Технология серии серии с помощью серии серии «Инвертированная чип-пакета»
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Технология упаковки флип-чипов с момента своего появления заняла важное место в области упаковки интегральных схем.Особенно в последние годы, с развитием передовых технологий упаковки в сторону миниатюризации и утончения, эта технология стала основной формой упаковки интегральных схем.Книги по технологии флип-чипов появлялись одна за другой в последние годы, но их освещение часто ограничивается одной технологией проектирования и производства.Не существует книги, которая систематически освещала бы состояние исследований и разработок технологии флип-чипов, будущие тенденции развития, дизайн флип-чипов, производство и сопутствующие материалы.Вышеупомянутое содержание имеет важную справочную ценность для ученых, инженеров, преподавателей и студентов, занимающихся исследованиями в области технологии изготовления корпусов интегральных схем. Эта книга отвечает потребностям соответствующих практиков.В этой книге в простой и понятной форме представлены рынок технологий флип-чипов (глава 1), тенденции развития технологий (глава 2), технологии проектирования и производства (главы 3, 4, 8, 9), надежность (главы 10, 11) и упаковочные материалы (главы 5, 6) и т. д. Люди, написавшие главы этой книги, либо представляют известные зарубежные компании, занимающиеся флип-чипами (такими как Amkor Technology, IBM, Henkel и т. д.), либо известные ученые, занимающиеся исследованиями флип-чипов.Эту книгу редактирует профессор К. П. Вонг (Ван Чжэнпин), дважды академик Американской инженерной академии и Китайской инженерной академии. Он сочетает в себе новизну, практичность и комплексность. Он имеет важное справочное значение для всех типов людей, занимающихся исследованиями флип-чипов, а также играет важную роль в популяризации и развитии технологии флип-чипов....
Глава 1 Тенденции рынка: прошлое, настоящее и будущее 1
1.1 Технология Flip Chip и ее раннее развитие 2
1.2 Обзор технологии наращивания пластин 2
1.3 Испарение 3
1.3.1 Печать шаблона 3
1.3.2 Гальваника 4
1.3.3 Сварочная дамба 4
1.3.4 Внешняя обшивка заданной конструкции 6
1.4 Краткое описание технологии наращивания пластин 6
1.5 Развитие производства флип-чипов и вспомогательной инфраструктуры 7
1.6 Тенденции рынка флип-чипов 9
1.7 Движущие силы рынка Flip Chip 11
1.8 Переход с IDM на SAT 13
1.9 Влияние норм по охране окружающей среды на наполнители, припои, конструкцию конструкций и т. д. 16
1.10 Затраты на монтаж и их влияние на технологию флип-чипов 16
Ссылки 16
Глава 2 Технологические тенденции: прошлое, настоящее и будущее 17
2.1 Эволюция технологии Flip Chip 18
2.2 Эволюция технологии первичной упаковки 20
2.2.1 Требования к терморегулированию 20
2.2.2 Увеличенный размер чипа 20
2.2.3 Ограничения на опасные вещества 21
2.2.4 Директива RoHS и стоимость соответствия 23
2.2.5Выбор Sn 23
2.2.6 Пустоты припоя 24
2.2.7 Мягкие ошибки и альфа-излучение 25
2.3 Проблемы, с которыми сталкивается первичная упаковка 26
2.3.1 Слабая структура BEOL 26
2.3.2C4 ударная электромиграция 27
2.3.3Технология медных столбов 28
2.4 Дорожная карта IC-технологий 28
Совместный дизайн упаковки системного уровня 2.53D с флип-чипом и системы упаковки ИС 31
2.6PoP и штабелируемая упаковка 32
2.6.1 Упаковка встроенного чипа 34
2.6.2 Складная упаковка 34
2.7 Новая технология перевернутых чипов 35
2.8 Резюме 37
Ссылки 37
Глава 3 Технология производства ударов 40
3.1 Введение 41
3.2 Материалы и процессы 41
3.3* Прогресс в ударной технологии 57
3.3.1 Недорогой процесс пайки 57
3.3.2 Нанопористые межсоединения 59
3.3.3 Наклонные микровыступы 59
3.3.4 Деталь, рельефный выступ 60
3.3.5 Капельный микрозажим для пайки 60
3.3.6 Выступы из углеродных нанотрубок (УНТ) 62
Ссылки 63
Глава 4 Межсоединение Flip-Chip: прошлое, настоящее и будущее 66
4.1 Эволюция технологии межсоединения Flip Chip 67
4.1.1 Паяные соединения с высоким содержанием свинца 68
4.1.2 Приклеивание припоя с высоким содержанием свинца на чип и эвтектического припоя на ламинатную подложку 68
