Интегрированное проектирование силового устройства и симуляция TCAD Yue Fu, Zhanming Li, Wai Tung NG, Джонни К.О. SIN Microelectronics и серия передовых технологий интегрированной цепи
Цена: 1 797руб. (¥85)
Артикул: 569332064728
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:鑫达图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥1994 205руб.
¥ 69 44.85948руб.
¥ 49 35740руб.
¥ 79 55.91 182руб.
|   Основная информация о продукте | |
| Название продукта: |   Интегрированная конструкция устройства и моделирование TCAD |
| Автор: | fu yue |
| Рыночная цена: | 125.00 |
| Номер ISBN: | 9787111592730 |
| Издание: | 1-1 |
| Дата публикации: | |
| Количество страниц: | 321 |
| Количество слов: | 393 |
| Издательство: |   Machinery Industry Press |
|   каталог | |
| Переводчик Предисловие об авторе Глава 1 Электроника, которая может реализовать зеленые технологии 1 1.1 Введение в электронику Power 1 1.2 История развития электроники 3 1.3 DC/DC Converter 4 1.4 Линейный регулятор напряжения 4 1.5 Переключательный конденсатор DC/DC Converter (зарядный насос) 5 1.6 Режим переключения DC/DC Converter 6 1.7 Сравнение между линейными регуляторами, зарядными насосами и регуляторами переключателя 8 1.8 Топологическая структура неизолированного преобразователя DC/DC Clacker 8 1.8.1 Buck Converter 9 1,8.2 Boost Converter 11 1.8.3 Buck-Boost Converter 12 1.8.4 Cuk Converter 14 1.8.5 Дополнительные темы о неизолированных конвертерах 14 1.9 Топология изолированного переключателя 16 1.9.1. 1.9.2 Краткий преобразователь 17 1.9.3 1.9.4 Конвертер полустака 19 1.9.5 Pushpul Converter 20 1.9.6 Изоляция DC/DC Converter Другие темы 20 1.9.7 Сравнение топологической структуры изоляции DC/DC Converter 22 1.10 Моделирование схемы специи 22 1.11 Система управления питанием для устройств с батарейным питанием 23 1.12 Резюме 24 Глава 2 Конвертер мощности и управление питанием 25 чип 25 2.1 Регулирование динамического напряжения для управления энергетикой VLSI 25 2.2 Интегрированный преобразователь DC/DC 27 2.2.1 Выходная стадия секции 29 2.2.2. Подавление перехода на вспомогательный уровень 32 2.3 Резюме 36 Глава 3 Полупроводниковая индустрия и закон Супермура 37 3.1 полупроводниковая промышленность 37 3.2 История полупроводниковой индустрии 38 3.2.1 Краткое расписание 38 3.2.2 восемь восстаний 38 3.2.3 Историческая дорожная карта полупроводниковой индустрии 39 3.3 Пирамида пищевой цепи полупроводниковой промышленности 40 3.3.1 Слой 1: Инструменты и инструменты EDA 41 3.3.2 Уровень 2: Инженерная инженерия 42 3.3.3 Слой 3: Дизайн IC 42 3.3.4 Слой 4: Производство, упаковка и тестирование 43 3.3.5 Уровень 5: Система и программное обеспечение 43 3.3.6 Уровень 6: маркетинг 44 3.4 Полупроводниковая компания 45 3.5 Закон Supermoore 46 Глава 4 Интеллектуальная технология Power IC 49 4.1 Интеллектуальная технология Power IC Основы 49 4.2 Интеллектуальная технология Power IC: Исторические перспективы 50 4.3 Интеллектуальная технология Power IC: проспект отрасли 52 4.3.1 Инженерная группа интеллектуальных технологий Power IC 52 4.3.2 Процесс разработки технологий интеллектуальной энергетики 55 4.3.3 Фаза 56 планирования 56 4.3.4 Интеграция процесса и дизайн устройства 57 4.3.5 Планировка, проекция пленки, производство и тестирование 58 4.3.6 Надежность и стандарты 59 4.3.7 Обзор текущей интеллектуальной технологии энергетики 60 4.4 Интеллектуальная технология Power IC: технология Outlook 61 4.4.1 Устройства в интеллектуальной энергетической технологии 62 4.4.2 Соображения проектирования для интеллектуальной технологии Power IC 62 4.4.3 Метод изоляции 65 Глава 5 Введение в моделирование процесса TCAD 67 5.1 Обзор 67 5.2 Настройки сетки и инициализация 67 5.3 Ионная имплантация 69 5.3.1 Модель анализа 70 5.3.2 Многослойная инъекция 71 Катерия ⅸ 5.3.3 Monte Carlo Simulation 71 5.4 Осаждение 72 5.5 Окисление 