Азот -нитрид шириной полупроводниковой материал и электронное устройство Hao Yue составило гетерогенное расширение и дефектную природу гетерогенного расширения и дефекта серии полупроводниковых наук и техники.
Цена: 2 183руб. (¥103.3)
Артикул: 538070760125
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:品悦轩图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 290 229.14 841руб.
¥ 99 64.31 359руб.
¥581 226руб.
¥ 69 51.71 093руб.
Название книги: Нитридные широкозонные полупроводниковые материалы и электронные устройства
Автор: Хао Юэ, Чжан Цзиньфэн, Чжан Цзиньчэн
Пресса: Science Press Co., Ltd.
Дата публикации: 2016-07-01
ISBN: 9787030367174
Слова: 390000
Издание: 31
Фрагментация: в твердом переплете раундов
Формат: B5
«Нитридные широкозонные полупроводниковые материалы и электронные устройства» основаны на результатах многолетних исследований автора. В нем систематически представлены физические свойства и методы реализации нитридных широкозонных полупроводниковых материалов и электронных устройств группы III, уделяя особое внимание полупроводниковым транзисторам с высокой подвижностью электронов (HEMT) и связанным с ними нитридным материалам.«Нитридные полупроводниковые материалы и электронные устройства с широкой запрещенной зоной» состоит из 14 глав, в том числе: основные свойства нитридных материалов, гетероэпитаксиальные методы и механизмы, электрические свойства HEMT-материалов, рост и оптимизация гетеропереходов Al-GaN/GaN и InAlN/GaN, анализ дефектов материалов, принципы и оптимизация GaN HEMT-устройств, процессы подготовки и производительность, анализ электротермической деградации, HEMT-устройства и интегральные схемы с GaN, GaN MOS-HEMT-устройства и, наконец, дает несколько важных направлений будущего технологического развития в этой области.
Примечания к публикации «Серия полупроводниковой науки и технологий»
Предисловие Глава 1 Введение
Рекомендации
Глава 2. Свойства нитридных полупроводниковых материалов III группы
2.1. Кристаллическая структура и зонная структура нитридов III группы.
2.1.1 GaN, AlN и InN
2.1.2 Постоянная решетки и ширина запрещенной зоны материалов нитридных сплавов
2.1.3. Порядок энергетических зон границы раздела гетеропереходов
2.2. Зависимость поля скоростей электронов и низкополевая подвижность нитрида
2.2.1. Зависимость поля электронных скоростей GaN
2.2.2. Аналитическая модель связи низкополевой подвижности электронов и поля скоростей GaN и AlGaN
2.3. Поляризационный эффект нитридных материалов
2.3.1 Полярность
2.3.2 Эффекты спонтанной поляризации и пьезоэлектрической поляризации
2.3.3 Пьезоэлектрическая и спонтанная поляризационная прочность материалов нитридных сплавов
2.3.4 Механизм ослабления эффекта поляризации
2.3.5 Полярные материалы и неполярные/полуполярные материалы
2.4. Легирование и другие свойства нитридных материалов электронной техники
2.5 Испытание и анализ свойств нитридного материала
2.5.1 Рентгеновская дифракция высокого разрешения (HRXRD)
2.5.2 Атомно-силовой микроскоп (АСМ)
2.5.3 Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ)
2.5.4 Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ)
2.5.5 Спектр фотолюминесценции (спектр ФЛ)
2.5.6 Вольт-емкостное испытание (C-V)
2.5.7 Тест Вандербильта Фархолла
2.5.8 Испытание Холла с помощью SdH-колебаний, анализ свойств двумерного транспорта электронного газа
Рекомендации
Глава 3 Гетероэпитаксиальный рост и дефектные свойства нитридных материалов
3.1. Технология эпитаксиального роста нитридных материалов
3.2. Основные режимы эпитаксиального роста и выбор эпитаксиальных подложек.