4.1.3 Контакты под бессвинцовую пайку 69
4.1.4 Соединение медных столбов 70
4.2 Эволюция технологии сборки 71
4.2.1 Утончение и резка пластин 71
4.2.2 Производство пластин 72
4.2.3 Флюс и очистка 74
4.2.4 Пайка оплавлением и термокомпрессионная сварка 75
4.2.5 Подливка и формовка 76
4.2.6 Меры обеспечения качества 78
Технология 4.3C4NP 79
4.3.1 Процесс производства пластин C4NP 79
4.3.2 Изготовление пресс-форм и перенос припоя 81
4.3.3 Повышение производительности производства пластин 81
4.3.4 Преимущества C4NP: возможность использования различных припоев 83
4.4Cu Производство отбойников на стойках 83
4.5 Технология изготовления подложек 86
4.6 Бессвинцовая пайка в флип-чипах 90
4.6.1 Характеристики бессвинцового припоя 91
4.6.2 Затвердевание, микроструктура и явления переохлаждения 93
4.7 Реакция интерфейса бессвинцового припоя во флип-чипе 93
4.7.1 Металлизация под выступами 93
4.7.2 Слой металлизации подложки 95
4.7.3 Реакция интерфейса контактов под бессвинцовую пайку 96
4.8 Надежность межкомпонентной структуры Flip Chip 98
4.8.1 Надежность при термической усталости 98
4.8.2 Надежность при падении 99
4.8.3 Взаимодействие чип-корпуса: растрескивание межслойного диэлектрика при сборке 101
4.8.4 Надежность электромиграции 104
4.8.5 Оловянная эпидемия 109
4.9 Тенденции развития технологии Flip Chip 109
4.9.1 Традиционные контакты микропайки 110
4.9.2 Твердотельная диффузионная сварка металл-металл 113
4.10 Заключение 114
Ссылки 115
Глава 5. Заливка Flip-Chip: материалы, процессы и надежность 123
5.1 Введение 124
5.2 Традиционное наполнение и технология 125
5.3 Характеристика материала нижних наполнителей 127
5.3.1 Измерение свойств отверждения дифференциальной сканирующей калориметрией 127
5.3.2 Измерение температуры стеклования дифференциальной сканирующей калориметрией 129
5.3.3 Используйте термомеханический анализатор для измерения коэффициента теплового расширения 130.
5.3.4 Использование динамического механического анализатора для измерения динамического модуля 131
5.3.5 Использование термогравиметрического анализатора для измерения термической стабильности 133
5.3.6 Испытание на изгиб 133
5.3.7 Измерение вязкости 133
5.3.8 Измерение прочности соединения между нижним наполнителем и пассивирующим слоем стружки 134
5.3.9 Измерение скорости поглощения влаги 134
5.4 Влияние нижнего наполнителя на надежность упаковки флип-чипов 134
5.4.1 Эффект пассивационного слоя 136
5.4.2 Ухудшение адгезии и время старения 85/85 137
5.4.3 Использование связующих агентов для улучшения гидролитической стабильности связи 140
5.5 Проблемы, с которыми сталкивается процесс недозаполнения 141
5.6 Непроточная нижняя набивка 143
5.7 Формованная подсыпка 148
5.8 Недостаточное заполнение уровня пластины 149
5.9 Резюме 153
Ссылка 154
Глава 6. Нанесение проводящего клея на флип-чип 159
6.1 Введение 160
6.2 Анизотропный проводящий клей/проводящая пленка 160
6.2.1 Обзор 160
6.2.2 Классификация 160
6.2.3 Клеевая матрица 161
6.2.4 Частицы проводящего наполнителя 161
6.2.5 Применение ACA/ACF в флип-чипе 162
6.2.6 Механизм отказа соединения ACA/ACF 167
6.2.7 Нано ACA/ACF* Прогресс 168
6.3 Изотропный проводящий клей 173
6.3.1 Введение 173
6.3.2 Применение ICA в флип-чипе 178
6.3.3 Применение ICA в современной упаковке 184
6.3.4 Высокочастотные характеристики точек соединения ICA 187
6.3.5 Надежность точек соединения ICA 189
6.3.6* Прогресс в области Nano-ICA 191
6.4 Непроводящие клеи для флип-чипов 194
6.4.1 Низкий коэффициент теплового расширения NCA194
6.4.2 Применение NCA в упаковке чипов с гибкой подложкой с мелким шагом 196
6.4.3 Быстрое отверждение NCA196
6.4.4 Сравнение NCA и ACA в гибких платах 197
Ссылки 197
Глава 7 Технология субстратов 205
7.1 Введение 206
7.2 Классификация структуры подложки 207
7.2.1 Структура последовательного добавления слоев 207
7.2.2 Структура штабелирования в направлении Z 208
7.3 Подложка с последовательным наложением слоев 208
7.3.1 Последовательность операций 208
7.3.2 Провод 210
7.3.3 Микроотверстия 217
7.3.4 Контактная площадка 225
