигналов
1.1.3 С дизайн моделирования с высоким спросом
1.1.4 Задача дизайна симуляции
1.2 Изучите важность смоделированных интегрированных цепей
1.3 Изучите важность интегрированной схемы моделирования CMOS
1.4 Характеристики этой книги
1,5 абстрактного уровня конструкции схемы
Глава 2 Физическая основа устройства MOS
2.1 Основная концепция
2.1.1 MOSFET Переключатель
2.1.2 Структура MOSFET
2.1.3 MOS Символ
2.2 функция I-V MOS
2.2.1 Пороговое напряжение
2.2.2 Вывод характеристик I-V
2.2.3 Крест -сгибательность МОСФЕТА
2.3 Вторичный эффект
2.4 модель устройства MOS
2.4.1 MOS Device Landscape
2.4.2 емкость устройства MOS
2.4.3 Модель небольшого сигнала MOS
2.4.4 Модель специй MOS
2.4.5 Сравнение устройств NMOS и PMOS
2.4.6 Сравнение длинных дьяволов и короткометральных устройств
2.5 Приложение A: finfet (finfet)
2.6 Приложение B: характеристики устройства MOS, используемого в качестве конденсатора
Рекомендации
упражнение
Глава 3 Один лиматор
3.1 Приложение
3.2 Обзор
3.3 Общий уровень источника
3.3.1 Общий источник сопротивления нагрузке с сопротивлением
3.3.2 Общий источник устройства соединения диодного соединения для загрузки
3.3.3 Принят общий источник нагрузки на источник тока
3.3.4 Общий источник активной нагрузки
3.3.5 МО в онлайн -области работы является общим источником нагрузки
3.3.6 Уровень CO -Source с чрезвычайно отрицательной обратной связью
3.4 Источник последователь
3.5
3.6 Коммунистический источник и оценка галереи
3.6.1 Складное тип CO -Source
3.7 Выбор модели устройства
упражнение
Глава 4 Дифференциальное движение
4.1 Способ управления единичным и другим движением
4.2 В основном дифференциальная пара
4.2.1 Качественный анализ
4.2.2 Количественный анализ
4.2.3 Плохая мобильность источника полосы чрезвычайно негативной обратной связи
4.3 Ответ CO -Mode
4,4 МО - это разница между нагрузкой
4.5 Гилберт Блок
Рекомендации
упражнение
Глава 5 Технология текущего зеркала и смещения
5.1 Основное зеркало тока
5
……
Глава 6 Частотные характеристики усилителя
Глава 7 Шум
Глава 8 Обратная связь
ГЛАВА 9 Операция усилителя
Глава 0 Стабильность и компенсация частоты
Глава 1 Анализ дизайна Nano
2 глав
Глава 3 Введение в цепь конденсатора переключения
Глава 4 нелинейно и не совпадает
Глава 5 генератор
Глава 6
Глава 7 Короткоканальный эффект и модель устройства
Глава 8 CMOS Craft Technology
9 глав и упаковка
индекс
Пунктирное содержание

краткое введение

Эта книга представляет собой классический учебник моделируемого дизайна интегрированной схемы CMOS. Представьте анализ и дизайн интегрированных CMOS -цепей, фокусируясь на объяснении недавних новых примеров прогресса и проектирования технологии. Начиная с основных физических характеристик устройства MOSFET, устройства MOSFET, устройства MOSFET, на Блок амплификации CMOS анализируется главой по главе по главе. Схема, дифференциальный усилитель, частотный характер, шум, усилитель обратной связи и стабильность, усилитель вычислений, источник ссылки на напряжение и базовый источник тока, дискретная система времени, дифференциальная схема и система обратной связи в в Нелинейный анализ и конструкция схемы.Эта книга также представляет основные принципы базового производственного процесса, макета и конструкции упаковки интегрированной схемы.С момента своей публикации эта книга была хорошо принята и одобрена читателями дома и за рубежом, и была выбрана в качестве учебников многими известными университетами.В то же время, из -за богатого исследования хорошо известных и известных компаний в мире, эта книга также очень подходит для справочника исследователей и техников инженеров в проектировании или связанных областях моделирования CMOS, интегрированной схемы.

об авторе

(США) Би Чейд·Бехзад Разави (Бехзад Разави) переводится Чэнь Гикин