3.2.1. Основные режимы эпитаксиального роста.
3.2.2 Выбор эпитаксиальной подложки
3.3. Двухэтапный метод выращивания нитридных материалов методом MOCVD.
3.3.1 Этапы метода двухшагового роста
3.3.2. Эволюция режима роста двухстадийного роста GaN на сапфире
3.4 Оптимизация зародышевого слоя для эпитаксии нитридных материалов
3.4.1. Низкотемпературный зародышевый слой GaN
3.4.2 Высокотемпературный зародышевый слой AlN
3.4.3 Высокотемпературный зародышевый слой AlN, выращенный при прерывистой подаче аммиака
3.5. Влияние условий выращивания эпитаксиального слоя нитридного материала на качество материала.
3.6. Дефекты микроструктуры нитридных монокристаллических тонкопленочных материалов
3.6.1 Микроструктура границы раздела между подложкой и зародышевым слоем—&-Несоответствие дислокации
3.6.2 Микроструктура зародышевого слоя—&-Дефекты упаковки, локальные кубические фазы и обратные границы.
3.6.3. Микроструктура высокотемпературного слоя GaN.—&-Малоугловые границы зерен, резьбовые дислокации и точечные дефекты.
3.6.4 Трещины и выделения
Рекомендации
Глава 4. Электрические свойства и механизм GaN HEMT-материалов
4.1. Двумерный электронный газ в гетеропереходе GaN
4.1.1. Механизм формирования двумерного электронного газа гетероперехода GaN
4.1.2. Ареал электронной плотности двумерного электронного газа гетероперехода GaN
4.2. Самосогласованное решение одномерных квантовых эффектов зоны проводимости и распределения носителей заряда в гетеропереходе GaN.
4.2.1 - Физическая модель самосогласованного решения квантовых эффектов уравнения Шрёдингера-Пуассона
4.2.2 Численный алгоритм модели самосогласованного решения одномерного уравнения Шредингера-Пуассона
4.2.3. Применение одномерного квантового эффекта самосогласованного решения в гетеропереходе GaN.
4.3. Аналитическое моделирование низкополевой подвижности двумерного электронного газа гетероперехода GaN
4.3.1. Аналитическое моделирование слабополевой подвижности двумерного электронного газа гетероперехода GaN.
4.3.2 Влияние Al-компонента гетероперехода AlGaN/GaN на подвижность
4.3.3. Качественное согласование характеристик двумерного транспорта электронного газа материалов InAlN/GaN и InAlN/AlN/GaN.
Рекомендации
Глава 5. Методы выращивания и оптимизации материалов гетероперехода AlGaN/GaN
5.1. Структура материала гетероперехода AlGaN/GaN.
5.2. Метод выращивания нитридного материала с низкой плотностью дефектов.
5.3. Косой разрез подложки для выращивания малодефектного буферного слоя GaN
5.4. Гомоэпитаксиальный рост GaN
5.4.1 Выращивание GaN методом HVPE на подложке со скошенным срезом
5.4.2 Эпитаксиальный GaN методом MOCVD на шаблоне GaN HVPE
5.5. Метод высокоомной эпитаксии GaN.
5.5.1 Метод определения утечки буферного слоя
5.5.2 Влияние дислокаций на диффузию O в подложке
5.5.3 Схема подавления слоя скрытого заряда
5.5.4. Подавление фонового легирования n-типа в буферном слое GaN
5.6 Оптимизация барьерного слоя AlGaN
5.6.1 Влияние состава Al и толщины барьерного слоя AlGaN на 2DEG-свойства материала
5.6.2 Роль вставного слоя интерфейса AlN
5.6.3 Влияние покровного слоя на свойства материалов гетероперехода
Рекомендации
Глава 6. Многогетеропереходные материалы AlGaN/GaN и электронные устройства.
6.1 Материал Al (Ga, In)N/InGaN/GaN
6.2. Введение заднего барьера AlGaN под канал GaN.