7.3.5 Взаимодействие с пакетом микросхем 231
7.3.6 Надежность 239
7.3.7 Исторические вехи 245
Многослойная подложка в направлении 7,4Z 248
7.4.1 Подложка, уложенная стопкой в направлении Z с использованием процесса переноса рисунка 248
7.4.2 Любой слой через подложку с отверстиями 249
7.4.3 Подложка встроенного компонента 250
7.4.4 Подложка из ПТФЭ 253
7.5 Задача 254
7.5.1 Подложка без сердцевины 254
7.5.2 Рифленая подложка 255
7.5.3 Подложка со сверхнизким коэффициентом теплового расширения 257
7.5.4 Подложка многослойной микросхемы 258
7.5.5 Подложка оптического волновода 260
7.6 Керамическая подложка 261
7.7 Дорожная карта 262
7.7.1 Дорожная карта 262 Японской ассоциации производителей электроники и информационных технологий
7.7.2 Дорожная карта международных полупроводниковых технологий 263
7.8 Резюме 264
Ссылки 264
Глава 8. Комплексное проектирование системы корпуса ИС 266
8.1 Интегрированная система упаковки чипов 268
8.1.1 Введение 268
8.1.2 Проектное исследование 269
8.1.3 Моделирование и аналитическое принятие решений 273
8.1.4 Проблемы проектирования ICPS 274
8.2 Установка развязывающего конденсатора 276
8.2.1 Введение 276
8.2.2 Электрическая модель 278
8.2.3 Матрица импеданса и расчет ее приращения 280
8.2.4 Матрица шума 282
8.2.5 Вставка развязывающего конденсатора на основе алгоритма моделирования отжига 282
8.2.6 Установка развязывающего конденсатора на основе алгоритма анализа чувствительности 286
8.3TSV 3D укладка 296
8.3.13D Технология стекирования ИС 296
8.3.2 Задача 298
8.3.3 Решение 302
8.4 Резюме 316
Ссылка 316
Глава 9. Управление температурным режимом корпусов с флип-чипами 323
9.1 Введение 324
9.2 Теоретическая основа 325
9.2.1 Теория теплопередачи 325
9.2.2 Аналог электронагревателя модели 327
9.3 Цели управления температурным режимом 328
9.4 Управление температурным режимом на уровне чипа и корпуса 330
9.4.1 Пример управления температурным режимом 330
9.4.2 Горячие точки в чипах 331
9.4.3 Методы управления температурным режимом 336
9.5 Управление температурным режимом на уровне системы 338
9.5.1 Пример управления температурным режимом 338
9.5.2 Методы управления температурным режимом 340
9.5.3 Новая технология рассеивания тепла 348
9.6 Тепловые измерения и моделирование 357
9.6.1 Измерение температуры упаковки 358
9.6.2 Оборудование и методы измерения температуры 358
9.6.3 Эталоны измерения температуры 359
9.6.4 Упрощенная тепловая модель 359
9.6.5 Метод конечных элементов/вычислительное моделирование гидродинамики 360
Ссылка 362
Глава 10. Термомеханическая надежность корпусов Flip Chip 367
10.1 Введение 368
10.2 Термическая деформация компонентов флип-чипа 369
10.2.1 Сплошной ламинат, модель 370
10.2.2 Свободная термическая деформация 371
10.2.3 Оценка напряжения стружки на основе плоской модели двухслойного материала 372
10.2.4 Минимизация взаимодействия чип-пакет 374
10.2.5 Резюме 377
10.3. Надежность выступов припоя в сборке флип-чипа 377
10.3.1 Измерение термической деформации выступов припоя 377
10.3.2 Уравнение состава припоя 378
10.3.3 Моделирование надежности паяных соединений 384
10.3.4 Влияние прочности соединения наполнителя на надежность припоя 387
10.3.5 Резюме 389
Ссылка 389
Глава 11 Реакция границы раздела и электромиграция паяных соединений перевернутых кристаллов 391
11.1 Введение 392
11.2 Реакция на границе раздела между бессвинцовым припоем и подложкой 393
11.2.1 Кинетика растворения и межфазной реакции во время кипячения 393
11.2.2 Реакция на границе между бессвинцовым припоем и площадкой на основе меди 397
11.2.3 Реакция на границе раздела между бессвинцовым припоем и площадкой на основе никеля 398
11.2.4 Перекрестное взаимодействие Cu и Ni через паяные соединения 403
11.2.5 Эффект легирования другими активными элементами 405
11.2.6 Влияние малого объема припоя 409
11.3 Электромиграция паяных контактов флип-чипа 412
11.3.1 Основы электромиграции 413
11.3.2 Влияние электрического тока на припой и вызываемый им механизм разрушения 415
11.3.3 Влияние тока на подвыступающий слой металлизации (УБМ) и механизм разрушения, вызванный им 421