73 5.5.1 Окисление сухого кислорода 73 5.5.2 Окисление влажного кислорода 74 5.5.3 Модель окисления 74 5.6 травление 76 5.7 Диффузия 77 5.7.1 Механизм диффузии 78 5.7.2 Диффузионная модель 79 5.8 80 5.9 Калибровка модели симулятора процесса 83 5.10 3D ｔｃａｄintroduction к моделированию процесса 84 5.11 Моделирование графического процессора 85 Глава 6 Введение в моделирование устройства TCAD 87 6.1 Обзор 87 6.2 Основы моделирования устройств 87 6.2.1 Модель Drift-Diffusion 87 6.2.2 Дискретный 88 6.2.3 ｎewton Метод 89 6.2.4 Первоначальные догадки и адаптивное смещение. Размер шага 89 6.2.5 Проблема сходимости 90 6.2.6 Условия границ 91 6.2.7 Переходное моделирование 93 6.2.8 Проблема сетки 93 6.3 Физическая модель 93 6.3.1 Статистика носителя 94 6.3.2 Неполная ионизация примесей 94 6.3.3 Тяжелый допинг эффект 94 6.3.4 SRH и Auger Composite 94 6.3.5 Avalanche Breakdown and Collision Ionization 95 6.3.6 Мобильность перевозчиков 101 6.3.7 Тепло и самостоятельное нагревание 106 6.3.8. 6.4 Анализ переменного тока 107 6.4.1 Введение 107 6.4.2 Основная формула 108 6.4.3 A C Анализ в TCAD 110 Ⅹ Интегрированная конструкция устройства и моделирование TCAD 6.5 Модель ловушки в TCAD Simulation 111 6.5.1. Плата за ловушку 111 6.5.2 Dynamics 112 6.6 Квантовое туннелирование 115 6.6.1 Важность квантового туннелирования в силовых устройствах 115 6.6.2 ｔｃａｄbasic Туннелинг теория 116 6.6.3 Введение в несбалансированную зеленую функцию туннелирования 118 6.7 Калибровка модели симулятора устройства 119 Глава 7 TCAD Моделирование потока процесса Power IC 120 7.1 Обзор 120 7.2 Имийный процесс процесса мощности 120 7.2.1. Шаг поток процесса 120 7.2.2 Структурный вид моделируемого потока процесса 121 7.3 Интеллектуальная моделирование процесса Power Process Simulation 122 7.3.1 P+ Substrate 122 7.3.2 N-тип. Погребенный слой 123 7.3.3 Рост эпитаксиального слоя и глубокое соединение 125 7.3.4 Высокое напряжение двойное скважинг 127 7.3.5 N-LDMOS P-образная инъекция тела 128 7.3.6 Активная площадь/неглубокая изоляция траншеи (STI) 129 7.3.7 N-Well и P-Well 134 7.3.8 Низкое напряжение двойное хорошо 135 7.3.9 Толстый слой кислорода и тонкий кислород. 7.3.10 Полигранулярные ворота 139 7.3.11 NLDD и PLDD 139 7.3.12 Боковая стена 141 7.3.13 NSD и PSD 142 7.3.14 Бэк-энд процесс 144 Глава 8: TCAD Моделирование интегрированных полупроводниковых устройств 150 8.1 PN -соединительный диод 150 8.1.1 PN Base 150 8.1.2 Поперечный диод соединения PN во время равновесия 151 8.1.3 Прямая проводимость (на состоянии) 1 |
|   Введение | |
| This book provides a complete description of power management and semiconductor industries from power electronics to power integrated circuits (PICs), intelligent power technology, devices, etc. This book not only introduces the internal physical phenomena of integrated rate semiconductor devices, such as lateral dual diffusion metal oxide semiconductor field effect transistors (LDMOSFETs), transverse insulated gate bipolar transistors (Ligbts) и Super Junction ldmosfets, но также обеспечивают краткое введение в систему управления питанием.В этой книге используются примеры моделирования компьютерной технологии проектирования (TCAD), чтобы объяснить проектирование интегрированных мощных полупроводниковых устройств, а не теоретической обработки и пугающих уравнений, а также исследует мощные устройства следующего поколения, такие как высокоэлектронные мобильные мощности (Gan Power Hemts).Содержание этой книги помогает заполнить разрыв между системами инженерии силовых устройств и систем управления питанием.Книга включает в себя типичный процесс процесса для интеллектуальных фотографий и таблицу организации по разработке технологий, которую трудно найти в других подобных книгах. Читая эту книгу, студенты и молодые инженеры могут возглавить полевые полупроводниковые устройства Power. |