6.3 Структура заднего барьера InGaN
6.4. Двух/многоканальный гетеропереход AlGaN/GaN
Рекомендации
Глава 7. Выращивание материалов с гетеропереходом InAlN/GaN импульсным методом MOCVD.
7.1. Преимущества околорешеточного согласования материалов InAlN/GaN и их HEMT-характеристики
7.2. Рост, дефекты и электрические свойства материалов InAlN/GaN, близких по решетке
7.2.1. Рост и дефекты материалов InAlN/GaN, близких по решетке
7.2.2 Электрические свойства материалов InAlN/GaN, близких к согласованным по решетке
7.3 Метод импульсной MOCVD с усиленной поверхностной реакцией (PMOCVD)
7.4 Метод PMOCVD для выращивания гетероперехода InAlN/GaN
7.4.1 Влияние давления эпитаксиального роста на характеристики InAlN/GaN
7.4.2 Влияние времени импульса источника In на характеристики InAlN/GaN
7.4.3 Влияние температуры эпитаксиального роста на характеристики InAlN/GaN
7.5 Метод PMOCVD для выращивания двухканальных материалов InAlN/GaN
Рекомендации
Глава 8. Анализ дефектов и физических свойств нитридных материалов электронной техники III группы
8.1 Анализ типа и плотности дислокаций GaN методом коррозии
8.1.1 Соответствие формы очагов коррозии типу дислокаций
8.1.2 Мокрое травление позволяет точно оценить плотность различных типов дислокаций.
8.1.3 Анализ других типов дефектов GaN коррозионным методом—&-Обратные границы и малоугловые границы зерен
8.2 Морфология коррозии и причины коррозии материалов с различной полярностью поверхностей
8.2.1 Коррозионные характеристики материалов с N-поверхностью
8.2.2. Селективное травление неполярного GaN в n-плоскости.
8.3 Анализ механизма снижения плотности дислокаций за счет скашивания подложки
8.3.1. Типы дислокаций и кластеризация дислокаций GaN на скошенных подложках
8.3.2. Концентрированная аннигиляция дислокаций в GaN на скошенной подложке
8.4 Влияние полярности на связывание примесей и желтые полосы
8.4.1 Модель связывания примесей, зависящая от полярности
8.4.2 Влияние комбинации примесей на желтую ленту
8.5. Основной источник желтой полосы в GaN
8.5.1 Корреляционный анализ между желтой полосой и примесями C в GaN
8.5.2 Негативная дискуссия о вакансиях Ga, вызывающих люминесценцию желтой полосы
Рекомендации
Глава 9. Принципы и оптимизация устройств GaN HEMT
9.1 Принцип работы устройств GaN HEMT
9.2. Рабочие параметры устройств GaN HEMT
9.2.1 Параметры производительности постоянного тока
9.2.2 Крутизна слабого сигнала переменного тока
9.2.3 Частота среза fT и максимальная частота колебаний
9.2.4 Параметры мощности
9.3 Меры по оптимизации производительности GaN HEMT-устройства
9.4 Моделирование и реализация структуры полевой пластины для улучшения напряжения пробоя устройства
9.4.1 Оптимизация моделирования устройств HEMT с полевыми пластинами
9.4.2 Реализация устройств HEMT с полевой пластиной
9.4.3 Предложение, оптимизация и реализация конструкции плавающей полевой пластины
Рекомендации
……
Глава 10. Процесс подготовки и производительность GaNHEMT-устройств
Глава 11. Электротермическая деградация и надежность GaNHEMT-устройств
Глава 12. HEMT-устройства и интегральные схемы в режиме улучшения GaN
Глава 13. GaNMOS&-устройство HEMT
Глава 14. Разработка нитридных полупроводниковых материалов и электронных устройств
Приложение Список сокращений
«Полупроводниковые науки и технологии» опубликовали книги