11.3.4 Среднее время между отказами контактов под пайку с перевернутой микросхемой 426
11.3.5 Стратегии замедления электромиграции 429
11.4 Новый выпуск 431
Ссылка 431
Приложение 439
Приложение А Таблица преобразования единиц измерения 440
Приложение B Сокращение 443
..................Эта книга написана ведущими экспертами в области технологии упаковки флип-чип. В нем систематически обобщаются разработки и достижения технологии упаковки флип-чип за последние десять лет, а также прогнозируются тенденции будущего развития. Содержание охватывает рыночные и технологические тенденции флип-чипа, ударную технологию, технологию межсоединений, процесс недостаточного заполнения и надежность, нанесение проводящего клея, технологию подложек, проектирование интегральных схем корпусов микросхем, вопросы терморегулирования и термомеханической надежности корпусов флип-чипов, реакцию интерфейса и вопросы электромиграции паяных контактов флип-чипов и т. д. Эта книга подходит для инженеров, научных исследователей и технических менеджеров, которые занимаются технологией упаковки флип-чипов и другими передовыми исследованиями в области технологий электронной упаковки. Его также можно использовать в качестве учебного материала и справочника для студентов старших курсов, аспирантов и обучающих специалистов по специальностям, связанным с электронной упаковкой....
......Профессор К. П. Вонг – академик Американской инженерной академии и иностранный академик Китайской инженерной академии. Он известен как“Отец современной полупроводниковой упаковки”.В настоящее время он является главным научным сотрудником в области электронных упаковочных материалов в Шэньчжэньском институте передовых технологий Китайской академии наук, деканом инженерного факультета Китайского университета Гонконга, заместителем директора Центра упаковки Технологического института Джорджии в США и профессором совета директоров.Он является одним из двух профессоров-заведующих Технологического института Джорджии. Член Международного института инженеров по электротехнике и электронике (IEEE? Fellow), старший научный сотрудник (Fellow) Bell Laboratories в США.Он является обладателем более 50 патентов США, опубликовал более 1000 статей и опубликовал более 10 монографий самостоятельно или совместно с другими.Он получил множество специальных наград от Международного института инженеров по электротехнике и электронике, Общества инженеров-технологов, Bell Labs и Технологического института Джорджии.Академик Ван Чжэнпин долгое время занимался исследованиями в области электронной упаковки.За его новаторский вклад в этой области на протяжении десятилетий он был удостоен награды Advanced Honor Award в области электронной упаковки от IEEE.——Награды IEEE за компоненты, упаковку и технологии производства, широко признанные в отрасли.Академик Ван Чжэнпин — один из пионеров технологии пластиковой упаковки.Он новаторски использовал силиконовую смолу для проведения исследований по упаковке диодных переключателей с затвором (GDX), добившись герметичного эквивалентного корпуса структуры GDX с использованием полимерных материалов, что значительно повысило надежность упаковки. Эта технология пластиковой упаковки решает проблемы традиционной керамической упаковки, такие как большой вес, сложные процессы и высокие затраты. Ее полностью продвигают компании Intel, IBM и т. д., и в настоящее время технология пластиковой упаковки занимает более 95% мирового рынка упаковки для интегральных схем.Он также решил проблему нестабильного контактного сопротивления на границе между проводящим клеем и устройствами, которая уже давно беспокоит упаковочную промышленность. Эта инновационная технология и по сей день используется в проводящей клейкой продукции Henkel и других компаний.Академик Ван первым в отрасли разработал нетекучую засыпку с высоким Tg, не содержащую растворителей, которая упрощает процесс упаковки флип-чипов и повышает производительность и надежность устройства. Его уже давно используют такие компании, как Hitachi....